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公开(公告)号：CN110660817A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910184019.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN108987419A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710833697.4
申请日：2017-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例提供一种具有高量子效率的图像传感器。在一些实施例中，半导体衬底包括非多孔性半导体层，所述非多孔性半导体层是沿着所述半导体衬底的前侧。周期性结构是沿着所述半导体衬底的后侧。高吸收性层在所述半导体衬底的所述后侧上对所述周期性结构进行衬覆。所述高吸收性层是能量带隙小于所述非多孔性半导体层的能量带隙的半导体材料。光检测器位于所述半导体衬底及所述高吸收性层中。本发明实施例还提供一种制造图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN108122935B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710701757.7
申请日：2017-08-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及具有减小图像传感器芯片的像素区之间的串扰的栅格结构的图像传感器集成芯片。在一些实施例中，集成芯片具有布置在衬底内的图像感测元件。沿着衬底的背侧设置吸收增强结构。在吸收增强结构上方布置栅格结构。栅格结构限定布置在图像感测元件上方的开口并且从吸收增强结构上方延伸至吸收增强结构内的位置。通过使栅格结构延伸到吸收增强结构中，栅格结构能够通过阻挡从吸收增强结构的非平坦表面反射的辐射移动至相邻的像素区来减少相邻图像感测元件之间的串扰。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN106257633B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201610055864.2
申请日：2016-01-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L21/3083 , H01L21/76232 , H01L29/0653 , H01L29/1045 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。
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公开(公告)号：CN106257633A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610055864.2
申请日：2016-01-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L21/3083 , H01L21/76232 , H01L29/0653 , H01L29/1045 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L29/66681 , H01L29/0649 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/7816
Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110660817B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910184019.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN108987419B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710833697.4
申请日：2017-09-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明实施例提供一种具有高量子效率的图像传感器。在一些实施例中，半导体衬底包括非多孔性半导体层，所述非多孔性半导体层是沿着所述半导体衬底的前侧。周期性结构是沿着所述半导体衬底的后侧。高吸收性层在所述半导体衬底的所述后侧上对所述周期性结构进行衬覆。所述高吸收性层是能量带隙小于所述非多孔性半导体层的能量带隙的半导体材料。光检测器位于所述半导体衬底及所述高吸收性层中。本发明实施例还提供一种制造图像传感器的方法。
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公开(公告)号：CN108183112B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711217049.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种集成芯片，该集成芯片具有：感光元件，布置在衬底内；吸收增强结构，沿着衬底的背侧布置；和互连结构，沿着衬底的前侧布置；反射结构，包括介电结构和与介电结构匹配地接合的多个半导体柱。介电结构和半导体柱沿着衬底的前侧布置并且在感光元件与互连结构之间间隔开。多个半导体柱和介电结构共同配置为在入射光撞击互连结构之前将已经穿过吸收增强结构并穿过感光元件的入射光反射回感光元件。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN109786402B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810721617.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了具有吸收增强半导体层的图像传感器。在一些实施例中，图像传感器包括：堆叠的前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层。吸收增强半导体层堆叠在前侧半导体层和背侧半导体层之间。吸收增强半导体层具有小于前侧半导体层的能带隙。此外，图像传感器包括多个突起和光电探测器。突起由背侧半导体层限定，并且光电探测器由前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层限定。
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公开(公告)号：CN108183112A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711217049.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种集成芯片，该集成芯片具有：感光元件，布置在衬底内；吸收增强结构，沿着衬底的背侧布置；和互连结构，沿着衬底的前侧布置；反射结构，包括介电结构和与介电结构匹配地接合的多个半导体柱。介电结构和半导体柱沿着衬底的前侧布置并且在感光元件与互连结构之间间隔开。多个半导体柱和介电结构共同配置为在入射光撞击互连结构之前将已经穿过吸收增强结构并穿过感光元件的入射光反射回感光元件。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。
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