公开(公告)号：CN103378111A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210490836.5

申请日：2012-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志谦 ,  张浚威 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明公开了一种方法，所述方法包括在半导体衬底的正面上形成多个图像传感器，以及在所述半导体衬底的背面上形成介电层。所述介电层在所述半导体衬底上方。对所述介电层图案化以形成多个栅格填充区，其中所述多个栅格填充区中的每一个覆盖所述多个图像传感器中的一个。在所述多个栅格填充区的顶面以及侧壁上形成金属层。对所述金属层进行蚀刻以去除所述金属层的水平部分，其中在所述蚀刻步骤之后保留了所述金属层的垂直部分从而形成金属栅格。将透明材料填充至所述金属栅格的栅格开口中。本发明还公开了一种背照式图像传感器芯片的金属栅格及其形成方法。

公开(公告)号：CN103378111B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210490836.5

申请日：2012-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王志谦 ,  张浚威 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明公开了一种方法，所述方法包括在半导体衬底的正面上形成多个图像传感器，以及在所述半导体衬底的背面上形成介电层。所述介电层在所述半导体衬底上方。对所述介电层图案化以形成多个栅格填充区，其中所述多个栅格填充区中的每一个覆盖所述多个图像传感器中的一个。在所述多个栅格填充区的顶面以及侧壁上形成金属层。对所述金属层进行蚀刻以去除所述金属层的水平部分，其中在所述蚀刻步骤之后保留了所述金属层的垂直部分从而形成金属栅格。将透明材料填充至所述金属栅格的栅格开口中。本发明还公开了一种背照式图像传感器芯片的金属栅格及其形成方法。

公开(公告)号：CN104051259B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310582709.2

申请日：2013-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张浚威 ,  林佳洁 ,  王志谦 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/16

Abstract: 本发明提供了用于执行与晶圆相关的旋涂工艺和在旋涂工艺期间控制光刻胶厚度的旋涂工艺的增厚阶段的一种或多种技术和系统。具体地，为了增加光刻胶的厚度，在旋涂工艺期间执行增厚阶段。例如，在增厚阶段期间，增加朝着晶圆提供的向下流动的气体的气体温度、向下流动的气体的流速和热量的热量温度。增加的向下流动的气体和热量增加了光刻胶的蒸发因素，这使得光刻胶的粘度和厚度增加。以这种方式，可以以相对较低的速度旋转晶圆，同时仍可获得期望的厚度。降低晶圆的转速允许稳定地旋转相对较大的晶圆。

公开(公告)号：CN104051259A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310582709.2

申请日：2013-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张浚威 ,  林佳洁 ,  王志谦 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/16

CPC classification number: G03F7/168 ,  B05D1/005 ,  G03F7/162 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/0274

Abstract: 本发明提供了用于执行与晶圆相关的旋涂工艺和在旋涂工艺期间控制光刻胶厚度的旋涂工艺的增厚阶段的一种或多种技术和系统。具体地，为了增加光刻胶的厚度，在旋涂工艺期间执行增厚阶段。例如，在增厚阶段期间，增加朝着晶圆提供的向下流动的气体的气体温度、向下流动的气体的流速和热量的热量温度。增加的向下流动的气体和热量增加了光刻胶的蒸发因素，这使得光刻胶的粘度和厚度增加。以这种方式，可以以相对较低的速度旋转晶圆，同时仍可获得期望的厚度。降低晶圆的转速允许稳定地旋转相对较大的晶圆。

公开(公告)号：CN103681252A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210553745.1

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊璋 ,  杨舜升 ,  吴权陵 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332

Abstract: 本发明公开了一种制成半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括提供具有彼此相邻的两个不同构型的区域的衬底。在衬底的上方沉积阶梯成形材料(SFM)。在两个区域中的低构型的区域中形成图案化的SFM。图案化SFM的形成提供穿过衬底的很平的表面。

公开(公告)号：CN103390540A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210382915.4

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫俊昌 ,  陈俊璋 ,  吴权陵 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0206 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开了一种方法，包括在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件。在半导体衬底上形成化学材料涂层。该化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间。然后清洗该半导体衬底；该清洗从半导体衬底去除了化学材料涂层。化学材料可以与第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间的衬底上设置的残留物混合。从衬底去除化学材料涂层也可以去除残留物。本发明提供在制造半导体器件过程中去除残留物的方法。