公开(公告)号：CN108183112A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711217049.2

申请日：2017-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄柏翰 ,  杜建男 ,  温启元 ,  吴明锜 ,  叶玉隆 ,  郭馨贻

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及一种集成芯片，该集成芯片具有：感光元件，布置在衬底内；吸收增强结构，沿着衬底的背侧布置；和互连结构，沿着衬底的前侧布置；反射结构，包括介电结构和与介电结构匹配地接合的多个半导体柱。介电结构和半导体柱沿着衬底的前侧布置并且在感光元件与互连结构之间间隔开。多个半导体柱和介电结构共同配置为在入射光撞击互连结构之前将已经穿过吸收增强结构并穿过感光元件的入射光反射回感光元件。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN108183112B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201711217049.2

申请日：2017-11-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄柏翰 ,  杜建男 ,  温启元 ,  吴明锜 ,  叶玉隆 ,  郭馨贻

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及一种集成芯片，该集成芯片具有：感光元件，布置在衬底内；吸收增强结构，沿着衬底的背侧布置；和互连结构，沿着衬底的前侧布置；反射结构，包括介电结构和与介电结构匹配地接合的多个半导体柱。介电结构和半导体柱沿着衬底的前侧布置并且在感光元件与互连结构之间间隔开。多个半导体柱和介电结构共同配置为在入射光撞击互连结构之前将已经穿过吸收增强结构并穿过感光元件的入射光反射回感光元件。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN108122935B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201710701757.7

申请日：2017-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温启元 ,  杜建男 ,  吴明锜 ,  叶玉隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及具有减小图像传感器芯片的像素区之间的串扰的栅格结构的图像传感器集成芯片。在一些实施例中，集成芯片具有布置在衬底内的图像感测元件。沿着衬底的背侧设置吸收增强结构。在吸收增强结构上方布置栅格结构。栅格结构限定布置在图像感测元件上方的开口并且从吸收增强结构上方延伸至吸收增强结构内的位置。通过使栅格结构延伸到吸收增强结构中，栅格结构能够通过阻挡从吸收增强结构的非平坦表面反射的辐射移动至相邻的像素区来减少相邻图像感测元件之间的串扰。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN106257633B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN106257633A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN107039331B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201611030074.5

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏庆忠 ,  卢玠甫 ,  吴健 ,  薛哲翔 ,  吴明锜 ,  温启元 ,  方俊杰 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离STI，其包括至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一部分，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分是与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及受到所述STI包围的孔洞，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分中。

公开(公告)号：CN108122935A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710701757.7

申请日：2017-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温启元 ,  杜建男 ,  吴明锜 ,  叶玉隆

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及具有减小图像传感器芯片的像素区之间的串扰的栅格结构的图像传感器集成芯片。在一些实施例中，集成芯片具有布置在衬底内的图像感测元件。沿着衬底的背侧设置吸收增强结构。在吸收增强结构上方布置栅格结构。栅格结构限定布置在图像感测元件上方的开口并且从吸收增强结构上方延伸至吸收增强结构内的位置。通过使栅格结构延伸到吸收增强结构中，栅格结构能够通过阻挡从吸收增强结构的非平坦表面反射的辐射移动至相邻的像素区来减少相邻图像感测元件之间的串扰。本发明的实施例还涉及形成图像传感器集成芯片的方法。

公开(公告)号：CN107039331A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611030074.5

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏庆忠 ,  卢玠甫 ,  吴健 ,  薛哲翔 ,  吴明锜 ,  温启元 ,  方俊杰 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离STI，其包括至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一部分，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分是与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及受到所述STI包围的孔洞，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分中。