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公开(公告)号：CN101546598A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200810087406.2
申请日：2008-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供磁阻随机存取存储器装置与其切换方法与存储器阵列，即具有非正交切换写入线的一种双态模式磁阻随机存取存储器装置(双态MRAM装置)、切换此存储器装置的磁态的方法、以及此技术的存储器矩阵的布局方式。本发明以两条非正交的写入线切换双态MRAM装置的磁态，更以偏磁场降低切换所需的电流大小。由于偏磁场会改变作用磁场的角度，本发明将两条写入线以非正交方式布局，以补偿偏磁场对作用磁场的角度的影响。
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公开(公告)号：CN101034613A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710000297.1
申请日：2007-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01F17/00
CPC classification number: H01F17/0006 , H01F3/10 , H01F19/08 , H01F41/34 , H01F2017/0066 , H01F2017/0086
Abstract: 本发明是关于一种磁偏压铁磁性螺旋电感器，至少包含一半导体基材以及一第一绝缘层设于该半导体基材上；一螺旋线圈电感器设于该第一绝缘层上以及一第二绝缘层设于该螺旋线圈电感器上；一图案化铁磁层设于该第二绝缘层上以及一图案化磁偏压层设于该图案化铁磁层上。
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公开(公告)号：CN1953228A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610059584.5
申请日：2006-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 铼德科技股份有限公司
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/128 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 本发明是有关于一种具有低程式化电流的相变记忆体，此相变记忆体包括一位于介电层中的导电极、一位于导电极上的下电极层、一位于下电极层上的相变材质层以及一位于相变材质层上的上电极层。此相变记忆体可另包括一介于相变材质层及上电极层之间的散热层。上电极层及下电极层的电阻率大于相变材质层于结晶状态下的电阻率为较佳。本发明降低了所需要的程式化的电流。其次是下电极层的上表面积与导电电极的上表面面积的比值较高，可有效减少下电极层与相变材质之间的合金化现象。再者，利用举离的制程技术以及堆叠结构的设计而能减少所需要的罩幕数量。
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公开(公告)号：CN1574071A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048321.5
申请日：2004-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器电路，包括下列组件：多个磁阻式存储单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层。共同导电层是用以耦接磁阻式存储单元。多个限流装置分别具有第一极以及第二极，各限流装置的第一极是分别耦接于磁阻式存储单元。开关装置是耦接于共同导电层的一端，并具有一控制闸。多个字元线是分别耦接于限流装置的第二极，用以于执行编程动作时提供第一编程电流以及执行读取动作时提供读取电流。第一编程线是耦接于共同导电层的另一端，用以于执行编程动作时提供第二编程电流。第二编程线是耦接于开关装置。选取线是耦接于控制闸，用以提供一致能信号以导通上述开关装置。
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公开(公告)号：CN1534680A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410004285.2
申请日：2004-02-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 一种磁阻式随机存取内存电路，包括下列组件，磁阻式记忆单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层；一限流装置，其第一极耦接于自由磁轴层；开关装置耦接于固定磁轴层的一端，并具有一控制闸；第一选取线耦接于限流装置的第二极；第一编程线耦接于固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流以及于读取动作时提供读取电流；第二编程线耦接于开关装置；第二选取线耦接于控制闸，用以提供致能信号以导通开关装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1531025A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200310102837.9
申请日：2003-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 行政院原子能委员会核能研究所 , 晶研科技股份有限公司
IPC: H01L21/266
CPC classification number: H01L21/266
Abstract: 一种遮蔽装置，应用在高能量粒子轰击的制程，此遮蔽装置包含基底材料和阻挡材料，应用于半导体制程将阻挡材料图案化在基底材料上，阻挡材料较基底材料具有较好的高能量粒子阻挡能力。
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公开(公告)号：CN101546598B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810087406.2
申请日：2008-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供磁阻随机存取存储器装置与其切换方法与存储器阵列，即具有非正交切换写入线的一种双态模式磁阻随机存取存储器装置(双态MRAM装置)、切换此存储器装置的磁态的方法、以及此技术的存储器矩阵的布局方式。本发明以两条非正交的写入线切换双态MRAM装置的磁态，更以偏磁场降低切换所需的电流大小。由于偏磁场会改变作用磁场的角度，本发明将两条写入线以非正交方式布局，以补偿偏磁场对作用磁场的角度的影响。
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公开(公告)号：CN101060011A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710002442.X
申请日：2007-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明是揭露一种数据写入方法，适用于设置于磁性随机存取存储器MRAM阵列中的MRAM存储单元的3－参数切换技术。本发明所揭露的技术是改变MRAM阵列的干扰边界与写入边界之间的关系，以透过增加原写入边界或是增加原干扰边界而降低阵列的整体干扰。不论是透过增加原写入边界或是增加原干扰边界，本发明所揭露的3－参数切换技术皆可成功的降低意外写入未选取位的几率。本发明所述的数据写入方法，所揭露的3－参数转换技术可改善传统MRAM阵列所产生的总干扰。
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公开(公告)号：CN101034613B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200710000297.1
申请日：2007-01-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01F17/00
CPC classification number: H01F17/0006 , H01F3/10 , H01F19/08 , H01F41/34 , H01F2017/0066 , H01F2017/0086
Abstract: 本发明是关于一种磁偏压铁磁性螺旋电感器，至少包含一半导体基材以及一第一绝缘层设于该半导体基材上；一螺旋线圈电感器设于该第一绝缘层上以及一第二绝缘层设于该螺旋线圈电感器上；一图案化铁磁层设于该第二绝缘层上以及一图案化磁偏压层设于该图案化铁磁层上。
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