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公开(公告)号：CN106357226B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610403198.7
申请日：2016-06-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 长谷昌俊
CPC classification number: H03F1/302 , H01L23/66 , H01L29/0804 , H01L29/737 , H03F3/19 , H03F3/191 , H03F3/195 , H03F3/24 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H03G3/3042 , H04B2001/0408 , H04W88/02
Abstract: 本发明提供一种能抑制温度变化引起的增益变动并能抑制电路规模增大的功率放大模块，其包括：第一双极晶体管，基极被输入无线电频率信号，从集电极输出放大信号；第二双极晶体管，与第一双极晶体管热耦合，基极被输入无线电频率信号，并且模拟第一双极晶体管的动作；第三双极晶体管，集电极被提供电源电压，基极被提供第一控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第一偏置电流；第一电阻器，第一端子被提供第二控制电压，第二端子与第二双极晶体管的集电极连接，在第二端子生成第三控制电压；以及第四双极晶体管，集电极被提供电源电压，基极被提供第三控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第二偏置电流。
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公开(公告)号：CN109302152A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811069459.1
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
CPC classification number: H03F1/26 , H03F1/0211 , H03F3/19 , H03F2200/451 , H03G3/3036
Abstract: 本发明公开了一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，包括依次连接的输入电路和输出电路；所述输入电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第一MOS管NM1和变压器；所述变压器包括互感的第一线圈和第二线圈；所述R1的一端和第一线圈的一端共节点，且R1的另一端接偏置电压Vbias，第一线圈的另一端接NM1的栅极；所述C1的一端、NM1的源极和第二线圈的一端共节点，且C1的另一端接输入电压Vin，第二线圈的另一端接地，NM1的漏级接输出电路；所述NM1的衬底接衬底偏置电压Vbs。本发明一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，由于变压器和衬底偏置电压的相互作用，实现了整个装置的低功耗、低噪声和高增益。
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公开(公告)号：CN109150115A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810861529.0
申请日：2018-08-01
Applicant: 北京中科汉天下电子技术有限公司
CPC classification number: H03F3/19 , H03F1/0211 , H03F1/302 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/451
Abstract: 本申请提供了一种射频功率放大器偏置电路，包括：基准电路模块、镜像电路模块、镇流电阻以及电流调整电路模块，其中，所述基准电路模块用于为所述镜像电路模块提供基准电压；所述镜像电路模块用于根据所述基准电压生成第一电流和第二电流；所述电流调整电路模块用于将所述第一电流调整为第三电流，以使所述第三电流与所述第二电流叠加形成第四电流；所述第四电流通过所述镇流电阻，为射频放大晶体管Q1提供偏置。该偏置电路通过镜像电路模块与电流调整模块的调整，偏置电流随偏置电压Vref变化的变化量相比传统电路中的变化量大大减小，降低了对射频功率放大器的性能指标的影响。
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公开(公告)号：CN108964633A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810445596.4
申请日：2018-05-10
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04B1/40 , H01Q1/50 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/111 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H04B1/50 , H03H9/70 , H03H9/02007 , H03H9/02535
Abstract: 本发明提供一种提高了发送路径与接收路径之间的隔离度的多工器(1A)，其具备：公共端子(101)、接收端子(120)以及发送端子(110、130)；接收滤波器(20)，配置在公共端子与接收端子(120)之间；发送滤波器(10)，配置在公共端子与发送端子(110)之间；发送滤波器(30)，配置在公共端子与发送端子(130)之间；电感器(21)，串联连接在公共端子与接收滤波器(20)之间；电感器(12)，连接在发送端子(110)与发送滤波器(10)之间；以及电感器(32)，连接在发送端子(130)与发送滤波器(30)之间，电感器(21)与电感器(12)进行磁场耦合，并且与电感器(32)进行磁场耦合。
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公开(公告)号：CN108702134A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680082159.X
申请日：2016-02-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/07
CPC classification number: H03F1/0288 , H01L23/66 , H03F1/07 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/451
Abstract: 负载调制放大器具有：高频电路基板；输入分配电路部，其具有分配器和相位延迟电路，该分配器将1个输入信号分配成第1输入信号及第2输入信号，该相位延迟电路构成于被分配后的所述第2输入信号的信号线路之上；载波放大器，其通过第1高频晶体管对所述第1输入信号进行放大；峰值放大器，其通过第2高频晶体管对所述第2输入信号进行放大；以及输出合成电路部，其具有90度相位延迟电路、合成器和阻抗变换电路，该90度相位延迟电路构成于所述载波放大器的输出的信号线路之上，该合成器将所述90度相位延迟电路的输出和所述峰值放大器的输出进行合成，该阻抗变换电路对所述合成器的输出阻抗进行变换，输入分配电路部、载波放大器、峰值放大器、输出合成电路部分别形成在所述高频电路基板之上，所述载波放大器及所述峰值放大器在没有对输出阻抗进行变换的状态下直接与所述输出合成电路部连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108631741A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810218431.3
申请日：2018-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 阿部敬之
CPC classification number: H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/45179 , H03F3/45475 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2203/21139 , H03F2203/45394 , H03F2203/45621 , H03H7/425 , H03F3/193 , H03F2203/45031 , H03F2203/45034
Abstract: 功率放大分配电路包括：转换元件，具有1匝环形的第1电感器、以及沿第1电感器的一部分的形状的N匝环形的第2电感器，将输入信号转换为正相信号和反相信号；第1晶体管，其源极连接到第3电源，以栅极接受正相信号；第2晶体管，其源极连接到第4电源，以栅极接受反相信号；第1阻抗电路，连接在第1晶体管的栅极和第2晶体管的漏极之间；第2阻抗电路，连接在第2晶体管的栅极和第1晶体管的漏极之间；以及输出匹配电路，连接到第1晶体管的漏极和第2晶体管的漏极，输出第1分配信号和第2分配信号。
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公开(公告)号：CN105052036B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201480016583.5
申请日：2014-01-31
Applicant: 追踪有限公司
Inventor： 杰勒德·温彭尼
CPC classification number: H03F1/0222 , H02M3/158 , H02M2001/0045 , H03F1/0227 , H03F1/0238 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/217 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/135 , H03F2200/375 , H03F2200/391 , H03F2200/432 , H03F2200/451 , H03F2203/21106 , H03F2203/21142 , H04L25/4902
Abstract: 本发明提供一种包络追踪电力供应器，其经布置以依据参考信号产生经调制的供应电压，所述包络追踪电力供应器包括用于追踪所述参考信号中的低频变化的第一路径和用于追踪所述参考信号中的高频变化的第二路径，并且进一步包括组合器，所述组合器具有用于所述第一路径的低频组合元件和用于所述第二路径的高频组合元件，并且用于产生经调制的供应电压，其中进一步提供用于感测所述低或高频组合元件中的谐振信号的感测电路，以及用于依据所述感测到的谐振信号调整所述第一路径中的信号的调整电路。
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公开(公告)号：CN108429541A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201710479673.3
申请日：2017-06-22
Applicant: 立积电子股份有限公司
IPC: H03F1/32
CPC classification number: H03F1/3241 , H03F1/0205 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种前置补偿器，用于对放大器的线性度进行补偿。前置补偿器包含第一电容以及阻抗转换电路。第一电容的第一端耦接于放大器的第一节点。阻抗转换电路用以进行阻抗转换以提供可变电容值。阻抗转换电路包含第一偏压输入电路以及双极型晶体管。第一偏压输入电路用以接收第一偏压。双极型晶体管的基极耦接于第一偏压输入电路的输出端及第一电容的第二端，双极型晶体管的集极浮接，而双极型晶体管的射极耦接于放大器的第二节点。
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公开(公告)号：CN102510582B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201110347771.4
申请日：2011-11-04
Applicant: 南京中兴软件有限责任公司
Inventor： 杜天波
CPC classification number: H04W88/06 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F3/68 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/336
Abstract: 本发明提供了一种多模射频发射处理芯片、多模终端和多模终端发射信号的方法，其中，该多模射频发射处理芯片包括第一发射处理模块和第二发射处理模块，所述第一发射处理模块，用于对接收的各种模式的信号滤除带外噪声后，经过混频变频处理得到一路中频信号，对所述中频信号滤波后输出至线性功率放大器；所述第二发射处理模块，用于接收来自所述线性功率放大器的放大后的中频信号，对所述放大后的中频信号进行混频变频处理得到各种模式的信号后输出。上述多模终端，相对于现有的多模终端，可以大大减少功率放大器的数量，从而有效减少多模终端占用PCB的面积，有利于实现多模终端的小型化。
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公开(公告)号：CN108242920A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711453632.3
申请日：2017-12-27
Applicant: 恩智浦美国有限公司
CPC classification number: H03F1/565 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6672 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H03F3/189 , H03F3/195 , H03F3/20 , H03F3/213 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H01L2924/00014 , H01L25/16 , H03F3/19
Abstract: 一种封装RF放大器装置，其包括晶体管、第一输入电路和第二输入电路。所述第一输入电路包括：耦合在输入引线与第一节点之间的第一串联电感，耦合在所述第一节点与所述晶体管的控制端之间的第二串联电感以及耦合在所述第一节点与接地参考之间的第一并联电容。所述第二输入电路包括第一并联电感和串联耦合在所述输入引线与所述接地参考之间的第二并联电容。所述第一输入电路和所述第二输入电路产生用于所述装置的基频匹配。所述第二串联电感和所述第一并联电容针对在第二谐波频率下的RF能量将短路呈现给所述接地参考。
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