公开(公告)号：CN106257633B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN106257633A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN106057837A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510767767.1

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建彰 ,  黄为栋 ,  许雁翔 ,  叶玉隆 ,  方俊杰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括载体、衬底、感光器件和接合层。衬底位于载体上面，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。衬底包括第二表面中的倒金字塔形的凹槽。感光器件设置在衬底的第一表面上。接合层设置在衬底与载体之间。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN110660817B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201910184019.9

申请日：2019-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明锜 ,  方俊杰 ,  苏柏菖 ,  杜建男 ,  叶玉隆 ,  林坤佑 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN110660817A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910184019.9

申请日：2019-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明锜 ,  方俊杰 ,  苏柏菖 ,  杜建男 ,  叶玉隆 ,  林坤佑 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106057837B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201510767767.1

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建彰 ,  黄为栋 ,  许雁翔 ,  叶玉隆 ,  方俊杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括载体、衬底、感光器件和接合层。衬底位于载体上面，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。衬底包括第二表面中的倒金字塔形的凹槽。感光器件设置在衬底的第一表面上。接合层设置在衬底与载体之间。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107039331B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201611030074.5

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏庆忠 ,  卢玠甫 ,  吴健 ,  薛哲翔 ,  吴明锜 ,  温启元 ,  方俊杰 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离STI，其包括至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一部分，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分是与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及受到所述STI包围的孔洞，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分中。

公开(公告)号：CN107039331A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611030074.5

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏庆忠 ,  卢玠甫 ,  吴健 ,  薛哲翔 ,  吴明锜 ,  温启元 ,  方俊杰 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括半导体衬底，其包括第一表面以及与所述第一表面对立的第二表面；浅沟槽隔离STI，其包括至少部分位于所述半导体衬底内并且从所述第一表面朝向所述第二表面变窄的第一部分，以及位于所述半导体衬底内的第二部分，所述第二部分是与所述第一部分耦合并且从所述第一部分朝向所述第二表面延伸；以及受到所述STI包围的孔洞，其中所述孔洞至少部分位于所述STI的所述第二部分中。