公开(公告)号：CN106486496A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610769963.7

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐咏恩 ,  蔡冠智 ,  郑国裕 ,  陈耕佑 ,  陈世雄 ,  陈少宇 ,  蔡维恭 ,  叶玉隆

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  H01L27/1207 ,  H01L21/7624

Abstract: 本公开涉及一种半导体衬底，其包括第一硅层，第一硅层包括上表面，该上表面具有相对于上表面垂直延伸的突起部。隔离层被布置在上表面上方且在界面处与第一硅层交集，并且第二硅层布置在隔离层上方。还提供了一种制造半导体衬底的方法。本发明还提供了一种集成电路以及形成绝缘体上硅(SOI)衬底的方法。