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公开(公告)号：CN106486496A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610769963.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/11573 , H01L21/84 , H01L27/11575 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/4234 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L27/1207 , H01L21/7624
Abstract: 本公开涉及一种半导体衬底，其包括第一硅层，第一硅层包括上表面，该上表面具有相对于上表面垂直延伸的突起部。隔离层被布置在上表面上方且在界面处与第一硅层交集，并且第二硅层布置在隔离层上方。还提供了一种制造半导体衬底的方法。本发明还提供了一种集成电路以及形成绝缘体上硅(SOI)衬底的方法。
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公开(公告)号：CN106601753A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610786074.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/683
Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种半导体器件。半导体器件包括衬底，衬底包括设置在绝缘层上方的硅层。衬底包括晶体管器件区域和射频(RF)区域。互连结构设置在衬底上方并且包括设置在介电结构内的多个金属层。处理衬底设置在互连结构的上表面上方。捕获层使互连结构与处理衬底分离。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN104795384A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410268268.3
申请日：2014-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/31144 , H01L21/743 , H01L21/76816 , H01L21/84 , H01L23/585 , H01L27/0248 , H01L29/0607 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件结构包括衬底，且该衬底具有器件区和边缘区。半导体器件结构也包括形成在衬底上的硅层和形成在硅层上的晶体管。晶体管形成在衬底的器件区。半导体器件结构还包括形成在硅层中的金属环。该金属环形成在衬底的边缘区，且该金属环环绕晶体管。
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公开(公告)号：CN106601753B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201610786074.1
申请日：2016-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/683
Abstract: 本发明的一些实施例涉及一种半导体器件。半导体器件包括衬底，衬底包括设置在绝缘层上方的硅层。衬底包括晶体管器件区域和射频(RF)区域。互连结构设置在衬底上方并且包括设置在介电结构内的多个金属层。处理衬底设置在互连结构的上表面上方。捕获层使互连结构与处理衬底分离。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN104795384B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410268268.3
申请日：2014-06-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/31144 , H01L21/743 , H01L21/76816 , H01L21/84 , H01L23/585 , H01L27/0248 , H01L29/0607 , H01L2924/0002 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件结构包括衬底，且该衬底具有器件区和边缘区。半导体器件结构也包括形成在衬底上的硅层和形成在硅层上的晶体管。晶体管形成在衬底的器件区。半导体器件结构还包括形成在硅层中的金属环。该金属环形成在衬底的边缘区，且该金属环环绕晶体管。
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