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公开(公告)号：CN106575954A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580045473.6
申请日：2015-06-26
申请人： 菲尼萨公司
IPC分类号： H03F3/45 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/6871 , H01S5/042 , H01S5/0427 , H03F3/45085 , H03F3/45179 , H03F3/45282 , H03F2203/45288 , H03F2203/45301 , H03F2203/45554 , H03F2203/45562 , H03F2203/45598 , H03F2203/45702 , H04B10/502 , H04B10/503
摘要： 一种电路，其包括第一和第二输入节点、第一和第二输出节点、第一和第二中间节点以及第一和第二电阻。该电路还包括与第一输入节点、第一电阻和第一中间节点耦合的第一放大晶体管，以及与第二输入节点、第二电阻和第二中间节点耦合的第二放大晶体管。该电路还包括与第一输出节点和第一中间节点耦合的第一有源器件，与第二输出节点和第二中间节点耦合的第二有源器件，与第一输出节点耦合并被配置成基于第二中间节点上的第二中间信号导通的第一输出晶体管，以及与第二输出节点耦合并被配置成基于第一中间节点上的第一中间信号导通的第二输出晶体管。
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公开(公告)号：CN101669289B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200880012434.6
申请日：2008-04-16
申请人： 诺基亚公司
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F3/195 , H03F3/4508 , H03F2200/294 , H03F2200/456 , H03F2203/45306 , H03F2203/45352 , H03F2203/45364 , H03F2203/45554
摘要： 一种用于直接转换接收器的下变频正交混频器级的跨导器输入电路，该电路包括：一对共栅极输入晶体管，其源极耦合至从级间RF滤波器输出的差分射频(RF)输入信号。所述跨导器电路还包括一对相同大小的偏置晶体管，该晶体管用于对该对共栅输入晶体管进行偏置。偏置晶体管的源极耦合至晶体管的源极，以感测所述差分射频输入信号，从而消除互调失真。
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公开(公告)号：CN101632183A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200880008117.7
申请日：2008-01-31
申请人： 欧姆龙株式会社 , 财团法人电气磁气材料研究所
CPC分类号： H04B5/00 , H01F5/003 , H01L43/08 , H03F3/181 , H03F3/189 , H03F3/45475 , H03F3/45991 , H03F2200/03 , H03F2200/451 , H03F2200/78 , H03F2203/45538 , H03F2203/45554 , H03F2203/45561 , H03F2203/45576 , H03F2203/45591 , H03F2203/45594 , H03F2203/45621
摘要： 一种磁耦合元件以及磁耦合型隔离器。磁耦合元件(2)具有：磁场产生电路，其具有根据输入电流而产生磁场的励磁线圈(7a、7b)；具有两个输出(12a、12b)的检测桥式电路，其具有通过施加由磁场产生电路产生的磁场而使电阻值变化的至少一对磁阻效应元件(9a、9b)，所述两个输出生成对应于磁场产生电路产生的磁场强度的电压差，通过将所述磁耦合元件(2)的磁场产生电路以及检测桥式电路的几何形状分别线对称或点对称地形成，在高频也可得到高的S/N比。
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公开(公告)号：CN105324936B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201480035424.X
申请日：2014-05-16
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03F1/0205 , H03F1/0211 , H03F1/0222 , H03F3/191 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/45085 , H03F3/45179 , H03F2200/336 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H03F2200/555 , H03F2200/78 , H03F2203/21106 , H03F2203/45481 , H03F2203/45554 , H03F2203/45638
摘要： 本发明对与多个频带对应的功率放大模块中采用包络跟踪方式的情况下的功率效率进行改善。功率放大模块包括多个功率放大电路，该功率放大电路包括：第一变压器，该第一变压器包含被输入无线频率信号的第一输入侧绕组，以及与第一输入侧绕组电磁耦合的第一输出侧绕组；第一差分放大电路，该第一差分放大电路包含其控制电极被输入从第一输出侧绕组的一端输出的第一无线频率信号的第一晶体管，以及其控制电极被输入从第一输出侧绕组的另一端输出的第二无线频率信号的第二晶体管，该第一差分放大电路输出将第一以及第二无线频率信号的差放大后得到的第一放大信号；以及第二变压器，该第二变压器包含向第一差分放大电路提供根据无线频率信号的振幅变动的电源电压，并且被输入第一放大信号的第二输入侧绕组，以及与第二输入侧绕组电磁耦合的第二输出侧绕组。
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公开(公告)号：CN103973232A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410017974.0
申请日：2014-01-15
申请人： 美国博通公司
发明人： 约尼·克里斯蒂安·考科沃里 , 若纳·尤哈尼·雷基 , 亚里·约翰内斯·海基宁
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F3/195 , H03F3/24 , H03F3/45183 , H03F3/68 , H03F3/72 , H03F2200/06 , H03F2200/09 , H03F2200/111 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2200/429 , H03F2200/451 , H03F2203/45352 , H03F2203/45394 , H03F2203/45544 , H03F2203/45554 , H03F2203/45631 , H03F2203/45638 , H03F2203/45644 , H03F2203/45731 , H03F2203/7206 , H03F2203/7209 , H03F2203/7215 , H03F2203/7236 , H04B1/0057 , H04B1/006 , H04B1/48
摘要： 本发明公开了用于射频集成电路的设备，其中，公开了用于射频集成电路的设备低噪声放大器，该射频集成电路具有自适应输入和操作模式选择。低噪声放大器包括可在不同配置下进行操作的两个输入端。操作模式可以以以下方式来选择：当使用单端配置时分别使用单个输入端，或者对于差分配置使用两个输入端。此外，在单端操作中，输入可匹配不同频率。关于操作模式的信息从外部元件获得。当设计使用特定射频集成电路的装置时可确定待使用操作模式，或者可通过使用射频集成电路的装置动态地确定待使用操作模式。
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公开(公告)号：CN103843248A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280034977.4
申请日：2012-05-18
申请人： 美国博通公司
CPC分类号： H03F3/195 , H03F1/0277 , H03F1/223 , H03F1/26 , H03F1/301 , H03F1/565 , H03F3/45179 , H03F3/45645 , H03F3/72 , H03F2200/135 , H03F2200/144 , H03F2200/156 , H03F2200/159 , H03F2200/165 , H03F2200/181 , H03F2200/222 , H03F2200/294 , H03F2200/39 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2203/45154 , H03F2203/45194 , H03F2203/45196 , H03F2203/45286 , H03F2203/45386 , H03F2203/45394 , H03F2203/45396 , H03F2203/45424 , H03F2203/45434 , H03F2203/45528 , H03F2203/45534 , H03F2203/45536 , H03F2203/45554 , H03F2203/45576 , H03F2203/45596 , H03F2203/45618 , H03F2203/45628 , H03F2203/45641 , H03F2203/45652 , H03F2203/45682 , H03F2203/45692 , H03F2203/45704 , H03F2203/7203 , H03F2203/7209 , H03F2203/7233 , H03F2203/7236
摘要： 本发明的实施例涉及可配置RFIC。在一个实施例中，提供一种包括一个或者多个可配置低噪声放大器电路的可配置射频集成电路（RFIC），所述一个或者多个可配置低噪声放大器电路中的每个可配置低噪声放大器电路在以下拓扑之间可配置：内部输入阻抗匹配拓扑，在内部输入阻抗匹配拓扑中，相应低噪声放大器电路包括适于将相应低噪声放大器的输入阻抗与给定的输入匹配的一个或者多个内部输入阻抗匹配部件，该一个或者多个内部输入阻抗匹配部件位于相应低噪声放大器电路内部；以及与该内部输入阻抗匹配拓扑不同的拓扑。
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公开(公告)号：CN103270465A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062253.6
申请日：2011-12-20
申请人： 马维尔国际贸易有限公司
CPC分类号： H03F3/16 , G05F3/262 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F3/45179 , H03F2200/555 , H03F2203/45294 , H03F2203/45301 , H03F2203/45304 , H03F2203/45311 , H03F2203/45352 , H03F2203/45544 , H03F2203/45554
摘要： 一种电流镜包括偏置支路，偏置支路包括：在电压源与接地之间串联的第一晶体管和第二晶体管；在电压源与接地之间耦合的分压器；以及运算放大器，被配置为接收分压器的分压电压和在第一晶体管与第二晶体管之间的节点的电压，并且驱动第二晶体管的栅极以将节点拉向分压电压。该电流镜还包括耦合到偏置支路的功率放大器核心。功率放大器核心包括在电压源与接地之间串联配置的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。耦合第一晶体管和第一驱动晶体管的栅极，并且耦合第二晶体管和第二驱动晶体管的栅极。
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公开(公告)号：CN101652925B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200780052114.9
申请日：2007-03-13
申请人： 艾利森电话股份有限公司
CPC分类号： H03F3/45071 , H03F1/0205 , H03F1/26 , H03F1/3211 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/513 , H03F2203/45306 , H03F2203/45318 , H03F2203/45352 , H03F2203/45396 , H03F2203/45554 , H03F2203/45638 , H03F2203/7236
摘要： 一种放大装置(10)包括第一、第二、第三和第四晶体管(M1，M2，M3，M4)。在第一和第三晶体管(M1，M3)中，源极连接到输入信号源(IN+，IN-)，栅极连接到偏置电位(VB)并且漏极连接到信号输出端(Q+，Q-)。在第一和第三晶体管(M1，M3)的源极与漏极之间分别存在第一和第二分支(B1，B2)，所述第一和第二分支均包括对应的第二或第四晶体管(M2，M4)。该装置还包括第三分支(B3)以及第四分支(B4)，所述第三分支包括连接在第一晶体管(M1)源极与第三晶体管(M3)栅极之间的第一电容器(C1)和第一开关(SW1)，所述第四分支包括连接在第三晶体管(M3)源极与第一晶体管(M1)栅极之间的第二电容器(C2)和第二开关(SW2)。
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公开(公告)号：CN101669289A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880012434.6
申请日：2008-04-16
申请人： 诺基亚公司
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F3/195 , H03F3/4508 , H03F2200/294 , H03F2200/456 , H03F2203/45306 , H03F2203/45352 , H03F2203/45364 , H03F2203/45554
摘要： 一种用于直接转换接收器的下变频正交混频器级的跨导器输入电路，该电路包括：一对共栅极输入晶体管，其源极耦合至从级间RF滤波器输出的差分射频(RF)输入信号。所述跨导器电路还包括一对相同大小的偏置晶体管，该晶体管用于对该对共栅输入晶体管进行偏置。偏置晶体管的源极耦合至晶体管的源极，以感测所述差分射频输入信号，从而消除互调失真。
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公开(公告)号：CN1758533A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510098772.4
申请日：2005-09-07
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 李廷浩
CPC分类号： H03F3/45188 , H03F2200/294 , H03F2200/372 , H03F2203/45318 , H03F2203/45396 , H03F2203/45544 , H03F2203/45548 , H03F2203/45554 , H03F2203/45638 , H03G1/0088
摘要： 提供了一种可变增益放大器。所述可变增益放大器包括：第一共阴共栅放大器，其包括第一共源极晶体管和第一共栅极晶体管；第二共阴共栅放大器，其与第一共阴共栅放大器组成差动对并且包括第二共源极晶体管和第二共栅极晶体管；和增益调节单元，其一端被连接到第一共源极晶体管的漏极和第一共栅极晶体管的源极，并且其另一端被连接到第二共源极晶体管的漏极和第二共栅极晶体管的源极。
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