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公开(公告)号：CN112310128B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201911074862.8
申请日：2019-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括电荷释放层的图像传感器。光探测器设置在半导体衬底内。刻蚀停止层上覆在光探测器上。滤色片上覆在刻蚀停止层上。介电栅格结构环绕滤色片。电荷释放层夹置在介电栅格结构与刻蚀停止层之间。电荷释放层环绕滤色片且包含导电材料。电荷释放层直接接触滤色片。
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公开(公告)号：CN109407189B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201710710260.1
申请日：2017-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B5/18
Abstract: 本揭露有关于一种紫外光复合光栅及等离子装置。此紫外光复合光栅包含第一格栅及第二格栅。第一格栅设有多个第一穿孔，及第二格栅设有多个第二穿孔，且第一穿孔及第二穿孔是交错设置。第一格栅是由不透光材料所制成，且第二格栅是由滤光材料所制成。紫外光复合光栅可滤除波长小于180nm的紫外光。
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公开(公告)号：CN104465680A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410426056.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14623 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种背照式半导体图像感测器件，该背照式半导体图像感测器件包括半导体衬底。该半导体衬底包括辐射敏感二极管和外围区。外围区接近背照式半导体图像感测器件的侧壁。该背照式半导体图像感测器件还包括位于半导体衬底的背侧上的第一抗反射涂层(ARC)和位于第一抗反射涂层上的介电层。此外，辐射屏蔽层设置在介电层上。而且，该背照式半导体图像感测器件具有位于背照式半导体图像感测器件的侧壁上的光子阻挡层。辐射屏蔽层的侧壁的至少一部分没有被光子阻挡层覆盖，并且光子阻挡层配置为阻挡光子穿入至半导体衬底内。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN114725135A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110678255.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种像素感测器及像素阵列的制造方法，像素感测器可包含层堆叠，以减少及/或阻挡电浆及蚀刻对光电二极管及/或其他较低高度层的影响。层堆叠可包含第一氧化层(能隙低于约8.8eV的层)以及第二氧化层。层堆叠可减少及/或防止由于电浆及蚀刻制程的紫外光子的穿透及吸收，其可另外造成电子‑空穴对在包含光电二极管的基材内形成。
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公开(公告)号：CN108962924A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201711269678.X
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14683
Abstract: 在一些实施例中，本发明实施例涉及形成用于集成芯片图像传感器的吸收增强结构的方法，其减小了由吸收增强结构的形成而产生的晶体缺陷。该方法可以通过在衬底的第一侧上方形成图案化的掩模层来实施。根据图案化的掩模层对衬底的第一侧实施干蚀刻工艺以限定沿着衬底的第一侧以周期性图案布置的多个中间突出件。对多个中间突出件实施湿蚀刻工艺以形成多个突出件。在多个突出件上方和之间形成一个或多个吸收增强层。湿蚀刻工艺去除可以不利地影响吸收增强结构的性能的中间突出件的损坏区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104465680B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410426056.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14623 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明提供了一种背照式半导体图像感测器件，该背照式半导体图像感测器件包括半导体衬底。该半导体衬底包括辐射敏感二极管和外围区。外围区接近背照式半导体图像感测器件的侧壁。该背照式半导体图像感测器件还包括位于半导体衬底的背侧上的第一抗反射涂层(ARC)和位于第一抗反射涂层上的介电层。此外，辐射屏蔽层设置在介电层上。而且，该背照式半导体图像感测器件具有位于背照式半导体图像感测器件的侧壁上的光子阻挡层。辐射屏蔽层的侧壁的至少一部分没有被光子阻挡层覆盖，并且光子阻挡层配置为阻挡光子穿入至半导体衬底内。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN104425453A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310687197.6
申请日：2013-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76805 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2225/06544 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种互连装置及其形成方法。将两个衬底（诸如晶圆、管芯、或晶圆和管芯）接合在一起。使用第一掩模形成部分地延伸至形成在第一晶圆上的互连件的第一开口。形成介电衬层，然后使用相同的掩模实施另一个蚀刻工艺。继续蚀刻工艺以暴露出形成在第一衬底和第二衬底上的互连件。用导电材料填充开口以形成导电插塞。本发明还公开了3DIC互连装置和方法。
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公开(公告)号：CN108962924B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201711269678.X
申请日：2017-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 在一些实施例中，本发明实施例涉及形成用于集成芯片图像传感器的吸收增强结构的方法，其减小了由吸收增强结构的形成而产生的晶体缺陷。该方法可以通过在衬底的第一侧上方形成图案化的掩模层来实施。根据图案化的掩模层对衬底的第一侧实施干蚀刻工艺以限定沿着衬底的第一侧以周期性图案布置的多个中间突出件。对多个中间突出件实施湿蚀刻工艺以形成多个突出件。在多个突出件上方和之间形成一个或多个吸收增强层。湿蚀刻工艺去除可以不利地影响吸收增强结构的性能的中间突出件的损坏区域。
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公开(公告)号：CN111987115B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010453454.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明描述了使用牺牲隔离区域和基于氧化硅的堆叠件而没有中间氮化物蚀刻停止层在图像传感器器件中形成焊盘结构。图像传感器器件包括：半导体层，该半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；金属化层，形成在半导体层的第二横向表面上，其中金属化层包括介电层。图像传感器器件还包括焊盘区域，从第一横向表面穿过半导体层到第二横向表面。焊盘区域包括形成在金属化层的介电层上的没有介于中间的氮化物层的氧化物层以及与金属化层的导电结构物理接触的焊盘结构。本发明的实施例还涉及图像传感器器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN111987115A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010453454.X
申请日：2020-05-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明描述了使用牺牲隔离区域和基于氧化硅的堆叠件而没有中间氮化物蚀刻停止层在图像传感器器件中形成焊盘结构。图像传感器器件包括：半导体层，该半导体层包括与第二横向表面相对的第一横向表面；金属化层，形成在半导体层的第二横向表面上，其中金属化层包括介电层。图像传感器器件还包括焊盘区域，从第一横向表面穿过半导体层到第二横向表面。焊盘区域包括形成在金属化层的介电层上的没有介于中间的氮化物层的氧化物层以及与金属化层的导电结构物理接触的焊盘结构。本发明的实施例还涉及图像传感器器件及其形成方法。
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