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公开(公告)号：CN116364644A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310422820.9
申请日：2019-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/683
Abstract: 本申请实施例涉及用于形成薄的绝缘体上半导体SOI衬底的方法。本申请案的各种实施例涉及一种以低成本且以低总厚度变动TTV形成薄的绝缘体上半导体SOI衬底的方法。在一些实施例中，在牺牲衬底上外延形成蚀刻停止层。装置层外延形成于所述蚀刻停止层上且具有不同于所述蚀刻停止层的结晶晶格。将所述牺牲衬底接合到处置衬底，使得所述装置层及所述蚀刻停止层处于所述牺牲衬底与所述处置衬底之间。去除所述牺牲衬底。使蚀刻执行到所述蚀刻停止层中以去除所述蚀刻停止层。使用包括氢氟酸、过氧化氢及乙酸的蚀刻剂来执行所述蚀刻。
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公开(公告)号：CN114267632A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110259090.6
申请日：2021-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种集成芯片(IC)，包括：导电结构，沿着半导体衬底的第一侧设置在介电结构内；绝缘结构，沿着所述半导体衬底的内侧壁设置，所述半导体衬底的所述内侧壁延伸穿过所述半导体衬底；阻挡层，沿着所述绝缘结构的内侧壁设置；以及衬底穿孔(TSV)，包括第一部分及第二部分，所述第一部分从所述半导体衬底的第二侧延伸到从所述绝缘结构的所述内侧壁向外突出的所述绝缘结构的水平延伸表面，所述第二部分从所述第一部分延伸到所述导电结构，并且所述第二部分的最大宽度小于所述第一部分的最大宽度。
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公开(公告)号：CN113314549A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010706218.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种具有设置在衬底内的光电探测器的图像传感器。衬底具有前侧表面及后侧表面。吸收增强结构沿衬底的后侧表面设置且上覆在光电探测器上。吸收增强结构包括从衬底的后侧表面向外延伸的多个突起。所述多个突起中的每一突起包括相对的弯曲侧壁。
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公开(公告)号：CN112750813A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010513477.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括电阻器结构的集成芯片。电阻层上覆在衬底之上。电阻器结构上覆在衬底之上。电阻器结构包括电阻层的电阻器区段及上覆在电阻器区段之上的导通孔结构。环结构封闭电阻器结构。环结构从导电结构上方的第一点连续延伸到电阻层的底表面下方的第二点。
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公开(公告)号：CN107039331B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201611030074.5
申请日：2016-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离STI，其包括至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一部分，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分是与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及受到所述STI包围的孔洞，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110400774A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201910118027.3
申请日：2019-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/683
Abstract: 本申请案的各种实施例涉及一种以低成本且以低总厚度变动TTV形成薄的绝缘体上半导体SOI衬底的方法。在一些实施例中，在牺牲衬底上外延形成蚀刻停止层。装置层外延形成于所述蚀刻停止层上且具有不同于所述蚀刻停止层的结晶晶格。将所述牺牲衬底接合到处置衬底，使得所述装置层及所述蚀刻停止层处于所述牺牲衬底与所述处置衬底之间。去除所述牺牲衬底。使蚀刻执行到所述蚀刻停止层中以去除所述蚀刻停止层。使用包括氢氟酸、过氧化氢及乙酸的蚀刻剂来执行所述蚀刻。
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公开(公告)号：CN104425453B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310687197.6
申请日：2013-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76805 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2225/06544 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种互连装置及其形成方法。将两个衬底（诸如晶圆、管芯、或晶圆和管芯）接合在一起。使用第一掩模形成部分地延伸至形成在第一晶圆上的互连件的第一开口。形成介电衬层，然后使用相同的掩模实施另一个蚀刻工艺。继续蚀刻工艺以暴露出形成在第一衬底和第二衬底上的互连件。用导电材料填充开口以形成导电插塞。本发明还公开了3DIC互连装置和方法。
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公开(公告)号：CN107039331A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611030074.5
申请日：2016-11-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离STI，其包括至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一部分，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分是与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及受到所述STI包围的孔洞，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分中。
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公开(公告)号：CN102142399A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010169912.3
申请日：2010-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12 , H01L27/222
Abstract: 本发明提供一种集成电路结构的制造方法，包括：形成一下电极层于一基板上；形成多层磁性穿隧结层于该下电极层上；图案化所述多层磁性穿隧结层，以形成一磁性穿隧结堆叠；形成一介电层于该磁性穿隧结堆叠，形成一开口于该介电层中，以露出部分该磁性穿隧结堆叠；填入一上电极材料于该开口；以及对该上电极材料实施一平坦化步骤。于实施该平坦化步骤后，图案化该上电极材料与该介电层，其中于该开口中的一第一部分该上电极材料形成一上电极，而于该介电层上的一第二部分该上电极材料形成一金属条，连接该上电极层。本发明上电极与金属条之间的接触电阻低，且其接触电阻的变化也低。
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公开(公告)号：CN112310128B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201911074862.8
申请日：2019-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括电荷释放层的图像传感器。光探测器设置在半导体衬底内。刻蚀停止层上覆在光探测器上。滤色片上覆在刻蚀停止层上。介电栅格结构环绕滤色片。电荷释放层夹置在介电栅格结构与刻蚀停止层之间。电荷释放层环绕滤色片且包含导电材料。电荷释放层直接接触滤色片。
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