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公开(公告)号：CN101546598B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810087406.2
申请日：2008-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供磁阻随机存取存储器装置与其切换方法与存储器阵列，即具有非正交切换写入线的一种双态模式磁阻随机存取存储器装置(双态MRAM装置)、切换此存储器装置的磁态的方法、以及此技术的存储器矩阵的布局方式。本发明以两条非正交的写入线切换双态MRAM装置的磁态，更以偏磁场降低切换所需的电流大小。由于偏磁场会改变作用磁场的角度，本发明将两条写入线以非正交方式布局，以补偿偏磁场对作用磁场的角度的影响。
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公开(公告)号：CN101404178B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810161095.X
申请日：2008-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C2213/75 , G11C2213/78
Abstract: 一种存储器读取方法，适用于读取两个以上的磁性隧道结装置，磁性隧道结装置与选择晶体管串联而形成存储器串列，上述存储器读取方法包括导通选择晶体管，测量存储器串列的第一阻抗值，存储第一阻抗值，在磁性隧道结装置之一的既定磁性隧道结装置执行交替切换步骤，在执行交替切换步骤后，测量存储器串列的第二阻抗值，将第一阻抗值以及第二阻抗值与多个既定阻抗值做比较而得到比较结果，以及在测量第二阻抗值后对既定磁性隧道结装置执行交替切换回复步骤，而比较结果用以判断存储在存储器单元的数据。本发明可以实现独立存取各存储单元且减少了元件的数量，从而简化存储器的生产工艺并且降低生产成本。
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公开(公告)号：CN1801390B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200510090270.7
申请日：2005-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , G11C11/15 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法。该磁阻性随机存取存储器装置包含位于基板上的支柱，且该支柱至少拥有一斜面，而该斜面自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存取存储器装置亦包含磁阻性随机存取存储器堆叠，该磁阻性随机存取存储器堆叠大致上与该斜面相平行，因此该磁阻性随机存取存储器堆叠亦自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存取存储器堆叠包含大致为平面且相平行的多个的迭层，各迭层皆自基板倾斜一锐角角度。本发明接合MRAM迭层的有限面积大小下，借着改变MRAM迭层所平行的方向，增加了包含MRAM堆叠的集成电路的单元密度。
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公开(公告)号：CN101060011A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710002442.X
申请日：2007-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明是揭露一种数据写入方法，适用于设置于磁性随机存取存储器MRAM阵列中的MRAM存储单元的3－参数切换技术。本发明所揭露的技术是改变MRAM阵列的干扰边界与写入边界之间的关系，以透过增加原写入边界或是增加原干扰边界而降低阵列的整体干扰。不论是透过增加原写入边界或是增加原干扰边界，本发明所揭露的3－参数切换技术皆可成功的降低意外写入未选取位的几率。本发明所述的数据写入方法，所揭露的3－参数转换技术可改善传统MRAM阵列所产生的总干扰。
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公开(公告)号：CN1321421C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN02142894.8
申请日：2002-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 邓端理
IPC: G11C11/15
Abstract: 本发明涉及一种磁阻式随机存取存储单元的编程方法，该磁阻式随机存取存储单元具有一固定磁轴层、一自由磁轴层、以及设置于上述固定磁轴层以及自由磁轴层之间的一第一绝缘层，上述方法包括下列步骤：提供一编程线，具有一第一阻抗区以及一第二阻抗区，其中上述第二阻抗区的阻抗值小于上述第一阻抗区，且上述磁阻式随机存取存储单元与上述第一阻抗区的距离小于上述第二阻抗区；提供一编程电流流经上述编程线以产生磁场，并于上述第一阻抗区产生热量以加热上述磁阻式随机存取存储单元而降低上述磁阻式随机存取存储单元单元转换导通状态时所需的磁场；以及利用上述磁场使上述自由磁轴层反转而改变上述磁阻式随机存取存储单元的导通状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1801390A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510090270.7
申请日：2005-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , G11C11/15 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种磁阻性随机存取存储器装置及其制造方法。该磁阻性随机存取存储器装置包含位于基板上的支柱，且该支柱至少拥有一斜面，而该斜面自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存取存储器装置亦包含磁阻性随机存取存储器堆叠，该磁阻性随机存取存储器堆叠大致上与该斜面相平行，因此该磁阻性随机存取存储器堆叠亦自基板倾斜一锐角角度。该磁阻性随机存取存储器堆叠包含大致为平面且相平行的多个的迭层，各迭层皆自基板倾斜一锐角角度。本发明接合MRAM迭层的有限面积大小下，借着改变MRAM迭层所平行的方向，增加了包含MRAM堆叠的集成电路的单元密度。
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公开(公告)号：CN101329897B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710186482.4
申请日：2007-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/1693 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675
Abstract: 本发明提供一种编程存储器阵列的方法。提供至少一存储器单元，其中存储器单元包括磁性元件。提供至少一电流源耦接至磁性元件。从至少一电流源供应多非零电流位准的一单向电流至磁性元件。
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公开(公告)号：CN101295763B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810005124.3
申请日：2008-01-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/55
Abstract: 本发明提供一种电阻式存储器装置及电阻式随机存取存储器堆叠结构，该电阻式存储器装置包含：第一电极层，形成于基底上；第一缓冲层，形成于该第一电极层上，其晶格结构具有第一位向；介电层，形成于该第一缓冲层上，其晶格结构与该第一缓冲层的具有第一位向的晶格结构相同，其中以该介电层形成于该第一缓冲层上的电阻率，大于另一以该介电层形成于该第一电极层上的电阻率；以及第二电极层，形成于该介电层上。本发明可增加介电层与一层或同时两层缓冲层间的同调性，从而改善RRAM堆叠层的电阻率。
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公开(公告)号：CN101174624B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710126295.7
申请日：2007-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L27/115 , H01L29/732
CPC classification number: H01L29/73 , H01L27/2445 , H01L29/0804 , H01L29/1004 , H01L29/66242 , H01L29/66272 , H01L29/66318 , H01L29/732 , H01L29/7371 , H01L29/7378 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底；隔离结构，在半导体衬底中，其中隔离结构在半导体衬底中定义区域；第一半导体区，其至少一部分在通过隔离结构所定义的该区域中，其中第一半导体区具有第一导电型；第二半导体区，在第一半导体区上，其中第二半导体区具有与第一导电型相反的第二导电型；以及具有第一导电型的第三半导体区，在第二半导体区上，其中第三半导体区的至少一部分高于隔离结构的上表面。本发明能够克服现有技术的PRAM装置中隔离结构的深度小的缺点，改善选择器的扩充性。
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公开(公告)号：CN101404178A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810161095.X
申请日：2008-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C13/003 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C2213/75 , G11C2213/78
Abstract: 一种存储器读取方法，适用于读取两个以上的磁性隧道结装置，磁性隧道结装置与选择晶体管串联而形成存储器串列，上述存储器读取方法包括导通选择晶体管，测量存储器串列的第一阻抗值，存储第一阻抗值，在磁性隧道结装置之一的既定磁性隧道结装置执行交替切换步骤，在执行交替切换步骤后，测量存储器串列的第二阻抗值，将第一阻抗值以及第二阻抗值与多个既定阻抗值做比较而得到比较结果，以及在测量第二阻抗值后对既定磁性隧道结装置执行交替切换回复步骤，而比较结果用以判断存储在存储器单元的数据。本发明可以实现独立存取各存储单元且减少了元件的数量，从而简化存储器的生产工艺并且降低生产成本。
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