公开(公告)号：CN103489883B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310134088.1

申请日：2013-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈愉婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  施宇豪 ,  王志谦 ,  周世培 ,  黄为栋 ,  吴政达

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了图像器件及其形成方法，其中图像传感器器件包括具有像素区和外围区的衬底。在外围区中蚀刻多个沟槽。第一沟槽的每一个均具有深度D1。在衬底上方形成掩模层。在像素区中，掩模层具有多个开口。间隔件形成在每个开口的内表面中。通过像素区中具有间隔件的每个开口蚀刻多个第二沟槽。第二沟槽的每一个均具有深度D2。深度D1大于深度D2。

公开(公告)号：CN102683339B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110288597.0

申请日：2011-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄为栋 ,  郭俊聪 ,  刘世昌 ,  杜友伦

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

Abstract: 一种集成电路包括布置在衬底上的双极型晶体管。该双极型晶体管包括布置在至少一个含锗层周围的基极电极。发射极电极布置在至少一个含锗层上。至少一个隔离结构布置在发射极电极和至少一个含锗层之间。至少一个隔离结构的顶面布置在发射极电极的顶面和至少一个含锗层的顶面之间并且使二者电隔离。本发明还提供了包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法。

公开(公告)号：CN102683339A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201110288597.0

申请日：2011-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄为栋 ,  郭俊聪 ,  刘世昌 ,  杜友伦

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L21/8249 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7378

Abstract: 一种集成电路包括布置在衬底上的双极型晶体管。该双极型晶体管包括布置在至少一个含锗层周围的基极电极。发射极电极布置在至少一个含锗层上。至少一个隔离结构布置在发射极电极和至少一个含锗层之间。至少一个隔离结构的顶面布置在发射极电极的顶面和至少一个含锗层的顶面之间并且使二者电隔离。本发明还提供了包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法。

公开(公告)号：CN106257633B

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN106257633A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610055864.2

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 方俊杰 ,  黄建彰 ,  温启元 ,  吴健 ,  吴明锜 ,  郑容裕 ,  陈世雄 ,  黄为栋 ,  叶玉隆

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7816

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体结构，其包括：半导体衬底、第一阱区、第二阱区、有源区、浅沟槽隔离件(STI)和至少一个深沟槽隔离件(DTI)。第一导电类型的第一阱区位于半导体衬底上。第二导电类型的第二阱区位于半导体衬底上并且邻近第一阱区。第二导电类型与第一导电类型不同。有源区位于第一阱区上。有源区的导电类型与第二阱区的第二导电类型相同。STI位于第一阱区和第二阱区之间。DTI位于STI下方。DTI设置在第一阱区的至少部分和第二阱区的至少部分之间。本发明实施例涉及具有结泄漏减少的半导体结构。

公开(公告)号：CN106057837A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510767767.1

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建彰 ,  黄为栋 ,  许雁翔 ,  叶玉隆 ,  方俊杰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括载体、衬底、感光器件和接合层。衬底位于载体上面，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。衬底包括第二表面中的倒金字塔形的凹槽。感光器件设置在衬底的第一表面上。接合层设置在衬底与载体之间。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106057837B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201510767767.1

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄建彰 ,  黄为栋 ,  许雁翔 ,  叶玉隆 ,  方俊杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括载体、衬底、感光器件和接合层。衬底位于载体上面，并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。衬底包括第二表面中的倒金字塔形的凹槽。感光器件设置在衬底的第一表面上。接合层设置在衬底与载体之间。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103489883A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201310134088.1

申请日：2013-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈愉婷 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  施宇豪 ,  王志谦 ,  周世培 ,  黄为栋 ,  吴政达

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0334 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了图像器件及其形成方法，其中图像传感器器件包括具有像素区和外围区的衬底。在外围区中蚀刻多个沟槽。第一沟槽的每一个均具有深度D1。在衬底上方形成掩模层。在像素区中，掩模层具有多个开口。间隔件形成在每个开口的内表面中。通过像素区中具有间隔件的每个开口蚀刻多个第二沟槽。第二沟槽的每一个均具有深度D2。深度D1大于深度D2。