-
公开(公告)号：CN107924998A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680049461.5
申请日：2016-08-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L49/02 , H01F17/00 , H01F41/04 , H01L21/768 , H01L21/027
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F17/0013 , H01F27/24 , H01F41/041 , H01F41/042 , H01F2017/0073 , H01F2017/0086 , H01F2027/2809 , H01L21/486 , H01L23/49838 , H01L28/10 , H01L2224/16227
摘要： 本发明的实施例包括集成到封装衬底内的电感器和形成这样的封装的方法，所述电感器由于使用成形的通孔而具有增加的厚度。在本发明的实施例中，可以在封装衬底中形成的电感器可以包括在封装衬底上形成的第一电感器线路。在一些实施例中，成形的通孔可以在第一电感器线路之上形成。附加的实施例可以包括在封装衬底、第一电感器线路之上和成形的通孔周围形成的介电层。在一个实施例中，第二电感器线路也可以在成形的通孔之上形成。本发明的一些实施例可以包括是螺旋电感器的电感器。
-
公开(公告)号：CN103366931B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201210189520.2
申请日：2012-06-08
申请人： 三星电机株式会社
CPC分类号： H02J5/005 , H01F5/00 , H01F17/00 , H01F17/0006 , H01F27/2804 , H01F27/29 , H01F38/14 , H01F2017/004 , H01F2017/0053 , H01F2017/0073 , H01F2017/0086 , H01Q7/00 , H01Q7/06 , H02J7/025 , H02J50/10 , H02J50/70
摘要： 本发明提供一种薄膜线圈及具有该薄膜线圈的电子装置，所述薄膜线圈包括：基板；线圈图案，包括分别形成在基板的两个表面上的第一线圈束和第二线圈束，其中，形成在基板的一个表面上的第一线圈束包括穿过基板的另一表面并回旋的至少一个回旋路径。
-
公开(公告)号：CN105895332A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610205680.X
申请日：2016-04-01
申请人： 臻绚电子科技(上海)有限公司
发明人： 拉斐尔·瓦伦丁
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F17/0013 , H01F41/041 , H01F2017/0086 , H01F2027/2809 , H01L23/64
摘要： 本发明提供一种线圈，电感装置及制备应用于电感装置的线圈的方法。所述线圈包括：多层导电层，其中每个导电层至少包括一个导电轨迹，所述导电轨迹可以是一圈的导电螺旋或者是两圈的导电螺旋或者是环段导电螺旋，其中至少有一个导电轨迹是两圈的导电螺旋；另外一层导电层，所述另外一层导电层包括一个导电轨迹，所述导电轨迹可以是导电桥，所述导电桥用于将线圈的第二端电极与多层导电层中的一个导电轨迹电连接；线圈的第一端电极与多层导电层中的另外一个导电轨迹电连接；线圈的所有导电轨迹均通过绝缘材料互相隔离，且所有导电轨迹均电气连接形成线圈。所述线圈可以用于制备高电感值的电感装置，可以广泛地应用在电路中。所述线圈的各层导电层可以通过采用半导体工艺，集成无源器件(IPD)工艺或者PCB工艺制备。该线圈具有高电感值和高品质因数Q值，还可以有效减小寄生耦合电容和电阻。
-
公开(公告)号：CN103367336B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310020319.6
申请日：2013-01-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L23/49822 , H01F2017/0086 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2924/13091 , H01L2924/1421 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/16172 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03H7/0115 , H03H2001/0085 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 一种位于带有堆叠元件的多维集成电路中的中介层元件具有一个或多个导体(尤其是电源线)，该导体通过限定了用于高频信号的低阻抗分路的去耦网络来与地电位相连接。介电层具有连续的层，该层包括有硅层、金属层和电介质沉积层。用于导体的去耦网络具有至少一条并且优选地两条电抗传输线。传输线具有与导体串联的电感器以及处在电感器终端处的并联电容。通过间隔的金属沉积层中的迹线来形成电感器，该金属沉积层形成了线圈绕组并且穿过通孔在层之间进行连接，从而允许导体跨线。通过中介层中的MOScap形成电容。一个实施例具有与处于输入端、输出端和线圈之间的结处的电容串联连接的线圈，其中，该线圈磁性耦合，从而形成了变压器。本发明还提供了一种多维集成电路的电源线滤波器。
-
公开(公告)号：CN103378072B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310139613.9
申请日：2013-04-19
申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
CPC分类号： H01L28/10 , H01F27/2804 , H01F2017/0086 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本申请提供了一种具有无芯变压器的半导体组件，该半导体组件集成了无芯变压器，该无芯变压器具有第一连接触点、第二连接触点、导电螺旋第一线圈、导电第一环、以及导电第二环。导电螺旋第一线圈电连接在第一连接触点和第二连接触点之间。导电第一环环绕第一线圈、和第一连接触点和/或第二连接触点。导电第二环被设置在第一线圈和第一环之间，与第一线圈电连接，并且环绕第一线圈、和第一连接触点和/或第二连接触点。
-
公开(公告)号：CN103283023A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201080070816.1
申请日：2010-12-20
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H04B1/08 , H01F17/0013 , H01F2017/002 , H01F2017/0086 , H01L23/49822 , H01L23/5223 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L25/16 , H01L28/10 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2924/09701 , H01L2924/1421 , H01L2924/14335 , H01L2924/19011 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107
摘要： 在包括数字处理器和RF集成电路器件的混合片上系统（SoC）（DP-RFIC器件）和用于混合器件的封装衬底之间划分前端模块射频（RF）器件的功能。组装方法包括形成与封装衬底一体的电感器和变压器以及接近电感器和变压器安装DP-RFIC器件。
-
公开(公告)号：CN102543943A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110092413.3
申请日：2011-04-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01F30/06 , H01L29/94 , H01L21/334
CPC分类号： H01L23/5227 , H01F17/0006 , H01F2017/0086 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种具旁路电容器的变压器及其制造方法，该变压器包括：一第一线圈，建构于一半导体基质上的一第一金属层，该第一线圈具有一第一片段以及一第二片段；一第二线圈，建构于该第一金属层，该第一片段与该第二线圈的一第一部位相邻，而该第二片段与该第二线圈的一第二部位相邻；一第一电容器，以一第一电极连接至一第一节点，该第一节点导通于该第一片段对该第二线圈之间；以及一第二电容器，以一第二电极连接至一第二节点，该第二节点导通于该第二片段与该第二线圈之间。本发明所揭示的变压器/巴伦解决耦合系数k与高共振频率无法兼顾的问题。此外，k值与互感值M皆通过电容器C1与C2的变容器获得调整。
-
公开(公告)号：CN101102100B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200710127341.5
申请日：2007-07-02
申请人： 半导体元件工业有限责任公司
发明人： 苏达哈玛·C.·沙斯特里 , 温彦婷
CPC分类号： H01F17/0006 , H01F2017/0073 , H01F2017/0086 , H01L23/5227 , H01L27/08 , H01L2924/0002 , H03H7/01 , H01L2924/00
摘要： 改善通道间绝缘的集成滤波器结构及制造方法。在一个实施例中，滤波器结构包括利用半导体基片形成的第一和第二滤波器器件。垂直接地平面结构防止了第一和第二滤波器器件之间的交叉耦合。
-
公开(公告)号：CN1174451A
公开(公告)日：1998-02-25
申请号：CN97112758.1
申请日：1997-06-10
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H03H9/46
CPC分类号： H05K1/165 , H01F27/2804 , H01F41/041 , H01F2017/0086 , H01F2027/2809 , H03H3/00 , H03H7/0115 , H03H2001/0057 , H03H2001/0085 , H04B15/00 , H05K1/162 , H05K3/4611 , H05K9/0066 , H05K2201/0352 , H05K2201/086 , H05K2201/09063 , H05K2201/09672
摘要： 本发明揭示一种电力变换器用静噪滤波器,包括:通过电介质层(2)使电感器用导体(1)和接地用导体(3)相对,用这些导体和电介质层形成兼备电感功能和电容功能的分布常数电路,做成具有在电感器用导体1上使所述电力变换器的主电路的电流流过的截面积的导体。本发明提供了适于转换开关等的电力变换器的静噪滤波器。
-
公开(公告)号：CN106470019A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610635339.8
申请日：2016-08-05
申请人： 飞思卡尔半导体公司
发明人： 杰弗里·凯文·琼斯
CPC分类号： H03F3/195 , H01F2017/0073 , H01F2017/0086 , H01L21/486 , H01L23/3677 , H01L23/481 , H01L23/49568 , H01L23/49827 , H03F1/0288 , H03F1/565 , H03F3/211 , H03F3/213 , H03F2200/108 , H03F2200/165 , H03F2200/171 , H03F2200/181 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/391 , H03F2200/42 , H03F2200/432 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/75 , H03F2203/21103 , H03F2203/21106 , H03F2203/21112 , H03F2203/21139 , H03F2203/21142 , H03F2203/21157 , H03F3/20 , H03F3/189 , H03F3/21
摘要： 放大器模块包括模块衬底。导电互连结构和放大器装置耦合到该模块衬底的顶部表面。该互连结构部分覆盖该模块衬底顶部表面以限定该顶部表面处的无导体区。该放大器装置包括：半导体衬底；晶体管；导电特征，该导电特征耦合到该半导体衬底的底部表面且耦合到这些互连结构中的至少一个互连结构；以及滤波器电路，该滤波器电路电耦合到该晶体管。该导电特征仅部分覆盖该半导体衬底底部表面以限定跨越该底部表面的一部分的无导体区。该无导体区与该模块衬底顶部表面处的这些无导体区中的至少一个无导体区对准。该滤波器电路包括形成于该半导体衬底顶部表面的一部分上的无源组件，该半导体衬底顶部表面的一部分在该无导体区的正对面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
78 条记录 (耗时 0.02 秒)
