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公开(公告)号：CN109273463A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201711248436.2
申请日：2017-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/26513 , H01L21/3086 , H01L21/761 , H01L27/14683 , H01L27/14687
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供用于形成基底制造的图案的技术的各种范例。在一范例中，方法包括接收基底。形成图案化光致抗蚀剂于基底上，图案化光致抗蚀剂具有定义于其中的沟槽。沉积电介质于图案化光致抗蚀剂上以及沟槽内，电介质从而使沟槽的宽度变窄以进一步定义沟槽。对由电介质所定义的沟槽下方的基底的区域进行制造工艺。
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公开(公告)号：CN103489883B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310134088.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了图像器件及其形成方法，其中图像传感器器件包括具有像素区和外围区的衬底。在外围区中蚀刻多个沟槽。第一沟槽的每一个均具有深度D1。在衬底上方形成掩模层。在像素区中，掩模层具有多个开口。间隔件形成在每个开口的内表面中。通过像素区中具有间隔件的每个开口蚀刻多个第二沟槽。第二沟槽的每一个均具有深度D2。深度D1大于深度D2。
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公开(公告)号：CN103378111B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210490836.5
申请日：2012-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1464
Abstract: 本发明公开了一种方法，所述方法包括在半导体衬底的正面上形成多个图像传感器，以及在所述半导体衬底的背面上形成介电层。所述介电层在所述半导体衬底上方。对所述介电层图案化以形成多个栅格填充区，其中所述多个栅格填充区中的每一个覆盖所述多个图像传感器中的一个。在所述多个栅格填充区的顶面以及侧壁上形成金属层。对所述金属层进行蚀刻以去除所述金属层的水平部分，其中在所述蚀刻步骤之后保留了所述金属层的垂直部分从而形成金属栅格。将透明材料填充至所述金属栅格的栅格开口中。本发明还公开了一种背照式图像传感器芯片的金属栅格及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103489883A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310134088.1
申请日：2013-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0334 , H01L21/0337 , H01L27/14603 , H01L27/1464 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了图像器件及其形成方法，其中图像传感器器件包括具有像素区和外围区的衬底。在外围区中蚀刻多个沟槽。第一沟槽的每一个均具有深度D1。在衬底上方形成掩模层。在像素区中，掩模层具有多个开口。间隔件形成在每个开口的内表面中。通过像素区中具有间隔件的每个开口蚀刻多个第二沟槽。第二沟槽的每一个均具有深度D2。深度D1大于深度D2。
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公开(公告)号：CN104051259B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310582709.2
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/3105 , G03F7/16
Abstract: 本发明提供了用于执行与晶圆相关的旋涂工艺和在旋涂工艺期间控制光刻胶厚度的旋涂工艺的增厚阶段的一种或多种技术和系统。具体地，为了增加光刻胶的厚度，在旋涂工艺期间执行增厚阶段。例如，在增厚阶段期间，增加朝着晶圆提供的向下流动的气体的气体温度、向下流动的气体的流速和热量的热量温度。增加的向下流动的气体和热量增加了光刻胶的蒸发因素，这使得光刻胶的粘度和厚度增加。以这种方式，可以以相对较低的速度旋转晶圆，同时仍可获得期望的厚度。降低晶圆的转速允许稳定地旋转相对较大的晶圆。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051259A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310582709.2
申请日：2013-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/312 , H01L21/3105 , G03F7/16
CPC classification number: G03F7/168 , B05D1/005 , G03F7/162 , H01L21/6715 , H01L21/0274
Abstract: 本发明提供了用于执行与晶圆相关的旋涂工艺和在旋涂工艺期间控制光刻胶厚度的旋涂工艺的增厚阶段的一种或多种技术和系统。具体地，为了增加光刻胶的厚度，在旋涂工艺期间执行增厚阶段。例如，在增厚阶段期间，增加朝着晶圆提供的向下流动的气体的气体温度、向下流动的气体的流速和热量的热量温度。增加的向下流动的气体和热量增加了光刻胶的蒸发因素，这使得光刻胶的粘度和厚度增加。以这种方式，可以以相对较低的速度旋转晶圆，同时仍可获得期望的厚度。降低晶圆的转速允许稳定地旋转相对较大的晶圆。
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公开(公告)号：CN106935487B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610683813.4
申请日：2016-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种制造半导体装置的方法。包括：形成第一光阻图案及第二光阻图案于基板上方。第一光阻图案与第二光阻图案分隔一间隙。化学混合物被涂布在第一光阻图案及第二光阻图案上。化学混合物包含化学材料及混合至化学材料内的表面活性剂粒子。化学混合物填充间隙。对第一光阻图案及第二光阻图案执行烘烤制程，此烘烤制程造成间隙收缩。至少一些表面活性剂粒子配置在间隙的侧壁边界处。对第一光阻图案及第二光阻图案执行显影制程。显影制程移除间隙中及光阻图案上方的化学混合物。配置在间隙的侧壁边界处的表面活性剂粒子减少显影制程期间的毛细效应。
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公开(公告)号：CN106935487A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610683813.4
申请日：2016-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种制造半导体装置的方法。包括：形成第一光阻图案及第二光阻图案于基板上方。第一光阻图案与第二光阻图案分隔一间隙。化学混合物被涂布在第一光阻图案及第二光阻图案上。化学混合物包含化学材料及混合至化学材料内的表面活性剂粒子。化学混合物填充间隙。对第一光阻图案及第二光阻图案执行烘烤制程，此烘烤制程造成间隙收缩。至少一些表面活性剂粒子配置在间隙的侧壁边界处。对第一光阻图案及第二光阻图案执行显影制程。显影制程移除间隙中及光阻图案上方的化学混合物。配置在间隙的侧壁边界处的表面活性剂粒子减少显影制程期间的毛细效应。
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公开(公告)号：CN103378111A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210490836.5
申请日：2012-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1464
Abstract: 本发明公开了一种方法，所述方法包括在半导体衬底的正面上形成多个图像传感器，以及在所述半导体衬底的背面上形成介电层。所述介电层在所述半导体衬底上方。对所述介电层图案化以形成多个栅格填充区，其中所述多个栅格填充区中的每一个覆盖所述多个图像传感器中的一个。在所述多个栅格填充区的顶面以及侧壁上形成金属层。对所述金属层进行蚀刻以去除所述金属层的水平部分，其中在所述蚀刻步骤之后保留了所述金属层的垂直部分从而形成金属栅格。将透明材料填充至所述金属栅格的栅格开口中。本发明还公开了一种背照式图像传感器芯片的金属栅格及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109461700B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201711284349.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供一种制作半导体器件的方法及图像传感器器件。所述方法包括：使用具有第一图案的第一光掩模在第一光刻胶层中形成第一沟槽以暴露出衬底的第一表面；将离子经由第一沟槽引至暴露的第一表面中以在衬底中形成第一隔离区；移除第一光刻胶层；使用具有第二图案的第二光掩模在第二光刻胶层中形成第二沟槽以暴露出衬底的第二表面，第二图案相对于第一图案对角地偏移半个掩模间距；将离子经由第二沟槽引至暴露的第二表面中以在衬底中形成第二隔离区，第一隔离区与第二隔离区在衬底中交替地设置且第一隔离区与第二隔离区之间界定像素区；以及移除第二光刻胶层。
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