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公开(公告)号：CN107078693B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201580055259.9
申请日：2015-09-23
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 提供了一种用于减小电子电路中的谐波响应的装置。该装置包括RF输入，其被配置为提供在射频处操作的第一信号。该装置包括本地振荡器，其被配置为产生在本地振荡器(LO)频率处操作的第二信号。该装置包括开关混频器，其被配置为将第一和第二信号混频。该装置包括陷波滤波器，其包括并联连接的电感器和电容器。陷波滤波器直接串联耦合到开关混频器的输入。陷波滤波器被调谐以使得它的谐振频率是LO频率信号的谐波。在一个方面中，该装置还包括变压器，其被配置为提供第一信号。在一个方面中，该装置还包括第二陷波滤波器，其包括并联连接的第二电感器和第二电容器。
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公开(公告)号：CN105556666A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480049879.7
申请日：2014-09-04
申请人： 高通股份有限公司
发明人： A·A·M·尤塞夫 , P·S·S·古德姆 , L-C·常 , E·A·S·阿布德尔格哈尼
CPC分类号： H02H9/046 , H01L27/0255 , H03F1/223 , H03F1/523 , H03F2200/336 , H03F2200/441 , H03F2200/444
摘要： 用于改善集成电路(IC)中的静电放电(ESD)性能的技术。在一方面，在IC的各个节点之间提供了一个或多个保护二极管。例如，可以在放大器输入晶体管的漏极和栅极之间和/或漏极和接地之间等提供保护二极管。在某些示例性实施例中，放大器可以是共源共栅放大器。描述了用于有效地处理ESD现象的另外的方面。
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公开(公告)号：CN106105027B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201580015466.1
申请日：2015-03-27
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F1/0211 , H03F1/0277 , H03F1/086 , H03F1/30 , H03F3/005 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2200/451
摘要： 一种设备包括具有多个放大路径的放大器电路以及耦合到相关联的共用的配电网络的至少一个可开关的旁路电容，至少一个可开关的旁路电容和多个放大路径中的至少一个放大路径响应于控制信号而被配置成基于选择的操作模式将至少一个可开关的旁路电容有选择地接地以及有选择地使能多个放大路径中的至少一个放大路径。
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公开(公告)号：CN106105027A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580015466.1
申请日：2015-03-27
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H03F1/0211 , H03F1/0277 , H03F1/086 , H03F1/30 , H03F3/005 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2200/451
摘要： 一种设备包括具有多个放大路径的放大器电路以及耦合到相关联的共用的配电网络的至少一个可开关的旁路电容，至少一个可开关的旁路电容和多个放大路径中的至少一个放大路径响应于控制信号而被配置成基于选择的操作模式将至少一个可开关的旁路电容有选择地接地以及有选择地使能多个放大路径中的至少一个放大路径。
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公开(公告)号：CN107258054B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201680011537.5
申请日：2016-01-27
申请人： 高通股份有限公司
摘要： 公开了一种包括静电放电(ESD)保护电路的CMOS放大器(300)。在一个实施例中，该CMOS放大器可以包括PMOS晶体管(P1)、NMOS晶体管(N1)、主保护二极管(301)、以及一个或多个辅保护二极管(304)以限制CMOS放大器的端子之间的电压差。在一些实施例中，辅保护二极管可以限制CMOS放大器的输入端子与供电电压之间、CMOS放大器的输入端子与地面之间、以及CMOS放大器的输入端子与输出端子之间的电压差。
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公开(公告)号：CN106464213B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201580026491.X
申请日：2015-05-12
申请人： 高通股份有限公司
发明人： A·A·M·尤塞夫 , E·A·S·阿布德尔格哈尼 , L-C·常
CPC分类号： H03G3/3036 , H03F1/223 , H03F3/19 , H03F3/193 , H03F3/68 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/489 , H03G1/0029 , H04B1/0053
摘要： 一种装置，包括被配置为放大第一载波信号的第一放大级和被配置为放大第二载波信号的第二放大级。第一放大级被直流(DC)耦合至第二放大级。第一电路装置耦合至第一放大级并且被配置为控制第一放大级的第一增益。第一电路装置包括被配置为从第一放大级的第一输出选择性地转移第一泄放电流的第一增益控制晶体管。第二电路装置耦合至第二放大级并且被配置为独立于第一增益来控制第二放大级的第二增益。第二电路装置包括被配置为从第二放大级的第二输出选择性地转移第二泄放电流的第二增益控制晶体管。
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公开(公告)号：CN105556666B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201480049879.7
申请日：2014-09-04
申请人： 高通股份有限公司
发明人： A·A·M·尤塞夫 , P·S·S·古德姆 , L-C·常 , E·A·S·阿布德尔格哈尼
摘要： 用于改善集成电路(IC)中的静电放电(ESD)性能的技术。在一方面，在IC的各个节点之间提供了一个或多个保护二极管。例如，可以在放大器输入晶体管的漏极和栅极之间和/或漏极和接地之间等提供保护二极管。在某些示例性实施例中，放大器可以是共源共栅放大器。描述了用于有效地处理ESD现象的另外的方面。
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公开(公告)号：CN107078693A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580055259.9
申请日：2015-09-23
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H04B15/06 , H03D7/1458 , H03D7/1483 , H03F2200/165 , H03F2200/222 , H03F2200/225 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H04B2215/064
摘要： 提供了一种用于减小电子电路中的谐波响应的装置。该装置包括RF输入，其被配置为提供在射频处操作的第一信号。该装置包括本地振荡器，其被配置为产生在本地振荡器(LO)频率处操作的第二信号。该装置包括开关混频器，其被配置为将第一和第二信号混频。该装置包括陷波滤波器，其包括并联连接的电感器和电容器。陷波滤波器直接串联耦合到开关混频器的输入。陷波滤波器被调谐以使得它的谐振频率是LO频率信号的谐波。在一个方面中，该装置还包括变压器，其被配置为提供第一信号。在一个方面中，该装置还包括第二陷波滤波器，其包括并联连接的第二电感器和第二电容器。
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