公开(公告)号：CN109639244A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811167115.4

申请日：2018-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N·伊尔科维 ,  A·贝尼施 ,  P·普凡 ,  H-D·霍尔穆斯

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/32 ,  H03F1/02

CPC classification number: H03G3/3036 ,  H03B5/1212 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/223 ,  H03F1/565 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/45475 ,  H03F2200/171 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/21 ,  H03F2200/216 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/27 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/301 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/453 ,  H03F2200/456 ,  H03F2200/471 ,  H03F2200/489 ,  H03F2200/492 ,  H03F2200/498 ,  H03F2200/534 ,  H03F2200/541 ,  H03F2200/555 ,  H03F2200/61 ,  H03F1/26 ,  H03F1/0211 ,  H03F1/3205 ,  H03F1/3223

Abstract: 本文公开了用于偏置RF电路的系统和方法。根据一个实施例，一种电路包括复制输入晶体管、第一复制共源共栅晶体管、有源电流源和有源共源共栅偏置电路。有源电流源被配置为通过调节复制输入晶体管的控制节点的电压来将流过第一复制共源共栅晶体管和复制输入晶体管的电流设置为预定值。有源共源共栅偏置电路包括耦合到第一复制共源共栅晶体管的控制节点的第一输出。有源共源共栅偏置电路被配置为通过调节第一复制共源共栅晶体管的控制节点的电压来将复制输入晶体管的漏极电压设置为预定电压。

公开(公告)号：CN109565277A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780049822.0

申请日：2017-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井上广树 ,  高桥圭

IPC: H03K19/0175 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/36 ,  H03F3/45 ,  H04L25/02

CPC classification number: G09G3/2096 ,  G09G3/3275 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3688 ,  G09G5/026 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/046 ,  G09G2300/0871 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/0291 ,  G09G2320/0666 ,  G09G2330/06 ,  G09G2340/02 ,  G09G2360/121 ,  G09G2360/144 ,  G09G2360/18 ,  G09G2370/08 ,  G09G2370/14 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H03F3/195 ,  H03F3/3022 ,  H03F3/45183 ,  H03F3/45192 ,  H03F3/45219 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/68 ,  H03F2203/45652

Abstract: 缩短接收差分信号的接收器的传送延迟时间。在接收器的输入级设置有第一放大器电路，在接收器的输出级设置有第二放大器电路。第一放大器电路是差分输入、差分输出的放大器电路。第二放大器电路是差分输入、单端输出的放大器电路。第一放大器电路和第二放大器电路分别被输入作为高电平电源电压和低电平电源电压的第一电源电压和第二电源电压。第一放大器电路的差分对的晶体管的耐压比包括在第一放大器电路中的其他晶体管以及包括在第二放大器电路中的晶体管的耐压高。

公开(公告)号：CN109217828A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811341049.8

申请日：2018-11-12

Applicant: 京信通信系统(中国)有限公司 ,  京信通信系统(广州)有限公司 ,  京信通信技术(广州)有限公司 ,  天津京信通信系统有限公司

Inventor： 朱金雄 ,  李合理 ,  刘江涛

IPC: H03F1/32 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213

CPC classification number: H03F1/3247 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/451

Abstract: 本申请提供一种模拟预失真电路及模拟预失真时分对消方法。该模拟预失真电路包括：模块控制单元、模拟预失真芯片、射频功率放大器和N个可调延时单元，N为大于1的整数，其中，模块控制单元与N个可调延时单元分别相连，模块控制单元与模拟预失真芯片相连，模拟预失真芯片的输出端与N个可调延时单元的输入端分别相连，N个可调延时单元输出端分别与射频功率放大器的输入端相连，射频功率放大器的输出端与模拟预失真芯片的输入端相连。由模块控制单元控制整个模拟预失真电路，使得该模拟预失真电路可以对输入信号进行时分处理，使模拟预失真芯片在一个时刻处理一个与自身工作频段对应的信号，从而提高了模拟预失真电路对超宽带信号的对消效果。

公开(公告)号：CN109039290A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810730106.5

申请日：2018-07-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 马凯学 ,  冯婷 ,  王勇强

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F3/24

CPC classification number: H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明公开了基于介质集成悬置线的集总元件功率合成放大器，功率合成放大器为N路功率合成放大器，N路功率放大器的每一路为一个M级功率放大器，功率分配/合成器为N路功率分配/合成器；M级功率放大器的输入输出匹配电路均采用由若干折线电感和双层交指电容组成的带通滤波器型匹配网络，在减小电路尺寸的同时，对信号进行筛选，使M级功率放大器有较好的增益平坦度；功率分配/合成器采用由若干双层螺旋电感和双层交指电容组成的低通滤波器型匹配电路，并采用双层互联的馈线，双层螺旋电感和双层馈线的使用减小了导体损耗；集总元件功率合成放大器解决了当前功率合成合成放大器损耗大，体积大，笨重，及需要额外金属屏蔽壳的问题。

公开(公告)号：CN108566168A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810292426.7

申请日：2018-04-03

Applicant: 杭州臻镭微波技术有限公司

Inventor： 张辉 ,  颜国国 ,  娄肖萌 ,  孙宏杰 ,  郁发新

IPC: H03F1/48 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213

CPC classification number: H03F1/48 ,  H03F1/565 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/36 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明公开了一种宽带匹配射频功率放大器电路，包括宽带功率管、宽带输出匹配电路和宽带输入匹配电路，宽频带的信号由端口输入，经过宽带输入匹配电路，进入宽带功率管，最后由宽带输出匹配电路传至端口输出；其中宽带输入匹配电路用于阻抗转换，使端口输入的信号尽量多的输入至宽带功率管，宽带功率管用于信号的放大，宽带输出匹配电路用于阻抗转换，使功率管能输出最大的射频功率。本发明中，两个电容和两个电感主要用来消除宽带功率管宽频带内阻抗的虚部，并且将功率管的阻抗向50Ohm匹配，而电阻则用于提高宽带功率管宽频带内阻抗的实部，降低了整个匹配网络的Q值，使整个带宽内的阻抗更加收敛于50Ohm，从而更好的达到了宽带匹配的效果。

公开(公告)号：CN108390651A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810136560.8

申请日：2018-02-09

Applicant: 厚元技术控股有限公司

Inventor： 孟庆南

IPC: H03F1/02 ,  H03F1/32 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213

CPC classification number: H03F1/0211 ,  H03F1/3247 ,  H03F1/56 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/451

Abstract: 一种具有自适应反馈抵消失真信号的射频功率放大器及抵消方法，所述射频功率放大器包括输入功分器A1、定向耦合器A2、被抵消射频功率放大器A3，失真主信号耦合器A4，信号抵消耦合器A6和功分器A7等多个器件。本方案能将被抵消的射频功率放大器输出信号通过耦合提取主信号和失真信号后，与输入的源信号进行合路，抵消主信号，所保留的失真信号耦合至被抵消放大单元输入端，经过被抵消放大单元放大后与本身输出端失真信号幅度相等，相位相反，放大后在被抵消放大单元输出端达到抵消和提高线性的效果。

公开(公告)号：CN108364946A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810069147.4

申请日：2018-01-24

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 嶋本健一

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H03F1/00 ,  H03F1/30 ,  H03F3/21

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/11334 ,  H03F3/195

Abstract: 本发明提供一种能缩小安装面积，并能抑制晶体管的发热的影响的半导体芯片。半导体芯片包括：对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管；对第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管；以及具有平行于由第1方向及第2方向所规定的平面的主面，并形成有第1及第2晶体管的半导体基板，主面上设有：与第1晶体管的集电极或漏极相连接的第1凸点；与第1晶体管的发射极或源极相连接的第2凸点；与第2晶体管的集电极或漏极相连接的第3凸点、及与第2晶体管的发射极或源极相连接的第4凸点，在俯视主面时，第1凸点呈圆形，第2、第3及第4凸点呈矩形或椭圆形，第2、第3及第4凸点的面积比第1凸点的面积要大。

公开(公告)号：CN108259013A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711360486.X

申请日：2017-12-15

Applicant: 德州仪器公司

Inventor： V·V·伊万诺夫 ,  杰丽·L·多尔雷恩博斯

IPC: H03F3/34

CPC classification number: H03F1/0205 ,  H03F1/3211 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/187 ,  H03F3/195 ,  H03F3/45179 ,  H03F3/45475 ,  H03F3/45941 ,  H03F3/45991 ,  H03F2200/471 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/45048 ,  H03F2203/45074 ,  H03F3/34

Abstract: 本申请案涉及一种运算放大器op‑amp集成电路IC芯片。集成电路IC芯片(52)可包含具有可调操作参数的运算放大器(54)。所述IC芯片(52)还可包含微调模块(56)，其经配置以响应于检测到所述运算放大器(54)的正供应电压被设置为大于预定电平的电平及检测到所述运算放大器(54)的反相输入及非反相输入处的给定共模电压中的至少一者而测量所述运算放大器(54)的输出电压。所述微调模块(56)还可经配置以基于所述输出电压来调整所述运算放大器(54)的所述操作参数以微调所述运算放大器(54)。

公开(公告)号：CN108233881A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711397687.7

申请日：2017-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·坎宁 ,  B·阿里功 ,  张海东 ,  C·舒伯斯 ,  D·席巴赫 ,  R·威尔逊 ,  周荣国

IPC: H03F1/56 ,  H03F3/193

CPC classification number: H03F1/565 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/111 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451 ,  H03H7/1758 ,  H03H7/38

Abstract: 本公开涉及一种紧凑型F类芯片和接线匹配拓扑结构。放大器电路包括RF输入端口、RF输出端口、参考电势端口、以及具有输入端子和第一输出端子的RF放大器。输出阻抗匹配网络将第一输出端子电耦合至RF输出端口。第一电感器串联电连接在第一输出端子和RF输出端口之间，第一LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间，以及第二LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间。第一LC谐振器被配置用于在RF信号的中心频率处补偿RF放大器的输出电容。第二LC谐振器被配置用于补偿RF信号的二阶谐波。

公开(公告)号：CN108206675A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711389792.6

申请日：2017-12-20

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 唐纳德·弗农·海士 ,  约瑟夫·斯陶丁格 ,  阿卜杜勒拉赫曼·M·S·艾哈迈德

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/195 ,  H03F3/24

CPC classification number: H03F1/0288 ,  H03F1/0266 ,  H03F3/195 ,  H03F3/245 ,  H03F2200/102 ,  H03F2200/105 ,  H03F2200/336 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/555 ,  H03F2203/21103 ,  H03F2203/21106 ,  H03F2203/21139

Abstract: 多赫蒂放大器能够通过取决于一组连续通信时隙中的每个通信时隙中的流量负载水平而按需要启用载波和峰化放大器且控制偏压调制来增强在低功率和高功率RF通信状态下的效率。举例来说，如果在低功率状态下通信时隙中的流量负载水平未超过相对较低阈值，那么按需要选择性地启用载波放大器，不启用峰化放大器，且使载波放大器偏压电平保持基本上恒定。如果在中间功率状态下超过所述较低阈值但未超过相对较高阈值，那么启用全部载波放大器，选择性地启用峰化放大器，且使偏压电平保持基本上恒定。如果在高功率状态下超过所述较高阈值，那么可启用全部载波和峰化放大器，且峰化放大器偏压跟踪经接收RF信号的RF包络。