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公开(公告)号：CN109728018B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201811284627.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本发明实施例涉及半导体图像传感器。一种背侧照明BSI图像传感器包含：衬底，其包含前侧及与所述前侧相对的背侧；像素传感器，其放置于所述衬底中；及彩色滤光片，其放置于所述像素传感器上方。所述像素传感器包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第一微结构，且所述彩色滤光片包含放置于所述衬底的所述背侧上方的多个第二微结构。
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公开(公告)号：CN114883351A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210254472.4
申请日：2022-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请公开了具有结栅极场效应晶体管的基于锗的传感器及其制造方法。本文公开了基于锗的传感器。示例性的基于锗的传感器包括锗光电二极管和结型场效应晶体管(JFET)，该结型场效应晶体管(JFET)由锗层形成，该锗层在一些实施例中设置在硅衬底中或者在一些实施例中设置在硅衬底上。在锗层和硅衬底之间设置掺杂硅层，该掺杂硅层可以通过原位掺杂外延生长的硅来形成。在锗层位于硅衬底上的实施例中，掺杂硅层设置在锗层和氧化物层之间。JFET具有掺杂多晶硅栅极，并且在一些实施例中，栅极扩散区域设置在锗层中并且在掺杂多晶硅栅极之下。
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公开(公告)号：CN114530555A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210084457.X
申请日：2022-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L49/02
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及一种形成电容器结构的方法。该方法包括在下电极层上方形成电容器介电层，以及在电容器介电层上方形成上电极层。蚀刻该上电极层以限定上电极并且暴露电容器介电层的一部分。在上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上方并且还沿着该上电极的侧壁形成间隔件结构。蚀刻间隔件结构，以从上电极层和电容器介电层的水平延伸表面上方除去间隔件结构并且限定间隔件。根据间隔件蚀刻电容器介电层和下电极层，以限定电容器电介质和下电极。本发明的实施例还涉及金属‑绝缘体‑金属电容器结构。
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公开(公告)号：CN113161420A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110008411.5
申请日：2021-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种具有包括前侧及后侧的半导体衬底的垂直栅极场效晶体管器件。在半导体衬底的前侧上是第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。栅极电极配置在半导体衬底的前侧上，且包括水平部分、第一垂直部分及第二垂直部分。水平部分配置在半导体衬底的前侧之上以及第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，且接触栅极电极结构的水平部分。第二垂直部分从半导体衬底的前侧朝半导体衬底的后侧延伸，接触栅极电极结构的水平部分，且通过衬底的沟道区而与第一垂直部分分隔开。
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公开(公告)号：CN112490255A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201911223247.9
申请日：2019-12-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种CMOS图像传感器和一种相关的形成方法，CMOS图像传感器具有将光电二极管与像素装置分离的掺杂隔离结构。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有将光电二极管与像素装置分离的掺杂隔离结构。光电二极管远离衬底的前侧布置在衬底内。像素装置安置于上覆光电二极管的衬底的前侧处且通过掺杂隔离结构与光电二极管分离。相较于其中光电二极管的上部部分通常布置在衬底的前侧的顶面处的先前图像传感器设计，现在光电二极管布置成远离顶面且为像素装置留出更多空间。因此，较大像素装置可布置在感测像素中，且可改进较短沟道效应和噪声级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106611765B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201610711927.5
申请日：2016-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例涉及CMOS图像传感器及相关的形成方法，该图像传感器具有布置在深沟槽隔离结构与图像感测元件之间的掺杂区域。在一些实施例中，CMOS图像传感器具有设置在半导体衬底内的像素区域。像素区域具有配置为将辐射转换为电信号的图像感测元件。多个背侧深沟槽隔离(BDTI)结构在像素区域的相对侧上延伸进半导体衬底。掺杂区域横向布置在BDTI结构之间并且使图像感测元件与BDTI结构和半导体衬底的背侧分离。图像感测元件与BDTI结构的分离防止图像感测元件与BDTI结构的边缘附近的界面缺陷相互作用，并且从而减少暗电流和白像素数量。
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公开(公告)号：CN106486413B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510770342.6
申请日：2015-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 黄益民 , 施俊吉 , 亚历山大·卡尔尼茨基
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了自对准背面深沟槽隔离结构。公开了一种像素传感器器件。器件包括浅沟槽隔离结构、阱区域和背面隔离结构。阱区域和二极管区域邻近浅沟槽隔离结构。背面隔离结构与浅沟槽隔离结构自对准并且布置在浅沟槽隔离结构上方。背面隔离结构邻近二极管区域。公开了浸没光刻布置以补偿浸没工具漂移。
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公开(公告)号：CN106206629A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510775863.0
申请日：2015-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了无注入损伤的图像传感器及其方法。本发明公开了一种图像传感器。该图像传感器包括外延层、多个插头结构和互连结构。其中多个插头结构形成在外延层中，并且每个插头结构具有掺杂的侧壁，外延层和掺杂的侧壁形成多个光电二极管，多个插头结构被用于分开相邻的光电二极管，并且外延层和掺杂的侧壁通过插头结构连接到互连结构。本发明还公开了加工该图像传感器相关的方法。该方法包括：提供在第二型掺杂外延衬底层上具有第一型掺杂外延衬底层的衬底；在第一型掺杂外延衬底层中形成多个隔离沟槽；沿多个隔离沟槽的侧壁和底部形成第二型掺杂区域；以及通过沉积金属填充多个隔离沟槽。
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公开(公告)号：CN107026180B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201611038820.5
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例提供了一种具有硅和硅锗的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。硅锗层邻接于硅层。光检测器布置在所述硅锗层中。晶体管，布置在所述硅层上，同时源/漏区埋置在所述硅层的表面内且电连接至所述光检测器。本发明的实施例还提供了用于制造CMOS图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN111128953A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910783369.7
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L49/02
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底上的介电结构。多个导电互连层设置在介电结构内。多个导电互连层包括互连线和互连通孔的交替层。金属-绝缘体-金属(MIM)电容器配置在介电结构内。MIM电容器具有通过电容器介电结构与上导电电极分离的下导电电极。MIM电容器垂直延伸穿过多个导电互连层中的两个或多个。本申请的实施例还提供了其他集成芯片和形成集成芯片的方法。
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