电容器组件的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115966400A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202210194155.8

    申请日:2022-03-01

    Abstract: 本公开提供了一种电容器组件的制造方法。所述电容器组件的制造方法包括:形成介电生片并在所述介电生片上喷墨印刷导电图案。所述喷墨印刷导电图案包括:在所述介电生片上喷墨印刷基础图案;以及在所述基础图案的在所述介电生片的宽度方向上的两个端部中的每个端部的至少一部分上喷墨印刷增强图案。

    多层陶瓷电子组件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112309717B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202010690279.6

    申请日:2020-07-17

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层;以及第一内电极和第二内电极,设置在所述陶瓷主体内,并且设置为彼此相对,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td,且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd,并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te,且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时,所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。

    多层陶瓷电子组件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112309717A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010690279.6

    申请日:2020-07-17

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层;以及第一内电极和第二内电极,设置在所述陶瓷主体内,并且设置为彼此相对,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td,且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd,并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te,且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时,所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。

Patent Agency Ranking