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公开(公告)号：CN109273476A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811250894.4
申请日：2014-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有改进的暗电流性能的图像传感器。本发明提供了一种半导体图像传感器件。该图像传感器包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。半导体衬底包括被配置为感测从第二侧投射向衬底的辐射的辐射感测区域。第一层设置在半导体衬底的第二侧上方。第一层具有第一能带隙。第二层设置在第一层上方。第二层具有第二能带隙。第三层设置在第二层上方。第三层具有第三能带隙。第二能带隙小于第一能带隙和第三能带隙。
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公开(公告)号：CN104051422B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310277268.5
申请日：2013-07-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: A61N1/3931 , A61N1/3987 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/53238 , H01L23/53257 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L27/14634 , H01L2224/08145 , H01L2224/80894 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/1431 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
Abstract: 本发明提供了一种互连结构及其形成方法。其中，一种半导体器件包括接合在第二芯片上的第一芯片。第一芯片包括第一衬底和在第一IMD层中形成的第一互连部件。第二芯片包括第二衬底和在第二IMD层中形成的第二互连部件。该器件还包括：第一导电插塞，其形成在第一衬底和第一IMD层内，其中，第一导电插塞连接至第一互连部件；以及第二导电插塞，第二导电插塞穿过第一衬底和第一IMD层并部分地穿过第二IMD层而形成，其中，第二导电插塞连接至第二互连部件。
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公开(公告)号：CN104425526B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410338457.3
申请日：2014-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14685 , H01L27/14689 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了形成图像传感器件的机制的实施例。该图像传感器件包括具有正面和背面的衬底。该图像传感器件还包括用来检测穿过背面进入衬底的入射辐射的可操作的辐射感测区。图像传感器件还包括形成在衬底中并且邻近辐射感测区的掺杂的隔离区。此外，该图像传感器件包括形成在掺杂的隔离区中的深沟槽隔离结构。深沟槽隔离结构包括从背面延伸的沟槽和覆盖沟槽的带负电荷的膜。本发明涉及形成具有深沟槽隔离结构的图像传感器件的机制。
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公开(公告)号：CN104051481A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410006926.1
申请日：2014-01-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及具有改进的暗电流性能的图像传感器。本发明提供了一种半导体图像传感器件。该图像传感器包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。半导体衬底包括被配置为感测从第二侧投射向衬底的辐射的辐射感测区域。第一层设置在半导体衬底的第二侧上方。第一层具有第一能带隙。第二层设置在第一层上方。第二层具有第二能带隙。第三层设置在第二层上方。第三层具有第三能带隙。第二能带隙小于第一能带隙和第三能带隙。
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公开(公告)号：CN104051478A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310422086.2
申请日：2013-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14692
Abstract: 本发明公开了一种制造图像传感器件（诸如BSI图像传感器）的方法和用此方法制造的图像传感器，其中，防止了BARC层中的电荷被金属屏蔽接地件中的相反电荷不期望的中和，从而减少暗电流并且提高器件的性能。图像传感器包括具有在与其正面相邻处形成的多个辐射传感器的衬底、形成在衬底背面上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上方的BARC层、设置在BARC层上方的金属栅格、从金属栅格延伸进入衬底内以实现接地目的的一个或多个金属接地件以及设置在每一个金属接地件的侧壁与周围的BARC层之间的侧壁绝缘层。侧壁绝缘层使金属接地件与周围的BARC层电隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051423A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310322579.9
申请日：2013-07-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供互连装置和方法，其中，该方法包括：将第一芯片接合在第二芯片上；在第一芯片的非接合面上方沉积第一硬掩模层；在第一硬掩模层上方沉积第二硬掩模层；将第二硬掩模层用作第一蚀刻掩模来蚀刻第一半导体芯片的第一衬底；以及将第一硬掩模层用作第二蚀刻掩模来蚀刻第一芯片和第二芯片的IMD层。
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公开(公告)号：CN102005464B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010272246.6
申请日：2010-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1461 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L28/40
Abstract: 一种背照式图像传感器包括半导体衬底，具有正面和背面；传感器元件，上覆半导体衬底的正面而形成；以及电容器，上覆传感器元件而形成。
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公开(公告)号：CN102916018A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110350734.9
申请日：2011-11-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464
Abstract: 一种图像传感器器件包括：具有正面和背面的半导体衬底；位于半导体衬底正面上的第一介电层；位于第一介电层中的金属焊盘；位于第一介电层上方以及位于半导体衬底正面上的第二介电层；从半导体衬底的背面穿透半导体衬底的开口，其中该开口包括第一部分和第二部分，所述第一部分延伸以暴露一部分金属焊盘，所述第二部分延伸以暴露一部分第二介电层；以及在开口的第一部分和第二部分中形成的金属层。本发明还提供了一种在介电层中的双开口中形成的焊盘结构。
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公开(公告)号：CN101814519B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010125286.8
申请日：2010-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02005 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14698 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种背照式图像感测器及其制造方法。该图像感测器包括一半导体基板，一保护环结构，于该基板中，以及至少一像素，为该保护环结构所包围。该保护环结构通过高能量注入形成于该基板中。本发明通过对基板前侧表面进行离子注入形成保护环结构以及对注入保护环的基板进行回火以移除因注入与活化注入掺质造成的损伤，以降低成品元件保护环中硅损伤的量。
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公开(公告)号：CN101814478A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010125287.2
申请日：2010-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种图像感测装置及其制造方法，该图像感测装置具有第一基底与第二基底，其中：一像素阵列与一控制电路是形成于上述第一基底的一第一表面中；一内连线层是形成于上述第一基底的第一表面上，将上述控制电路电性连接于上述像素阵列；一顶部传导层是形成于上述内连线层上，上述顶部传导层是经由上述内连线层而与上述控制电路及上述像素阵列的至少其中之一具有导电性；上述第二基底的一表面是连接于上述顶部传导层；一传导性的硅穿孔是穿透上述第二基底，而与上述顶部传导层具有导电性；一端子是形成于上述第二基底的一相反表面上，并电性连接于上述硅穿孔。本发明使所需的晶片面积最小化并改善感测器装置的I/O特性。
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