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公开(公告)号：CN108183112A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711217049.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种集成芯片，该集成芯片具有：感光元件，布置在衬底内；吸收增强结构，沿着衬底的背侧布置；和互连结构，沿着衬底的前侧布置；反射结构，包括介电结构和与介电结构匹配地接合的多个半导体柱。介电结构和半导体柱沿着衬底的前侧布置并且在感光元件与互连结构之间间隔开。多个半导体柱和介电结构共同配置为在入射光撞击互连结构之前将已经穿过吸收增强结构并穿过感光元件的入射光反射回感光元件。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN113206060B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202110068123.9
申请日：2021-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明的一部分涉及一种电感器结构及形成其的方法，所述电感器结构包括：刻蚀停止层，布置在内连结构之上，内连结构上覆在衬底上。磁性结构包括布置在刻蚀停止层之上的多个堆叠层。磁性结构包括比最顶层宽的最底层。第一导电配线与第二导电配线在磁性结构之上平行地延伸。磁性结构被配置成修改由第一导电配线及第二导电配线产生的磁场。图案增强层布置在磁性结构的最底层与刻蚀停止层之间。图案增强层具有第一厚度，且磁性结构的最底层具有小于第一厚度的第二厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108183112B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711217049.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种集成芯片，该集成芯片具有：感光元件，布置在衬底内；吸收增强结构，沿着衬底的背侧布置；和互连结构，沿着衬底的前侧布置；反射结构，包括介电结构和与介电结构匹配地接合的多个半导体柱。介电结构和半导体柱沿着衬底的前侧布置并且在感光元件与互连结构之间间隔开。多个半导体柱和介电结构共同配置为在入射光撞击互连结构之前将已经穿过吸收增强结构并穿过感光元件的入射光反射回感光元件。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。
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公开(公告)号：CN109411491A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810940085.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明一些实施例关于具有沿着基板的第一表面的层间介电结构的集成芯片，且基板具有光检测器。蚀刻停止层位于层间介电结构上，而蚀刻停止层与层间介电结构围绕反射器。反射器具有的弧形表面面对基板并直接位于光检测器上。弧形表面耦接于反射器的第一侧壁与第二侧壁之间。反射器沿着第一侧壁与第二侧壁的厚度，大于反射器的中心厚度，且反射器的中心位于第一侧壁与第二侧壁之间。
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公开(公告)号：CN109411491B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201810940085.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明一些实施例关于具有沿着基板的第一表面的层间介电结构的集成芯片，且基板具有光检测器。蚀刻停止层位于层间介电结构上，而蚀刻停止层与层间介电结构围绕反射器。反射器具有的弧形表面面对基板并直接位于光检测器上。弧形表面耦接于反射器的第一侧壁与第二侧壁之间。反射器沿着第一侧壁与第二侧壁的厚度，大于反射器的中心厚度，且反射器的中心位于第一侧壁与第二侧壁之间。
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公开(公告)号：CN113206060A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110068123.9
申请日：2021-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明的一部分涉及一种电感器结构及形成其的方法，所述电感器结构包括：刻蚀停止层，布置在内连结构之上，内连结构上覆在衬底上。磁性结构包括布置在刻蚀停止层之上的多个堆叠层。磁性结构包括比最顶层宽的最底层。第一导电配线与第二导电配线在磁性结构之上平行地延伸。磁性结构被配置成修改由第一导电配线及第二导电配线产生的磁场。图案增强层布置在磁性结构的最底层与刻蚀停止层之间。图案增强层具有第一厚度，且磁性结构的最底层具有小于第一厚度的第二厚度。
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公开(公告)号：CN115394679A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210079064.X
申请日：2022-01-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于收集可固化材料的残留物的半导体设备和方法。半导体设备包括包含晶片匣的腔室以及设置在腔室中以用于在腔室中收集可固化材料的残留物的收集模块。收集模块包括设置在腔室的顶板下面的导流结构、设置在导流结构下面的挡板结构以及设置在晶片匣上的托盘。导流结构包括第一中空区，挡板结构包括第二中空区，托盘与晶片匣一起移动以穿过挡板结构的第二中空区并定位成覆盖导流结构的第一中空区。
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