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公开(公告)号：CN104065349A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410100764.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/30 , H03F1/302 , H03F1/32 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/129 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/555
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以低电压进行驱动的射频放大电路。射频放大电路包括:放大晶体管，该放大晶体管将通过匹配电路输入至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏压用晶体管，该第1偏压用晶体管与放大晶体管进行电流镜连接，将偏压提供给放大晶体管；以及第2偏压用晶体管，该第2偏压用晶体管与放大晶体管的基极进行射极跟随器连接，将偏压提供给放大晶体管。
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公开(公告)号：CN108364946B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201810069147.4
申请日：2018-01-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 嶋本健一
IPC: H01L27/02 , H01L23/488 , H01L23/367 , H03F1/00 , H03F1/30 , H03F3/21
Abstract: 本发明提供一种能缩小安装面积，并能抑制晶体管的发热的影响的半导体芯片。半导体芯片包括：对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管；对第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管；以及具有平行于由第1方向及第2方向所规定的平面的主面，并形成有第1及第2晶体管的半导体基板，主面上设有：与第1晶体管的集电极或漏极相连接的第1凸点；与第1晶体管的发射极或源极相连接的第2凸点；与第2晶体管的集电极或漏极相连接的第3凸点、及与第2晶体管的发射极或源极相连接的第4凸点，在俯视主面时，第1凸点呈圆形，第2、第3及第4凸点呈矩形或椭圆形，第2、第3及第4凸点的面积比第1凸点的面积要大。
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公开(公告)号：CN106817091B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201611093071.6
申请日：2016-12-01
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 嶋本健一
Abstract: 本发明能够抑制增益特性的劣化，并且降低消耗电流。功率放大电路具备：第1放大晶体管，该第1放大晶体管将第1信号输入至基极或栅极，从集电极或漏极输出将第1信号放大后的第2信号；以及第1偏置电路，该第1偏置电路向第1放大晶体管的基极或栅极提供第1偏置电流，第1偏置电路具备：从发射极或源极输出第1偏置电流的第1晶体管；以及控制第1晶体管的发射极或源极和接地之间的电连接的第1控制电路，第1控制电路具备串联连接的第1电阻元件及第1开关元件，第1开关元件在第1功率模式时为导通，在比第1功率模式中的输出功率低的输出功率下工作的第2功率模式时为断开。
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公开(公告)号：CN105591622B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510733710.X
申请日：2015-11-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/0222 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/451 , H03F2200/516 , H03F2200/555
Abstract: 本发明涉及可改善大输出时功率放大器的功率附加效率的功率放大器。所述功率放大器包括：将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第一晶体管；集电极被施加电源电压、将偏置电压或偏置电流从发射极提供给第一晶体管的基极的第二晶体管；集电极与第一晶体管的集电极相连接、将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第三晶体管；基极与集电极相连接、将偏压从发射极提供给第三晶体管的基极的第四晶体管；以及一端被施加偏置控制电压、另一端与第二和第四晶体管的基极相连接的第一电阻器。
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公开(公告)号：CN104065349B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201410100764.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/30 , H03F1/302 , H03F1/32 , H03F1/56 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/129 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/555
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能以低电压进行驱动的射频放大电路。射频放大电路包括:放大晶体管，该放大晶体管将通过匹配电路输入至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏压用晶体管，该第1偏压用晶体管与放大晶体管进行电流镜连接，将偏压提供给放大晶体管；以及第2偏压用晶体管，该第2偏压用晶体管与放大晶体管的基极进行射极跟随器连接，将偏压提供给放大晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115088190A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202180014084.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明涉及功率放大电路、高频电路以及通信装置，能够与高频对应，并且进一步降低功耗。功率放大电路(1)具备发送电路(2)、控制电路(3)、第一端子(4)以及第二端子(5)。发送电路(2)包含放大元件。放大元件放大高频信号的功率。控制电路(3)控制发送电路(2)。对第一端子(4)输入串行数据信号。串行数据信号包含基于串行数据标准的信息。对第二端子(5)输入与串行数据信号不同的数字信号。控制电路(3)基于从第二端子(5)输入的数字信号来控制发送电路(2)。
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公开(公告)号：CN114830528A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202080087273.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 实现功率附加效率的提高。第二晶体管(Q2)的第二基极与第一晶体管(Q1)的第一集电极连接。第三晶体管(Q3)的第三基极与第一晶体管(Q1)的第一集电极连接，第三集电极与第二晶体管(Q2)的第二集电极连接。第二偏置电路(5)包含与第二晶体管(Q2)的第二基极连接的第五晶体管(50)。第三偏置电路(6)包含与第三晶体管(Q3)的第三基极连接的第六晶体管(60)。第一电流限制电路(7)具有第七晶体管(70)、第一集电极电阻(Rc1)、以及第一基极电阻(Rb1)。第二电流限制电路(8)具有第八晶体管(80)、第二集电极电阻(Rc2)、以及第二基极电阻(Rb2)。
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公开(公告)号：CN108364946A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810069147.4
申请日：2018-01-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 嶋本健一
IPC: H01L27/02 , H01L23/488 , H01L23/367 , H03F1/00 , H03F1/30 , H03F3/21
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H03F3/195
Abstract: 本发明提供一种能缩小安装面积，并能抑制晶体管的发热的影响的半导体芯片。半导体芯片包括：对第1信号进行放大并输出第2信号的第1晶体管；对第2信号进行放大并输出第3信号的第2晶体管；以及具有平行于由第1方向及第2方向所规定的平面的主面，并形成有第1及第2晶体管的半导体基板，主面上设有：与第1晶体管的集电极或漏极相连接的第1凸点；与第1晶体管的发射极或源极相连接的第2凸点；与第2晶体管的集电极或漏极相连接的第3凸点、及与第2晶体管的发射极或源极相连接的第4凸点，在俯视主面时，第1凸点呈圆形，第2、第3及第4凸点呈矩形或椭圆形，第2、第3及第4凸点的面积比第1凸点的面积要大。
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公开(公告)号：CN104935268B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510121357.X
申请日：2015-03-19
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0222 , H03F1/0211 , H03F1/0261 , H03F1/30 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/108 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/555
Abstract: 本发明提供了能以低电压驱动、能改善温度特性的功率放大模块。功率放大模块包括：第一双极晶体管，该第一双极晶体管将输入至基极的无线频率信号放大并输出；电流源，该电流源输出控制电流；第二双极晶体管，该第二双极晶体管与电流源的输出端连接，将控制电流中的第一电流输入集电极；控制电压生成电路，该控制电压生成电路与输出端连接，生成与控制电流中的第二电流相对应的控制电压；第一FET，该第一FET中，电源电压被提供至漏极，源极与第一双极晶体管的基极连接，控制电压被提供至栅极；以及第二FET，该第二FET中，电源电压被提供至漏极，源极与第二双极晶体管的基极连接，控制电压被提供至栅极。
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公开(公告)号：CN105591622A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510733710.X
申请日：2015-11-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/0222 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/451 , H03F2200/516 , H03F2200/555
Abstract: 本发明涉及可改善大输出时功率放大器的功率附加效率的功率放大器。所述功率放大器包括：将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第一晶体管；集电极被施加电源电压、将偏置电压或偏置电流从发射极提供给第一晶体管的基极的第二晶体管；集电极与第一晶体管的集电极相连接、将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第三晶体管；基极与集电极相连接、将偏压从发射极提供给第三晶体管的基极的第四晶体管；以及一端被施加偏置控制电压、另一端与第二和第四晶体管的基极相连接的第一电阻器。
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