公开(公告)号：CN104051419B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310463691.4

申请日：2013-10-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  黄志辉 ,  陈升照 ,  周世培 ,  林佳洁

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种堆叠式集成电路（IC）器件及方法。该堆叠式IC器件包括第一半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的介电块以及形成在第一衬底上方的第一金属间介电层中的多个第一导电部件。该堆叠式IC器件还包括接合至第一半导体元件上的第二半导体元件。第二半导体元件包括第二衬底以及形成在第二衬底上方的第二金属间介电层中的多个第二导电部件。该堆叠式IC器件还包括连接在第一导电部件和第二导电部件之间的导电深互连插塞。导电深互连插塞通过介电块、第一金属间介电层和第二金属间介电层隔离。本发明还公开了用于堆叠式器件的互连结构。

公开(公告)号：CN104425453A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310687197.6

申请日：2013-12-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周世培 ,  徐鸿文 ,  苏庆忠 ,  曹钧涵 ,  林佳洁 ,  蔡纾婷 ,  卢玠甫 ,  刘世昌 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种互连装置及其形成方法。将两个衬底（诸如晶圆、管芯、或晶圆和管芯）接合在一起。使用第一掩模形成部分地延伸至形成在第一晶圆上的互连件的第一开口。形成介电衬层，然后使用相同的掩模实施另一个蚀刻工艺。继续蚀刻工艺以暴露出形成在第一衬底和第二衬底上的互连件。用导电材料填充开口以形成导电插塞。本发明还公开了3DIC互连装置和方法。

公开(公告)号：CN102376683A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110224828.1

申请日：2011-08-04

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  李新辉 ,  王文德 ,  蔡纾婷

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L21/02697 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/488 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 方法包括提供具有密封圈区域和电路区域的基板，在密封圈区域上形成密封圈结构，在密封圈结构上形成第一前部钝化层，在第一前部钝化层中蚀刻邻近密封圈结构的外部的前部孔，在前部孔中形成前部金属焊盘以连接前部金属焊盘和密封圈结构的外部，在密封圈结构下形成第一背部钝化层，在第一背部钝化层中蚀刻邻近密封圈结构的外部的背部孔，和在背部孔中形成背部金属焊盘以连接背部金属焊盘和密封圈结构的外部。也提供了通过所述方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN104752378B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201410825950.8

申请日：2014-12-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡纾婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  陈思莹 ,  陈愉婷

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，半导体器件包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片，第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的第一导电部件。第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上方的第二导电部件。导电插塞设置成穿过第一导电部件并且连接到第二导电部件。该导电插塞包括设置在第一导电部件上方的第一部分和设置在第一导电部件之下或内的第二部分，第一部分具有第一宽度。第二部分具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。

公开(公告)号：CN104051422B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201310277268.5

申请日：2013-07-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： A61N1/3931 ,  A61N1/3987 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明提供了一种互连结构及其形成方法。其中，一种半导体器件包括接合在第二芯片上的第一芯片。第一芯片包括第一衬底和在第一IMD层中形成的第一互连部件。第二芯片包括第二衬底和在第二IMD层中形成的第二互连部件。该器件还包括：第一导电插塞，其形成在第一衬底和第一IMD层内，其中，第一导电插塞连接至第一互连部件；以及第二导电插塞，第二导电插塞穿过第一衬底和第一IMD层并部分地穿过第二IMD层而形成，其中，第二导电插塞连接至第二互连部件。

公开(公告)号：CN104051329B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201310410420.2

申请日：2013-09-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  许慈轩 ,  蔡纾婷 ,  高敏峰

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/92 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明公开了一种堆叠集成电路（IC）器件以及方法。堆叠IC器件包括第一半导体元件和接合在第一半导体元件上的第二半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电（ILD）层、第一互连部件，以及将第一互连部件连接至公共导电部件的导电插塞。第二半导体元件包括第二衬底、第二衬底上的第二ILD层以及第二ILD层中的第二互连部件。器件还包括导电深接塞，其与第一半导体元件中的公共导电部件和第二互连部件相连接。导电深插塞与导电插塞之间由所述第一ILD层分开。本发明还公开了用于堆叠器件的互连结构和方法。

公开(公告)号：CN104051424A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410055663.3

申请日：2014-02-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡纾婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  周世培 ,  陈愉婷 ,  林佳洁

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 本发明公开一种结构，该结构包括第一芯片，第一芯片具有第一衬底以及位于第一衬底下方的第一介电层，其中第一金属垫位于第一介电层中。第二芯片包括第二衬底、位于第二衬底上方并且接合至第一介电层的第二介电层以及位于第二介电层中的第二金属垫。导电插塞包括从第一衬底的顶面延伸至第一金属垫的顶面的第一部分以及从第一金属垫的顶面延伸至第二金属垫的顶面的第二部分。第二部分的边缘与第一金属垫的侧壁物理接触。介电层将导电插塞的第一部分与多个第一介电层间隔开。本发明公开了用于连接管芯的互连结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN104051423A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310322579.9

申请日：2013-07-29

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林政贤 ,  蔡纾婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  周世培 ,  高敏峰 ,  陈思莹

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供互连装置和方法，其中，该方法包括：将第一芯片接合在第二芯片上；在第一芯片的非接合面上方沉积第一硬掩模层；在第一硬掩模层上方沉积第二硬掩模层；将第二硬掩模层用作第一蚀刻掩模来蚀刻第一半导体芯片的第一衬底；以及将第一硬掩模层用作第二蚀刻掩模来蚀刻第一芯片和第二芯片的IMD层。

公开(公告)号：CN104051329A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310410420.2

申请日：2013-09-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  许慈轩 ,  蔡纾婷 ,  高敏峰

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L24/92 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

摘要： 本发明公开了一种堆叠集成电路（IC）器件以及方法。堆叠IC器件包括第一半导体元件和接合在第一半导体元件上的第二半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电（ILD）层、第一互连部件，以及将第一互连部件连接至公共导电部件的导电插塞。第二半导体元件包括第二衬底、第二衬底上的第二ILD层以及第二ILD层中的第二互连部件。器件还包括导电深接塞，其与第一半导体元件中的公共导电部件和第二互连部件相连接。导电深插塞与导电插塞之间由所述第一ILD层分开。本发明还公开了用于堆叠器件的互连结构和方法。

公开(公告)号：CN105280611B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201510278520.3

申请日：2015-05-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡纾婷 ,  陈思莹 ,  林政贤 ,  许慈轩 ,  洪丰基 ,  杨敦年

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供一种3DIC互连器件及其形成方法。提供了堆叠半导体器件和该堆叠半导体器件的形成方法。将多种集成电路相互接合，以形成堆叠半导体器件。在将附加的集成电路接合至先前的接合步骤中所形成的堆叠半导体器件的每一个接合步骤之后，形成多个导电塞，以将附加的集成电路和先前的接合步骤中所形成的堆叠半导体器件电互连。