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公开(公告)号：CN111129044B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910821775.8
申请日：2019-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种在BSI图像传感器中制造自对准栅格的方法。该方法包括在衬底的背面上沉积第一介电层，该衬底具有形成在其中的多个光电二极管，形成沟槽栅格，以及用介电材料填充沟槽以形成沟槽隔离栅格。在此，沟槽穿过第一介电层并延伸到衬底中。该方法还包括将沟槽中的介电材料回蚀刻到低于第一介电层的上表面的水平，以形成覆盖沟槽隔离栅格的凹槽，并用金属材料填充凹槽以形成与沟槽隔离栅格对准的金属栅格。根据本申请的实施例，还提供了形成半导体器件的方法及相关的半导体器件。
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公开(公告)号：CN109841574B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201810067968.4
申请日：2018-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/146
Abstract: 本申请公开了CMOS图像传感器及其形成方法。本公开涉及具有多深沟槽隔离(MDTI)结构的CMOS图像传感器，以及相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被布置在衬底内并分别包括光电二极管。边界深沟槽隔离(BDTI)结构被布置在相邻像素区域之间，从衬底的背面延伸到衬底内的第一深度，并围绕光电二极管。多深沟槽隔离(MDTI)结构被布置在各个像素区域内，从衬底的背面延伸到衬底内的第二深度，并覆盖光电二极管。电介质层填充在BDTI结构的BDTI沟槽和MDTI结构的MDTI沟槽中。
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公开(公告)号：CN109768061B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201811229019.8
申请日：2018-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。
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公开(公告)号：CN111129044A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910821775.8
申请日：2019-09-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种在BSI图像传感器中制造自对准栅格的方法。该方法包括在衬底的背面上沉积第一介电层，该衬底具有形成在其中的多个光电二极管，形成沟槽栅格，以及用介电材料填充沟槽以形成沟槽隔离栅格。在此，沟槽穿过第一介电层并延伸到衬底中。该方法还包括将沟槽中的介电材料回蚀刻到低于第一介电层的上表面的水平，以形成覆盖沟槽隔离栅格的凹槽，并用金属材料填充凹槽以形成与沟槽隔离栅格对准的金属栅格。根据本申请的实施例，还提供了形成半导体器件的方法及相关的半导体器件。
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公开(公告)号：CN109768061A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811229019.8
申请日：2018-10-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像感测装置及其制作方法。本发明实施例涉及一种半导体图像传感器装置，其包含半导体衬底、辐射感测区及第一隔离结构。所述辐射感测区在所述半导体衬底中。所述第一隔离结构在所述半导体衬底中且邻近于所述辐射感测区。所述第一隔离结构包含在所述半导体衬底中的底部隔离部分、在所述半导体衬底中的上隔离部分，及包围所述上隔离部分的侧壁的扩散阻障层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104600084A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410534556.9
申请日：2014-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了包括反射引导层的图像传感器及其制造方法。公开了多种图像传感器结构以及形成图像传感器的方法。根据一个实施例，结构包括：衬底，包括光电二极管；衬底上的氧化物层，位于氧化物层中并与光电二极管相对应的凹槽；反射引导材料，位于每个凹槽的侧壁上；以及滤色片，均设置在相应的一个凹槽中。氧化物层和反射引导材料在滤色片之间形成栅格，至少氧化物层的一部分和反射引导材料的一部分设置在相邻的滤色片之间。
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公开(公告)号：CN113161420B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202110008411.5
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。
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公开(公告)号：CN106611766B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201610715454.6
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及包括具有反射材料的全局快门像素的背照式(BSI)图像传感器，该反射材料防止像素级存储节点的污染。在一些实施例中，BSI图像传感器包括布置在半导体衬底内的图像感测元件和在半导体衬底内布置于横向偏离图像感测元件的位置处的像素级存储节点。反射材料还在半导体衬底内布置于介于像素级存储节点与半导体衬底的背侧之间的位置处。反射材料具有位于图像感测元件上面的孔口(aperture)。反射材料允许入射辐射到达图像感测元件同时防止入射辐射到达像素级存储节点，从而防止像素级存储节点的污染。本发明的实施例还涉及形成背照式图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN104600084B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410534556.9
申请日：2014-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了包括反射引导层的图像传感器及其制造方法。公开了多种图像传感器结构以及形成图像传感器的方法。根据一个实施例，结构包括：衬底，包括光电二极管；衬底上的氧化物层，位于氧化物层中并与光电二极管相对应的凹槽；反射引导材料，位于每个凹槽的侧壁上；以及滤色片，均设置在相应的一个凹槽中。氧化物层和反射引导材料在滤色片之间形成栅格，至少氧化物层的一部分和反射引导材料的一部分设置在相邻的滤色片之间。
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公开(公告)号：CN106611766A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610715454.6
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L27/146 , H01L27/1462 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及包括具有反射材料的全局快门像素的背照式(BSI)图像传感器，该反射材料防止像素级存储节点的污染。在一些实施例中，BSI图像传感器包括布置在半导体衬底内的图像感测元件和在半导体衬底内布置于横向偏离图像感测元件的位置处的像素级存储节点。反射材料还在半导体衬底内布置于介于像素级存储节点与半导体衬底的背侧之间的位置处。反射材料具有位于图像感测元件上面的孔口(aperture)。反射材料允许入射辐射到达图像感测元件同时防止入射辐射到达像素级存储节点，从而防止像素级存储节点的污染。本发明的实施例还涉及形成背照式图像传感器的方法。
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