公开(公告)号：CN1222040C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02119729.6

申请日：2002-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许荣显 ,  曾健庭 ,  周宏昕 ,  陈世雄

IPC: H01L27/112 ,  H01L21/8246 ,  G11C17/08

Abstract: 本发明的罩幕式只读存储器包括：彼此互相平行的第一埋入式N型掺杂层和第二埋入式N型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极；其中第一埋入式N型掺杂层的第一端延伸至周边电路区，且第一接触窗配置于此；第二埋入式N型掺杂层的第二端亦延伸至周边电路区，且第二接触窗配置于此；第一埋入式N型掺杂层的第一端与第二埋入式N型掺杂层的第一端同侧，且第一埋入式N型掺杂层的第二端与第二埋入式N型掺杂层的第二端同侧。

公开(公告)号：CN1459865A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02119729.6

申请日：2002-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许荣显 ,  曾健庭 ,  周宏昕 ,  陈世雄

IPC: H01L27/112 ,  H01L21/8246 ,  G11C17/08

Abstract: 本发明的罩幕式只读存储器包括：彼此互相平行的第一埋入式N型掺杂层和第二埋入式N型掺杂层、分别与其相对应的第一接触窗和第二接触窗、以及与其垂直的闸极；其中第一埋入式N型掺杂层的第一端延伸至周边电路区，且第一接触窗配置于此；第二埋入式N型掺杂层的第二端亦延伸至周边电路区，且第二接触窗配置于此；第一埋入式N型掺杂层的第一端与第二埋入式N型掺杂层的第一端同侧，且第一埋入式N型掺杂层的第二端与第二埋入式N型掺杂层的第二端同侧。