发明公开
- 专利标题: RF输入跨导器级
- 专利标题(英): An RF input transconductor stage
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申请号: CN200880012434.6申请日: 2008-04-16
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公开(公告)号: CN101669289A公开(公告)日: 2010-03-10
- 发明人: P·希沃南 , A·维朗德
- 申请人: 诺基亚公司
- 申请人地址: 芬兰埃斯波
- 专利权人: 诺基亚公司
- 当前专利权人: 诺基亚技术有限公司
- 当前专利权人地址: 芬兰埃斯波
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 酆迅
- 优先权: 20075275 2007.04.19 FI
- 国际申请: PCT/FI2008/050194 2008.04.16
- 国际公布: WO2008/129122 EN 2008.10.30
- 进入国家日期: 2009-10-16
- 主分类号: H04B1/30
- IPC分类号: H04B1/30 ; H04B1/06 ; H04L23/00
摘要:
一种用于直接转换接收器的下变频正交混频器级的跨导器输入电路,该电路包括:一对共栅极输入晶体管,其源极耦合至从级间RF滤波器输出的差分射频(RF)输入信号。所述跨导器电路还包括一对相同大小的偏置晶体管,该晶体管用于对该对共栅输入晶体管进行偏置。偏置晶体管的源极耦合至晶体管的源极,以感测所述差分射频输入信号,从而消除互调失真。
公开/授权文献
- CN101669289B RF输入跨导器级 公开/授权日:2013-07-03