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公开(公告)号：CN106575975B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201480081520.8
申请日：2014-08-25
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H04B1/48
CPC分类号： H04B1/48 , H03F1/565 , H03F3/189 , H03F3/24 , H03F2200/294 , H03F2200/378 , H03F2200/541 , H03H7/0115 , H03H7/0153 , H03H7/38 , H03H7/42 , H03H11/28
摘要： 在设置于一个实施方式的半导体器件的RFIC中，将接收用的低噪声放大器(41)和发送用的功率放大器(11)与共用的天线连接端子(5)连接。在天线连接端子(5)和LNA(41)之间连接有用于阻抗匹配的电路(31)，且与该电路(31)并联地连接有半导体开关(SW1)。
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公开(公告)号：CN109716648A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056627.0
申请日：2017-07-26
申请人： 派赛公司
发明人： 乔纳森·克拉伦 , 普贾·韦格 , 大卫·科瓦克 , 埃里克·S·夏皮罗 , 内尔·卡兰卡 , 丹·威廉·诺贝 , 克里斯多佛·墨菲 , 罗伯特·马克·恩格尔基尔克 , 埃姆雷·艾兰哲 , 凯特·巴尔格罗夫 , 泰罗·塔皮奥·兰塔
CPC分类号： H03F1/223 , H03F1/301 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F3/245 , H03F2200/102 , H03F2200/105 , H03F2200/165 , H03F2200/18 , H03F2200/21 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/243 , H03F2200/294 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/306 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/42 , H03F2200/451 , H03F2200/48 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/498 , H03F2200/555 , H03F2200/61 , H03F2200/78
摘要： 用于硅基放大器架构的偏置电路和方法，其对电源电压变化和偏置电压变化、偏置电流变化以及晶体管堆叠高度具有耐性并且补偿不良输出电阻特性。实施方式包括利用共源共栅基准电路以在闭环偏置控制电路的控制下偏置共源共栅放大器的最终级的功率放大器和低噪声放大器。闭环偏置控制电路通过调整共源共栅放大器的最终级的栅极偏置电压来确保共源共栅基准电路中的电流近似等于已知电流值的选定倍数。基于表示共源共栅放大器和共源共栅基准电路中的晶体管器件的相对尺寸的器件比例因子，通过共源共栅放大器的最终电流是共源共栅基准电路中的电流的倍数。
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公开(公告)号：CN105915183B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610032207.6
申请日：2016-01-18
申请人： 英特尔IP公司
CPC分类号： H03F3/265 , H03F1/0216 , H03F1/0233 , H03F1/0272 , H03F1/0283 , H03F1/08 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F3/3001 , H03F3/45179 , H03F2200/111 , H03F2200/121 , H03F2200/216 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/72 , H03F2203/30027 , H03F2203/30063 , H03F2203/30081 , H03F2203/45018 , H03F2203/45032 , H03F2203/45091 , H03F2203/45156 , H03F2203/45236 , H03F2203/45268 , H03F2203/45278 , H03F2203/45306 , H03F2203/45318 , H03F2203/45511 , H03F2203/45544 , H03F2203/45554 , H03F2203/45562
摘要： 描述了高线性度推挽式共栅放大器。放大器用于通过具有第一晶体管类型的第一晶体管的推级和具有第二晶体管类型的第二晶体管的拉级提供高输出阻抗，其中第二晶体管类型不同于第一晶体管类型。第一晶体管和第二晶体管在共栅配置中相耦接。第一晶体管和第二晶体管经由耦接到输入的电容器耦接在一起，并共享公共电流路径，作为具有宽带输入匹配的推挽电流复用共栅低噪声放大器。
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公开(公告)号：CN109314497A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034058.X
申请日：2017-04-21
申请人： 英特尔IP公司
发明人： J·G·考夫曼
CPC分类号： H03F3/245 , H03F3/195 , H03F3/3022 , H03F3/45183 , H03F3/45273 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/456 , H03F2200/462 , H03F2200/555 , H04B1/0475 , H04B7/0413 , H04B2001/045
摘要： 提供了一种装置，该装置包括：差分输入放大级，包括电流源和第一节点；第一匹配晶体管对，耦合至第一节点，其中，该第一匹配对中的晶体管中的一个晶体管耦合至驱动级的输出节点；第二匹配晶体管对，耦合至第二节点以偏置该第二匹配晶体管对，其中，该第二匹配晶体管对中的晶体管中的一个晶体管耦合至驱动级的输出节点，并且其中，第二节点将根据电流源的第一偏置来充电；以及电阻器件，耦合至第一节点和第二节点。
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公开(公告)号：CN109150116A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810903793.6
申请日：2018-08-09
申请人： 西安邮电大学
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/14 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F2200/294
摘要： 为了解决传统射频信号接收机芯片中低噪声放大器无法同时兼顾低噪声、增益、带宽、功耗以及电路面积等多方面应用需求的技术问题，本发明提供了一种射频信号接收机芯片中的低噪声放大器，包括LNA、偏置电路、输入输出匹配电路；LNA采用共源共栅结构，用于对接收的微弱射频信号进行滤波和放大；偏置电路用于为LNA提供电压或电流；偏置电路采用与绝对温度成正比的CMOS电流源，通过两位二进制位控制，输出四种不同的偏置电流；输入输出匹配电路，用于对输入输出端口进行50Ω匹配。本发明具有噪声系数小、增益适中、功耗小、电路面积小的优点。
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公开(公告)号：CN108880481A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201710344556.6
申请日：2017-05-16
申请人： 博通集成电路(上海)股份有限公司
发明人： 不公告发明人
CPC分类号： H03F1/26 , H03F3/193 , H03F3/45179 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2203/45306 , H03F2203/45318 , H03F2203/45704 , H04B1/10
摘要： 本发明涉及一种低噪放大器，其包括：被分别配置成接收正输入电压和负输入电压的第一和第二输入端口，第一和第二谐振电路，第一和第二晶体管；其中，第一晶体管的第一电压输出端口被连接到第二晶体管，并且第二谐振电路的第二电压输出端口被连接到第一晶体管，第一和第二电压输出端口分别通过第一和第二电容器被交叉耦合到第一晶体管和第二晶体管的第二节点；第二晶体管的第二节点通过第三电容器和第一晶体管的第三节点被连接到第二输入端口，并且第一晶体管的第二节点通过第四电容器和第二晶体管的第三节点被连接到第一输入端口。该低噪放大器具备低功耗和高增益，能够极大地降低噪声系数。
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公开(公告)号：CN108476013A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680075891.4
申请日：2016-12-20
申请人： 纽泰克CY股份有限公司
CPC分类号： H04L27/367 , H03F1/3241 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2200/294 , H03F2200/336 , H04L27/2624 , H04L27/3411
摘要： 本发明涉及被布置成用于接收一个或多个5源信号的发射器设备，每个源信号都包含一系列源数据码元。发射器设备包括第一预矫正电路和第二预矫正电路。第一预矫正电路包括至少一个校正阶段，其设有用于确定校正项的校正路径。针对每个源信号的校正项是每个源信号10的预定义星座的对应码元和模型的输出的函数。该模型包括仿真调制装置和第二预矫正电路的电路，用于仿真非线性传输链路的电路，通过该非线性传输链路，聚合脉冲整形信号的经预矫正的版本将以传输链路的AM/AM特性的饱和发生之前的幅度水平被发射，并且以超出15AM/AM特性的饱和的幅度水平来仿真该非线性传输链路，以及用于仿真解调装置的电路。第一预矫正电路被布置用于，针对每个源信号，将校正项添加到施加到该第一预矫正电路的数字码元，或由第一预矫正电路的在前校正阶段输出的数字码元。
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公开(公告)号：CN108304020A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711038188.9
申请日：2017-10-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： H03F1/301 , H03F3/193 , H03F3/45183 , H03F3/45246 , H03F3/45475 , H03F3/45632 , H03F3/45928 , H03F2200/135 , H03F2200/294 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/462 , H03F2200/471 , H03F2203/45116 , H03F2203/45512 , G05F1/56
摘要： 本发明实施例涉及低耗电的半导体装置。本发明实施例涉及一种放大单元，其包含转换器及反馈机构。所述转换器具有耦合到供应节点的供应输入。所述转换器进一步具有经配置以接收输入信号的输入端子。所述转换器经配置以放大来自所述输入端子的所述输入信号以产生输出信号。所述反馈机构耦合到所述转换器的所述输入端子，且经配置以基于所述输入信号而引起恒定偏压电流从所述供应节点流动通过所述转换器。
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公开(公告)号：CN108155876A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711265603.4
申请日：2017-12-05
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 吉崎保展
CPC分类号： H03F1/302 , H03F1/0205 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/555
摘要： 本发明提供包括多个放大电路并可进行高精度的温度补偿的高频模块及通信装置。高频模块包括：基板；设置在基板的第1区域中作为第1放大电路的低噪声放大电路；设置在基板的第2区域中作为第2放大电路的功率放大电路；以及作为设置在基板的第1区域与第2区域之间且发热性低于功率放大电路的组件的双工器，低噪声放大电路具有：生成依赖于第1二极管的温度特性的偏置电流(IBIAS)的偏置电路；生成依赖于第2二极管的温度特性的电压(VREF)以作为所述偏置电路的工作电压的电压生成电路；以及在由偏置电流(IBIAS)确定的工作点处工作的放大电路。
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公开(公告)号：CN104935274B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201510116561.2
申请日：2015-03-17
申请人： 恩智浦有限公司
IPC分类号： H03F3/189
CPC分类号： H03F1/0222 , H03F1/302 , H03F3/19 , H03F2200/165 , H03F2200/18 , H03F2200/294 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/453 , H03F2200/456 , H03F2200/471
摘要： 一种用于晶体管放大器的偏置电路，所述偏置电路包括低通滤波器模块、基准晶体管、求和节点、基准电流源、以及电流差模块，其中所述低通滤波器模块被配置为感测在所述晶体管放大器的控制端子处的DC偏置电压，并向所述基准晶体管的控制端子提供所述DC偏置电压；所述基准晶体管被配置为响应于所述DC偏置电压输出偏置电流，并向所述求和节点提供所述偏置电流；所述求和节点被配置为从所述基准电流源接收基准电流，并将所述基准电流与来自所述基准晶体管的所述偏置电流组合以提供差电流；以及所述电流差模块被配置为从所述求和模块接收所述差电流，并向所述晶体管放大器的所述控制端子提供所述差电流。
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