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公开(公告)号：CN100394580C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200610003592.8
申请日：2006-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方形成绝缘层。接着使用平坦化制程以移除部分绝缘层。然后于罩幕层里形成一传导介电层，如使用一镶嵌制程。再于罩幕层及传导介层窗的上方形成传导存储线。
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公开(公告)号：CN101330003A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810085960.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。
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公开(公告)号：CN1734745A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510075335.0
申请日：2005-06-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101330003B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200810085960.7
申请日：2008-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/75
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。
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公开(公告)号：CN100378955C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510075335.0
申请日：2005-06-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14685 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是关于一种适用于影像感测器的透镜结构及其制造方法。该影像感测器包括双微透镜结构，是具有一外微透镜排列于一内微透镜上方，两微透镜是排列于对应的光感测器上方。可经由硅化法形成内或外微透镜，其中光阻材料的反应性部分是与含硅药剂反应。可通过梯级蚀刻法形成内或外微透镜，梯级蚀刻法包括一系列交替的蚀刻步骤，是包括非等向性蚀刻步骤及造成图案化的光阻侧向地缩减的蚀刻步骤。可使用接续的非等向性蚀刻法来平坦化蚀刻过的梯级结构，并且形成平滑的透镜。亦可使用热安定及感光性聚合/有机材料形成永久的内或外透镜。涂覆感光材料，接着使用微影使其图案化，回流，接着熟化，以形成永久的透镜结构。
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公开(公告)号：CN1828866A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610003592.8
申请日：2006-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/12 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方形成绝缘层。接着使用平坦化制程以移除部分绝缘层。然后于罩幕层里形成一传导介电层，如使用一镶嵌制程。再于罩幕层及传导介层窗的上方形成传导存储线。
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公开(公告)号：CN1677621A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200410091236.7
申请日：2004-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/3205 , H01G4/005
CPC classification number: H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种在金属－绝缘体－金属(metal－insulator－metal，MIM)电容器制造中制作电极的方法。本方法通过在金属－绝缘体－金属电容制作中，在将上电极沉积在介电层上期间防止电浆伤害介电层，以及缩减或防止介电层与一电极或多个电极间的界面层的生成，来改善金属－绝缘体－金属电容的性能。本方法一般包括：图案化衬底，以在衬底中形成冠状的电容开口；在每一冠状开口中沉积下电极；对下电极进行快速热处理(RTP)或炉内退火步骤；将介电层沉积在退火后的下电极上；利用无电浆化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)过程将上电极沉积在介电层上；以及图案化每一个金属－绝缘体－金属电容的上电极。
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公开(公告)号：CN1877793A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200510125717.X
申请日：2005-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76829 , H01L21/3003 , H01L21/3105 , H01L21/3143 , H01L21/76828
Abstract: 本发明是提供一种降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置，其中该方法包括提供一半导体基底，至少在该半导体基底上形成一元件，在该半导体基底上形成一第一介电层，使该第一介电层覆盖该元件，在该第一介电层上形成一含氢层，在该第一介电层以及该含氢层上形成一氮化硅层，以及将该含氢层中的氢原子导入该第一介电层中。本发明所述降低半导体装置的漏电流的方法以及半导体装置，可避免在氢形成气体回火步骤的过程中，氮化硅层阻挡到氢的渗透，可使氢原子可顺利到达例如金属间介电层之中，用以修复位于金属间介电层之中的悬键，因此可达到降低漏电流的效果。
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