公开(公告)号：CN102683321A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210038062.2

申请日：2012-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈郁文 ,  谢宗翰 ,  林坤佑 ,  蔡冠智

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/10158

Abstract: 防止超厚金属上钝化层的破裂。器件包括顶部金属层；在顶部金属层上方并且具有第一厚度的UTM线；在UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层。第二厚度与第一厚度的比值小于约0.33。

公开(公告)号：CN101359688A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200710198800.9

申请日：2007-12-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈郁文 ,  陈富信 ,  黄宗义 ,  蔡泳田

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/7817

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包含位于衬底上的源极区和漏极区，其中源极区和漏极区掺杂第一种掺杂剂；在衬底上的源极区和漏极区之间形成的栅电极；在衬底上形成的栅间隙壁，栅间隙壁介于源极区和栅电极之间且紧邻栅电极；以及在栅间隙壁之中埋入的导电结构。

公开(公告)号：CN102683321B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210038062.2

申请日：2012-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈郁文 ,  谢宗翰 ,  林坤佑 ,  蔡冠智

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5283 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/10158

Abstract: 器件包括顶部金属层；在顶部金属层上方并且具有第一厚度的UTM线；在UTM线上方并且具有第二厚度的钝化层。第二厚度与第一厚度的比值小于约0.33。