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公开(公告)号：CN109786402B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810721617.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了具有吸收增强半导体层的图像传感器。在一些实施例中，图像传感器包括：堆叠的前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层。吸收增强半导体层堆叠在前侧半导体层和背侧半导体层之间。吸收增强半导体层具有小于前侧半导体层的能带隙。此外，图像传感器包括多个突起和光电探测器。突起由背侧半导体层限定，并且光电探测器由前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层限定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110660817A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910184019.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102683321B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210038062.2
申请日：2012-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/5227 , H01L23/5283 , H01L2224/13 , H01L2924/10158
Abstract: 器件包括顶部金属层；在顶部金属层上方并且具有第一厚度的UTM线；在UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层。第二厚度与第一厚度的比值小于约0.33。
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公开(公告)号：CN110660817B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910184019.9
申请日：2019-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109786402A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810721617.0
申请日：2018-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了具有吸收增强半导体层的图像传感器。在一些实施例中，图像传感器包括：堆叠的前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层。吸收增强半导体层堆叠在前侧半导体层和背侧半导体层之间。吸收增强半导体层具有小于前侧半导体层的能带隙。此外，图像传感器包括多个突起和光电探测器。突起由背侧半导体层限定，并且光电探测器由前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层限定。
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公开(公告)号：CN102683321A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210038062.2
申请日：2012-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/76885 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/5227 , H01L23/5283 , H01L2224/13 , H01L2924/10158
Abstract: 防止超厚金属上钝化层的破裂。器件包括顶部金属层；在顶部金属层上方并且具有第一厚度的UTM线；在UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层。第二厚度与第一厚度的比值小于约0.33。
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