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公开(公告)号：CN117199095A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311250755.2
申请日：2019-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/103 , H01L23/552 , H01L23/58 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01L25/04 , H01L25/16 , H01L21/50 , H03H7/09 , H03H7/12
Abstract: 在一些实施例中，本发明涉及三维集成芯片。该三维集成芯片包括第一集成芯片(IC)管芯和第二IC管芯。第一IC管芯具有第一图像传感器元件，该第一图像传感器元件配置为从第一波长范围内的电磁辐射产生电信号。第二IC管芯具有第二图像传感器元件，该第二图像传感器元件配置为从不同于第一波长范围的第二波长范围内的电磁辐射产生电信号。第一带通滤波器布置在第一IC管芯和第二IC管芯之间，并配置为反射第一波长范围内的电磁辐射。本发明的实施例还涉及用于堆叠传感器的带通滤波器。
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公开(公告)号：CN107293560B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710063231.0
申请日：2017-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例涉及一种具有自动聚焦功能的图像传感器和相关方法。在一些实施例中，图像传感器具有彼此相邻地成行设置的第一和第二图像传感像素。第一和第二图像传感像素的每个分别具有左PD(相位检测)像素和右PD(相位检测)像素，左PD像素包括可操作地连接到左传输门的左光电二极管，右PD像素包括可操作地连接到右传输门的右光电二极管。第二图像传感像素的右传输门是第一图像传感像素的左传输门沿着第一和第二图像传感像素之间的边界线的镜像。第二图像传感像素的左传输门是第一图像传感像素的右传输门沿着边界线的镜像。本发明实施例涉及全PDAF(相位检测自动聚焦)CMOS图像传感器结构。
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公开(公告)号：CN112397484A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010639846.5
申请日：2020-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/485 , H01L23/48 , H01L23/64 , H01L25/16 , H01L21/60
Abstract: 本申请的各个实施例针对一种半导体封装器件，包括配置为阻挡来自第一电子组件和第二电子组件的磁场和/或电场的屏蔽结构。第一电子组件和第二电子组件可以例如是传感器或一些其他合适的电子组件。在一些实施例中，第一IC芯片位于第二IC芯片上面。第一IC芯片包括第一衬底和位于第一衬底上面的第一互连结构。第二IC芯片包括第二衬底和位于第二衬底上面的第二互连结构。第一电子组件和第二电子组件分别位于第一互连结构和第二互连结构中。屏蔽结构直接位于第一电子组件和第二电子组件之间。此外，如果半导体封装器件垂直翻转，屏蔽结构基本覆盖第二电子组件和/或将基本覆盖第一电子组件。本发明的实施例还涉及半导体封装器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN105990383B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201510673820.1
申请日：2015-10-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。复合栅格包括：金属栅格和低折射率(低n)栅格。金属栅格包括位于半导体衬底上面并且对应于光电二极管中的一个的第一开口。低n栅格包括位于半导体衬底上面并且对应于光电二极管中的一个的第二开口。滤色器布置在相应的光电二极管的第一开口和第二开口中并且滤色器的折射率大于低n栅格的折射率。滤色器的上表面相对于复合栅格的上表面偏移。本发明也提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。本发明的实施例还涉及用于降低背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构。
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公开(公告)号：CN110600489A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910035872.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明实施例涉及图像传感器集成芯片及其形成方法。集成芯片具有布置在衬底的像素区内的图像感测元件。在位于衬底的第一侧内的沟槽中设置第一电介质。通过设置在像素区的相对侧上的第一侧壁限定沟槽。内部反射增强结构布置为沿着衬底的第一侧并且配置为将从衬底射出的辐射反射回衬底中。本发明实施例涉及半导体图像传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105990384B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510759939.0
申请日：2015-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供了一种用于背照式(BSI)像素传感器的半导体结构。光电二极管布置在半导体衬底内。金属栅格位于半导体衬底上面并且由金属栅格部分组成，金属栅格部分分别围绕光电二极管的外围，从而使得金属栅格内的第一开口分别位于光电二极管上面。低‑n栅格由低‑n栅格部分组成，低‑n栅格部分分别围绕光电二极管的相应的外围，从而使得低‑n栅格内的第二开口分别位于光电二极管上面。滤色镜布置在光电二极管的第一开口和第二开口中，并且滤色镜的折射率大于低‑n栅格的折射率。衬底隔离栅格延伸至半导体衬底中并且由隔离栅格部分组成，隔离栅格部分分别围绕光电二极管的外围。本发明还提供了一种用于制造BSI像素传感器的方法。
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公开(公告)号：CN100530596C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610003394.1
申请日：2006-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14632
Abstract: 本发明是有关于一种半导体装置至少包括具有光感测元件形成在其上的半导体基材；设置在在基材上的第一材料层，其中此第一材料层包括一部分，此部分具有形成在基材上做为负型微透镜的大体为凹型的表面；以及设置在第一材料层上的第二材料层，其中此第二材料层包括大体为凸型的部分，此大体为凸型的部分是与前述的大体为凹型的表面相互垂直地对齐并紧密配合，此大体为凸型的部分被建构与配置来定义一微透镜，此微透镜被定位来使穿透微透镜的平行光会合并照射在光感测元件上。
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公开(公告)号：CN112397484B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010639846.5
申请日：2020-07-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/485 , H01L23/48 , H01L23/64 , H01L25/16 , H01L21/60
Abstract: 本申请的各个实施例针对一种半导体封装器件，包括配置为阻挡来自第一电子组件和第二电子组件的磁场和/或电场的屏蔽结构。第一电子组件和第二电子组件可以例如是传感器或一些其他合适的电子组件。在一些实施例中，第一IC芯片位于第二IC芯片上面。第一IC芯片包括第一衬底和位于第一衬底上面的第一互连结构。第二IC芯片包括第二衬底和位于第二衬底上面的第二互连结构。第一电子组件和第二电子组件分别位于第一互连结构和第二互连结构中。屏蔽结构直接位于第一电子组件和第二电子组件之间。此外，如果半导体封装器件垂直翻转，屏蔽结构基本覆盖第二电子组件和/或将基本覆盖第一电子组件。本发明的实施例还涉及半导体封装器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN110600489B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910035872.4
申请日：2019-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明实施例涉及图像传感器集成芯片及其形成方法。集成芯片具有布置在衬底的像素区内的图像感测元件。在位于衬底的第一侧内的沟槽中设置第一电介质。通过设置在像素区的相对侧上的第一侧壁限定沟槽。内部反射增强结构布置为沿着衬底的第一侧并且配置为将从衬底射出的辐射反射回衬底中。本发明实施例涉及半导体图像传感器。
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公开(公告)号：CN107046045A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710055038.2
申请日：2017-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14647 , H01L27/14678 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14683
Abstract: 本发明的实施例提供了一种用于偏置的背面深沟槽隔离(BDTI)和/或偏置的背面屏蔽的背照式(BSI)图像传感器。光检测器布置在半导体衬底中且横向邻近半导体衬底中的外围开口。互连结构布置在半导体衬底下方。焊盘结构布置在外围开口中且突出穿过外围开口的下表面至互连结构。导电层电连接至焊盘结构，并且从焊盘结构上方向光检测器横向延伸。本发明的实施例还提供了一种用于制造BSI图像传感器的方法。
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