公开(公告)号：CN116454100A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202210964190.3

申请日：2022-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 孔书砚 ,  刘家弘 ,  庄圣颉 ,  陈俊璋 ,  张玮玲 ,  刘铭棋 ,  曹淳凯

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请的实施例提供了图像传感器器件及其形成方法。方法包括：在衬底的背侧上形成掩模层，该衬底包括具有光电探测器的像素区域，晶体管位于衬底的前侧之上或之中；通过将掩蔽层暴露于图案化的光而在掩蔽层中形成掩蔽开口，掩模开口包括：掩蔽像素区域的掩蔽像素区域；以及从掩模像素区域向掩模交叉区域延伸的掩模突起区域；通过掩模开口蚀刻衬底，在衬底中形成衬底开口；在衬底开口中形成隔离结构。

公开(公告)号：CN107808823A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710610900.1

申请日：2017-07-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑智远 ,  巫俊昌 ,  杨舜升 ,  郭景森 ,  许峰嘉 ,  陈俊璋

IPC: H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/765 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0619 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/32131 ,  H01L21/32132 ,  H01L21/32133

Abstract: 一种方法包括在具有彼此相邻的第一区和第二区的衬底上形成图案化的层。图案化的层包括位于第一区中的第一部件。第二区不含图案化的层。该方法还包括在图案化的层和衬底上形成材料层；形成设置在第二区中并且围绕第一部件的第一保护环；在材料层上方形成可流动的材料(FM)层；在FM层上方形成图案化的光刻胶层，其中，图案化的光刻胶层包括多个开口；并且将多个开口转印至材料层。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法，具体地涉及平坦化膜的方法。

公开(公告)号：CN109742075B

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201810239023.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫俊昌 ,  郑智远 ,  陈思帆 ,  杨舜升 ,  张玮玲 ,  郭景森 ,  许峰嘉 ,  陈俊璋

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  H01L21/31

Abstract: 提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114765105A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110744390.3

申请日：2021-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张玮玲 ,  王志谦 ,  郑智远 ,  陈思帆 ,  林建宏 ,  陈俊璋 ,  郭景森 ,  许峰嘉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 实施方式关于减少半导体基材中的电荷的方法。此方法包含沉积光阻于半导体基材上，以形成光阻层于半导体基材上。将光阻层曝光于辐射。使用显影剂溶液来显影光阻层。使用第一清洁液体来清洁半导体基材，以从光阻层洗去显影剂溶液。对半导体基材施加四甲基氢氧化铵溶液，以减少累积在半导体基材中的电荷。

公开(公告)号：CN109742075A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201810239023.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫俊昌 ,  郑智远 ,  陈思帆 ,  杨舜升 ,  张玮玲 ,  郭景森 ,  许峰嘉 ,  陈俊璋

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  H01L21/31

Abstract: 提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN103681252A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210553745.1

申请日：2012-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊璋 ,  杨舜升 ,  吴权陵 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0332

Abstract: 本发明公开了一种制成半导体集成电路(IC)的方法。该方法包括提供具有彼此相邻的两个不同构型的区域的衬底。在衬底的上方沉积阶梯成形材料(SFM)。在两个区域中的低构型的区域中形成图案化的SFM。图案化SFM的形成提供穿过衬底的很平的表面。

公开(公告)号：CN103390540A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201210382915.4

申请日：2012-10-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 巫俊昌 ,  陈俊璋 ,  吴权陵 ,  莫忘本 ,  谢弘璋

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0206 ,  G03F7/091 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明公开了一种方法，包括在半导体衬底上形成第一光刻胶部件和第二光刻胶部件。在半导体衬底上形成化学材料涂层。该化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间。然后清洗该半导体衬底；该清洗从半导体衬底去除了化学材料涂层。化学材料可以与第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间的衬底上设置的残留物混合。从衬底去除化学材料涂层也可以去除残留物。本发明提供在制造半导体器件过程中去除残留物的方法。