公开(公告)号：CN111834383A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010607629.8

申请日：2014-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜建男 ,  叶玉隆 ,  林杏芝 ,  黄建彰 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，用于感测入射光，并且该半导体器件包括衬底、器件层、半导体层和滤色镜层。器件层设置在衬底上并且包括感光区域。半导体层覆盖器件层并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面邻近器件层。半导体层包括位于第二表面上的微结构。滤色镜层设置在半导体层的第二表面上。本发明还提出了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104952892B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201410682658.5

申请日：2014-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜建男 ,  叶玉隆 ,  林杏芝 ,  黄建彰 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，用于感测入射光，并且该半导体器件包括衬底、器件层、半导体层和滤色镜层。器件层设置在衬底上并且包括感光区域。半导体层覆盖器件层并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一表面邻近器件层。半导体层包括位于第二表面上的微结构。滤色镜层设置在半导体层的第二表面上。本发明还提出了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106257633B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN106257633A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN1222040C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02119729.6

申请日：2002-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许荣显 ,  曾健庭 ,  周宏昕 ,  陈世雄

IPC: H01L27/112 ,  H01L21/8246 ,  G11C17/08

Abstract: 本发明的罩幕式只读存储器包括：彼此互相平行的第一埋入式N型掺杂层和第二埋入式N型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极；其中第一埋入式N型掺杂层的第一端延伸至周边电路区，且第一接触窗配置于此；第二埋入式N型掺杂层的第二端亦延伸至周边电路区，且第二接触窗配置于此；第一埋入式N型掺杂层的第一端与第二埋入式N型掺杂层的第一端同侧，且第一埋入式N型掺杂层的第二端与第二埋入式N型掺杂层的第二端同侧。

公开(公告)号：CN109786402B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201810721617.0

申请日：2018-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明锜 ,  杜建男 ,  林坤佑 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了具有吸收增强半导体层的图像传感器。在一些实施例中，图像传感器包括：堆叠的前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层。吸收增强半导体层堆叠在前侧半导体层和背侧半导体层之间。吸收增强半导体层具有小于前侧半导体层的能带隙。此外，图像传感器包括多个突起和光电探测器。突起由背侧半导体层限定，并且光电探测器由前侧半导体层、吸收增强半导体层和背侧半导体层限定。

公开(公告)号：CN106486496A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610769963.7

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐咏恩 ,  蔡冠智 ,  郑国裕 ,  陈耕佑 ,  陈世雄 ,  陈少宇 ,  蔡维恭 ,  叶玉隆

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  H01L27/1207 ,  H01L21/7624

Abstract: 本公开涉及一种半导体衬底，其包括第一硅层，第一硅层包括上表面，该上表面具有相对于上表面垂直延伸的突起部。隔离层被布置在上表面上方且在界面处与第一硅层交集，并且第二硅层布置在隔离层上方。还提供了一种制造半导体衬底的方法。本发明还提供了一种集成电路以及形成绝缘体上硅(SOI)衬底的方法。

公开(公告)号：CN100480429C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610064861.1

申请日：2006-03-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈斐筠 ,  吴子扬 ,  陈世雄

IPC: C23F1/24

CPC classification number: C03C15/00 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00476 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明提供一种蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法。本发明的蚀刻含硅材料的物质的方法，包括：对一硅材料提供一含胺蚀刻剂；以及蚀刻该硅材料。本发明的形成微机械结构的方法包括：提供至少一微机械结构层于一基底上方，微机械结构层是被一牺牲硅层所支撑着；利用一含胺蚀刻剂同时地蚀刻牺牲硅层以及前段步骤所造成的聚合物残留物。也就是说，本发明在使用含胺蚀刻剂的后段清洁程序中，一并去除牺牲层以及聚合物残留物，而不需增加额外的蚀刻制程。

公开(公告)号：CN1834292A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610064861.1

申请日：2006-03-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈斐筠 ,  吴子扬 ,  陈世雄

IPC: C23F1/24

CPC classification number: C03C15/00 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00476 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/32134

Abstract: 本发明提供一种蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法。本发明的蚀刻含硅材料的物质的方法，包括：对一硅材料提供一含胺蚀刻剂；以及蚀刻该硅材料。本发明的形成微机械结构的方法包括：提供至少一微机械结构层于一基底上方，微机械结构层是被一牺牲硅层所支撑着；利用一含胺蚀刻剂同时地蚀刻牺牲硅层以及前段步骤所造成的聚合物残留物。也就是说，本发明在使用含胺蚀刻剂的后段清洁程序中，一并去除牺牲层以及聚合物残留物，而不需增加额外的蚀刻制程。

公开(公告)号：CN110660817B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201910184019.9

申请日：2019-03-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴明锜 ,  方俊杰 ,  苏柏菖 ,  杜建男 ,  叶玉隆 ,  林坤佑 ,  陈世雄

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，将介电层填充到沟槽中，其中，在沟槽中和介电层的相对部分之间形成空隙，蚀刻介电层以暴露空隙，在介电层上形成扩散阻挡层，以及在扩散阻挡层上形成高反射率金属层。高反射率金属层具有延伸到沟槽中的部分。通过高反射率金属层包围空隙的剩余部分。本发明的实施例还提供了抗裂缝的深沟槽隔离结构、图像传感器结构及其形成方法。