-
公开(公告)号：CN109257015A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811070229.7
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
Abstract: 本发明公开了一种基于亚阈值技术的变压器耦合压控振荡器，包括相互连接的核心振荡电路和输出缓冲级电路，所述核心振荡电路包括电感电容谐振回路和负阻产生回路，电感电容谐振回路上主线圈差分电感L1与次级线圈电感L2通过变压器结构进行磁耦合，负阻产生回路由交叉耦合结构的NMOS管M1和NMOS管M2组成，负阻产生回路中的NMOS管M1与电感电容谐振回路中主线圈电感L1和固定电容C1并接点相连。本发明通过上述电路，采取把主回路中的差分电感与副回路中的单圈电感通过变压器结构进行耦合和去除尾电流的方法，降低相位噪声和偏置电压，实现了超低电压供电，超低功耗的设计。
-
公开(公告)号：CN109245731A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811070291.6
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
Abstract: 本发明公开了宽带数控低噪声可变增益放大器，包括依次连接的输入匹配网络、第一级低噪声级、第一级间匹配网络、第二级增益级、第二级间匹配网络、第三级增益级、输出匹配网络、第一级衰减电路、第二级衰减电路、第三级衰减电路、第四级衰减电路；输入匹配网络为可变增益放大器的射频输入端，所述第四级衰减电路为可变增益放大器的射频输出端。本发明采用GaAs pHEMT工艺克服了CMOS宽带窄的问题，同时，将信号的增益控制在一定范围，采用低噪声放大器作为前级放大器得到了较好的噪声性能和减少了衰减器级数以提升整体电路增益，采用三级共源结构加四级衰减电路结构，在DC～6GHz频段以达到所需的增益变化范围和精确增益步进，从而解决了增益与宽带之间的矛盾。
-
公开(公告)号：CN109194318A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811068466.X
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
IPC: H03K17/60 , H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种全集成单刀双掷开关电路，包括谐振电容C、发射支路和接收支路，所述发射之路上设置第一天线端口、发射端口TX和控制信号端口Ctrl，所述接收之路上设置第二天线端口、接收端口RX和控制信号端口Ctrl_NOT，第一天线端口和第二天线端口均连接天线ANT，控制信号端口Ctrl和控制信号端口Ctrl_NOT输出相反的控制信号；所述谐振电容C一端接地，另一端连接天线ANT。本发明通过上述电路，具有大功率容量、高隔离度和低损耗的优势。
-
公开(公告)号：CN109302152A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811069459.1
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
CPC classification number: H03F1/26 , H03F1/0211 , H03F3/19 , H03F2200/451 , H03G3/3036
Abstract: 本发明公开了一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，包括依次连接的输入电路和输出电路；所述输入电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第一MOS管NM1和变压器；所述变压器包括互感的第一线圈和第二线圈；所述R1的一端和第一线圈的一端共节点，且R1的另一端接偏置电压Vbias，第一线圈的另一端接NM1的栅极；所述C1的一端、NM1的源极和第二线圈的一端共节点，且C1的另一端接输入电压Vin，第二线圈的另一端接地，NM1的漏级接输出电路；所述NM1的衬底接衬底偏置电压Vbs。本发明一种基于衬底偏置的超低耗电流复用低噪声放大器，由于变压器和衬底偏置电压的相互作用，实现了整个装置的低功耗、低噪声和高增益。
-
公开(公告)号：CN109302148A
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201811068581.7
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
IPC: H03D7/14
CPC classification number: H03D7/1433 , H03D7/1475
Abstract: 本发明公开了低功耗单平衡谐波混频器，所述混频器包括：跨导级、开关级、负载级、输出缓冲级；其中，跨导级与开关级连接，开关级与负载级和输出缓冲级均连接；跨导级、开关级中的NMOS管均工作在亚阈值区，解决了传统的混频器存在的功耗大、版图面积大的技术问题，实现了单平衡谐波混频器功耗小、版图面积小的技术效果。
-
公开(公告)号：CN109245734A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811070251.1
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
CPC classification number: H03F1/565 , H03F1/26 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F2200/451 , H03G3/3036
Abstract: 本发明公开了一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，包括依次连接的输入匹配网络、前级增益放大电路、级间匹配网络、后级功率放大电路和阻抗变换网络；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路均包括SiGe BiCMOS；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路的输入端分别连接有第一偏置电路、第二偏置电路。采用二级放大，且采用SiGe BiCMOS作为放大管，能够满足在较高的效率下实现足够的增益和输出功率，解决CMOS性能差，III-V族半导体成本高、体积大等问题，而且其具有比较高的特征频率和噪声特性，更利于集成。
-
公开(公告)号：CN109194303A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811069489.2
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
IPC: H03H11/20
CPC classification number: H03H11/20
Abstract: 本发明公开了一种六位数字移相器，包括5.625°相移电路、11.25°相移电路、22.5°相移电路、45°相移电路、90°相移电路和180°相移电路，所述5.625°相移电路、11.25°相移电路、22.5°相移电路、45°相移电路以任意顺序级联在90°相移电路、180°相移电路之间。将移相器两较高相移电路作为移相器的输出、输出，不仅可提高移相器极间匹配性，且可有效提高移相精度。
-
公开(公告)号：CN109194295A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811068479.7
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
CPC classification number: H03F1/565 , H03F3/193 , H03F2200/294 , H03F2200/451
Abstract: 本发明公开了一种介质集成悬置线WLAN双通带低噪声放大器，包括低噪声放大器，低噪声放大器的分立器件构成，分立元件之间采用传输线结构进行连接，传输线结构包括介质层、分别设置在介质层两面的传输线和接地层，所述传输线包括依次连接的第一传输线和第二传输线，所述第一传输线的线宽为5.8mm至6.2mm，线长为4.2mm至4.5mm；所述第二传输线的线宽为0.8mm至1.0mm，线长为3.2mm至3.5mm。第一传输线构成低阻抗线，可等效为一端接地的电容结构；第二传输线构成高阻抗线，可等效为串联在电路中的电感结构；采用该传输线结构不仅可实现滤波作用，也可实现阻抗变换效果。
-
公开(公告)号：CN109194290A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811068546.5
申请日：2018-09-13
Applicant: 胡建全
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开了一种双工作模式的超宽带分布式下混频器，从LO端口到IF端口之间依次连接有第一电抗性部件、第三电抗性部件、第五电抗性部件、低通滤波网络；从RF端口到偏置电压端口之间依次连接有第二电抗性部件、第四电抗性部件、第六电抗性部件；第一共源混频器内核的输入端连接在第二电抗性部件与第四电抗性部件连接的线路上，第一共源混频器内核的输出端连接在第一电抗性部件与第三电抗性部件连接的线路上；第二共源混频器内核的输入端连接在第四电抗性部件与第六电抗性部件连接的线路上，第二共源混频器内核的输出端连接在第三电抗性部件与第五电抗性部件连接的线路上。本发明能实现3.2-51.2GHz的宽带工作能力，覆盖多个通信频段。
