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公开(公告)号：CN113013183B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202010483350.3
申请日：2020-06-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10F39/18
Abstract: 本公开涉及图像传感器器件及其制造方法。一种方法，包括：在器件衬底的正面上形成第一光致抗蚀剂层并且具有彼此间隔开的第一沟槽。使用第一光致抗蚀剂层作为掩模来执行第一注入工艺，以在器件衬底中形成第一隔离区域。第二光致抗蚀剂层被形成在正面上并且具有第二沟槽。使用第二光致抗蚀剂层作为掩模来执行第二注入工艺，以在器件衬底中、并且与第一隔离区域交叉地形成第二隔离区域。第三光致抗蚀剂层被形成在正面上并且具有彼此间隔开的第三沟槽。使用第三光致抗蚀剂层作为掩模来执行第三注入工艺，以在器件衬底中、并且与第一隔离区域交叉但与第二隔离区域间隔开地形成第三隔离区域。
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公开(公告)号：CN100373627C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610001625.5
申请日：2006-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/14 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14654
Abstract: 本发明提供一种形成在内层介电层(ILD)的导光图案层(light-directingfeature)，结合抗反射层(AR)，可同时有效增加量子效率与抗扰性，因此改善感光集成电路之光子表现的方法。其步骤包含形成多个光传感器单元在半导体基材上，接着，形成抗反射层在这些光传感器单元上，此抗反射层实质上不会使入射光产生反射，然后，形成内层介电层在此抗反射层之上，其中内层介电层包含形成在其开口的多个导光图案层，且这些导光图案层位于抗反射层上以及部分光传感器单元之上方。
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公开(公告)号：CN111128861B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201911051128.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L23/544
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。
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公开(公告)号：CN114695405A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202110880371.3
申请日：2021-08-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本文描述一种半导体的制造方法。制造方法中提到的植入遮罩形成技术包括通过非微影术技术提高植入遮罩中图案的初始深宽比，其可包括在植入遮罩上形成抗硬化层。可通过光学微影术技术将图案形成为初始深宽比，初始深宽比降低或最小化在图案形成期间图案塌陷的可能性。接着，在植入遮罩上形成抗硬化层以提高图案的高度且减小图案的宽度，这提高了图案的开口或沟槽的高度与开口或沟槽的宽度之间的深宽比。这样，植入遮罩中的图案可以降低或最小化图案形成期间图案塌陷的可能性的方式形成为超高深宽比。
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公开(公告)号：CN107808823A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710610900.1
申请日：2017-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/765 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L29/0619 , H01L21/32139 , H01L21/32131 , H01L21/32132 , H01L21/32133
Abstract: 一种方法包括在具有彼此相邻的第一区和第二区的衬底上形成图案化的层。图案化的层包括位于第一区中的第一部件。第二区不含图案化的层。该方法还包括在图案化的层和衬底上形成材料层；形成设置在第二区中并且围绕第一部件的第一保护环；在材料层上方形成可流动的材料(FM)层；在FM层上方形成图案化的光刻胶层，其中，图案化的光刻胶层包括多个开口；并且将多个开口转印至材料层。本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法，具体地涉及平坦化膜的方法。
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公开(公告)号：CN100378955C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510075335.0
申请日：2005-06-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的非等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。
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公开(公告)号：CN109742075B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201810239023.6
申请日：2018-03-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , H01L21/31
Abstract: 提供具有第一区域和第二区域的晶圆。第一形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。在晶圆的第一区域上方和第二区域上方形成第一层。图案化第一层。图案化的第一层导致第二形貌变化存在于第一区域和第二区域之间。第二形貌变化比第一形貌变化更平滑。第二层形成在第一区域和第二区域上方。第二层的至少部分形成在图案化的第一层上方。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN111128861A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911051128.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , H01L23/544
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。
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公开(公告)号：CN106935487B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201610683813.4
申请日：2016-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种制造半导体装置的方法。包括：形成第一光阻图案及第二光阻图案于基板上方。第一光阻图案与第二光阻图案分隔一间隙。化学混合物被涂布在第一光阻图案及第二光阻图案上。化学混合物包含化学材料及混合至化学材料内的表面活性剂粒子。化学混合物填充间隙。对第一光阻图案及第二光阻图案执行烘烤制程，此烘烤制程造成间隙收缩。至少一些表面活性剂粒子配置在间隙的侧壁边界处。对第一光阻图案及第二光阻图案执行显影制程。显影制程移除间隙中及光阻图案上方的化学混合物。配置在间隙的侧壁边界处的表面活性剂粒子减少显影制程期间的毛细效应。
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公开(公告)号：CN106935487A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610683813.4
申请日：2016-08-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种制造半导体装置的方法。包括：形成第一光阻图案及第二光阻图案于基板上方。第一光阻图案与第二光阻图案分隔一间隙。化学混合物被涂布在第一光阻图案及第二光阻图案上。化学混合物包含化学材料及混合至化学材料内的表面活性剂粒子。化学混合物填充间隙。对第一光阻图案及第二光阻图案执行烘烤制程，此烘烤制程造成间隙收缩。至少一些表面活性剂粒子配置在间隙的侧壁边界处。对第一光阻图案及第二光阻图案执行显影制程。显影制程移除间隙中及光阻图案上方的化学混合物。配置在间隙的侧壁边界处的表面活性剂粒子减少显影制程期间的毛细效应。
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