-
公开(公告)号：CN107968637A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710984464.4
申请日：2017-10-20
申请人： 住友电气工业株式会社
发明人： 姊川修
CPC分类号： H03F1/0205 , G01R19/04 , H03F3/193 , H03F2200/06 , H03F2200/102 , H03F2200/171 , H03F2200/225 , H03F2200/255 , H03F2200/451 , H03H5/00 , H02M3/07
摘要： 本发明涉及一种用于生成输入RF信号的包络信号的包络检测电路。所述包络检测电路包括输入端、输出端、晶体管和积分电路。晶体管以B类模式或C类模式操作，其输入端接收输入RF信号，晶体管放大所述输入RF信号，并且输出放大后的信号。积分电路设置在晶体管和输出端之间，包括在偏置电源和地之间的电阻器和电容器的串联电路。晶体管经由电阻器接收偏置。电容器保持放大后的信号的底部电平。
-
公开(公告)号：CN107294502A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610552154.0
申请日：2016-07-14
申请人： 香港城市大学
CPC分类号： H03F1/42 , H03F1/223 , H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/225 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/492 , H03F2200/541 , H03F1/483 , H03F1/26 , H03F3/20 , H03F2200/372 , H03G3/3036
摘要： 本发明提供了一种促进低噪声放大器的带宽增强的电路及方法。所述电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括：第一栅极；第一漏极；以及第一源极；第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二栅极；第二漏极；以及第二源极-；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管组成共源共栅拓扑；以及变压器，其中，变压器嵌入在第二晶体管的第二栅极和第二漏极端子之间。本发明实施通过将变压器嵌入在共栅极晶体管的栅极和漏极之间，将传统的源极-负反馈共源共栅低噪声放大器延伸到宽增益带宽。这种嵌入的变压器能够引入附加的高频共轭极点对，其能够将增益降落起始点推向更高频率，峰化更高频率增益，进而拓宽放大器增益带宽。
-
公开(公告)号：CN107769734A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710447477.8
申请日：2017-06-14
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03F1/565 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F2200/225 , H03F2200/237 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/402 , H03F2200/451 , H03F2203/21124 , H03H7/38 , H03F1/12 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/21
摘要： 本发明提供一种即使元件存在差异也能抑制高次谐波终端电路的特性劣化的功率放大模块。功率放大模块包括：放大器，该放大器对输入信号进行放大并输出放大信号；高次谐波终端电路，该高次谐波终端电路设置于放大器的后级，并使放大信号的高次谐波分量衰减，且具备至少1个FET；以及控制电路，该控制电路对至少1个FET的栅极电压进行控制，从而调整至少1个FET的寄生电容的电容值，控制电路对至少1个FET的寄生电容的电容值进行调整，从而调整高次谐波终端电路的谐振频率。
-
公开(公告)号：CN107112952A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580058036.8
申请日：2015-11-02
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F1/56 , H01P5/16 , H01Q1/50 , H03F1/0288 , H03F3/24 , H03F3/68 , H03F2200/225 , H03F2200/255 , H03H7/48 , H03H11/36
摘要： 本公开包括动态功分器电路及方法。在一个实施例中，动态功分器包括第一和第二四分之一波长线，它们接收输入信号并且在线路的第二端子上产生第一和第二信号。输入信号的动态功率划分使用第一四分之一波长线的第二端子与第二四分之一波长线的第二端子之间的可变阻抗电路。可变阻抗可以随着输入信号功率增大而减小两个输出路径之间的阻抗，或者随着输入信号功率减小而增大输出路径之间的阻抗。
-
公开(公告)号：CN107078693A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055259.9
申请日：2015-09-23
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04B15/06 , H03D7/1458 , H03D7/1483 , H03F2200/165 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H04B2215/064
摘要： 提供了一种用于减小电子电路中的谐波响应的装置。该装置包括RF输入，其被配置为提供在射频处操作的第一信号。该装置包括本地振荡器，其被配置为产生在本地振荡器(LO)频率处操作的第二信号。该装置包括开关混频器，其被配置为将第一和第二信号混频。该装置包括陷波滤波器，其包括并联连接的电感器和电容器。陷波滤波器直接串联耦合到开关混频器的输入。陷波滤波器被调谐以使得它的谐振频率是LO频率信号的谐波。在一个方面中，该装置还包括变压器，其被配置为提供第一信号。在一个方面中，该装置还包括第二陷波滤波器，其包括并联连接的第二电感器和第二电容器。
-
公开(公告)号：CN109643976A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052046.X
申请日：2017-08-23
申请人： 安普林荷兰有限公司
发明人： 约翰内斯·A·M·德波特 , 诸毅 , 尤里·沃洛凯恩 , 维特里奥·库柯 , 阿尔贝图斯·G·W·P·范佐耶伦 , 约尔丹·康斯坦丁诺夫·斯蒂什塔洛夫 , 约瑟夫斯·H·B·范德赞登
CPC分类号： H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/18 , H01L28/40 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2223/6661 , H01L2223/6672 , H01L2224/04042 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/30111 , H03F1/0205 , H03F1/0288 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F2200/216 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/267 , H03F2200/297 , H03F2200/301 , H03F2200/306 , H03F2200/309 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/402 , H03F2200/451 , H03F2200/75 , H01L2224/45099
摘要： 本发明涉及一种封装射频功率放大器。本发明还涉及一种包括该封装射频功率放大器的用于移动通信的蜂窝基站。根据本发明的封装RF功率放大器包括被耦接到射频功率晶体管的输出端的输出网络，其中，该输出网络包括在晶体管的输出端和封装的输出引线之间沿第一方向延伸的多个第一键合线、在射频功率晶体管的输出端和地之间串联连接的第二电感器和第一电容器、以及串联连接在地与第二电感器和第一电容器之间的结点之间的第三电感器和第二电容器。根据本发明，第一和第二电容器被集成在单个无源管芯上，并且第三电感器包括串联连接的第一部件和第二部件，其中，第一部件至少部分地沿第一方向延伸，并且第二部件至少部分地沿与第一方向相反的方向延伸。替代地，第三电感器基本上垂直于第一方向延伸。
-
公开(公告)号：CN108242920A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711453632.3
申请日：2017-12-27
申请人： 恩智浦美国有限公司
CPC分类号： H03F1/565 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6672 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H03F3/189 , H03F3/195 , H03F3/20 , H03F3/213 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H01L2924/00014 , H01L25/16 , H03F3/19
摘要： 一种封装RF放大器装置，其包括晶体管、第一输入电路和第二输入电路。所述第一输入电路包括：耦合在输入引线与第一节点之间的第一串联电感，耦合在所述第一节点与所述晶体管的控制端之间的第二串联电感以及耦合在所述第一节点与接地参考之间的第一并联电容。所述第二输入电路包括第一并联电感和串联耦合在所述输入引线与所述接地参考之间的第二并联电容。所述第一输入电路和所述第二输入电路产生用于所述装置的基频匹配。所述第二串联电感和所述第一并联电容针对在第二谐波频率下的RF能量将短路呈现给所述接地参考。
-
公开(公告)号：CN108111129A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710888987.9
申请日：2017-09-27
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 竹中干一郎
CPC分类号： H03F1/0288 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/451
摘要： 本发明提供一种在较广范围的输出功率电平上可实现高效率且小型化的功率放大器。功率放大器包括：分配器，其将从输入部输入的第一信号分配为第二信号和比第二信号大致延迟度(是满足的实数)的第三信号；第一放大器，其在第一信号的功率电平为第一电平以上的区域中将第二信号放大来输出第四信号；第二放大器，其在第一信号的功率电平为高于第一电平的第二电平以上的区域中将第三信号放大来输出第五信号；第一移相器，其输入有第四信号，输出比第四信号大致延迟度的第六信号；第二移相器，其输入有第五信号，输出比第五信号大致提前度的第七信号；以及合成部，其将第六及第七信号合成，来输出第一信号的放大信号。
-
公开(公告)号：CN107026621A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710058068.9
申请日：2017-01-23
申请人： 联发科技股份有限公司
CPC分类号： H03F1/26 , H03F1/0261 , H03F1/301 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F3/45071 , H03F3/45085 , H03F3/45179 , H03F3/45183 , H03F2200/219 , H03F2200/225 , H03F2203/45144 , H03F2203/45154 , H03F2203/45172 , H03F2203/45542 , H03F2203/45621 , H03F2203/50 , H03F1/3211 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/24 , H03F2200/451
摘要： 本发明提供一种功率放大器系统和用于偏置差分功率放大器的偏置电路。该功率放大器系统包括差分功率放大器和偏置电路。差分功率放大器用于接收差分输入对以产生输出信号。偏置电路用于产生偏置电压以偏置所述差分功率放大器，其中所述偏置电路包括源极跟随器，用于接收参考电压以产生所述偏置电压。本发明可以提高相邻信道泄漏比性能。
-
公开(公告)号：CN106452379A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610833786.4
申请日：2016-09-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
CPC分类号： H03F3/42 , H03F1/42 , H03F1/565 , H03F2200/225
摘要： 本发明公开了一种覆盖C-Ku频段的GaN MMIC放大器，涉及MMIC放大器技术领域。所述放大器包括多级放大电路，前级有源器件与后级有源器件之间通过匹配网络进行连接，所述匹配网络包括电容C1-C4、电阻R1以及电感L1，所述电容C3的一端为所述匹配网络的输入端，所述电容C3的另一端分为两路，第一路依次经电容C2、电容C1接地，电阻R1与电容C2并联，所述电容C1与电容C2的结点为所述匹配网络的输出端，第二路依次经电感L1以及电容C4后接地。所述放大器拓宽了匹配网络的带宽，补偿了器件随频率的增益滚降，增加了级间隔离度，提升了放大器的稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
30 条记录 (耗时 0.011 秒)
