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公开(公告)号：CN109428561B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201810957438.7
申请日：2018-08-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够使高次谐波在宽频段衰减的功率放大电路。功率放大电路具备：功率放大器，将输入信号放大，并从输出端子输出放大信号；第一滤波器电路，具有使放大信号的N倍波衰减的频率特性，其中，N为2以上的整数；以及第二滤波器电路，具有使放大信号的N倍波衰减的频率特性，第一滤波器电路包含串联连接在输出端子与接地之间的第一电容器以及第一电感器，第二滤波器电路包含串联连接在输出端子与接地之间的第二电容器以及第二电感器。
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公开(公告)号：CN109428561A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810957438.7
申请日：2018-08-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够使高次谐波在宽频段衰减的功率放大电路。功率放大电路具备：功率放大器，将输入信号放大，并从输出端子输出放大信号；第一滤波器电路，具有使放大信号的N倍波衰减的频率特性，其中，N为2以上的整数；以及第二滤波器电路，具有使放大信号的N倍波衰减的频率特性，第一滤波器电路包含串联连接在输出端子与接地之间的第一电容器以及第一电感器，第二滤波器电路包含串联连接在输出端子与接地之间的第二电容器以及第二电感器。
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公开(公告)号：CN110995178B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201910878743.1
申请日：2019-09-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路以及功率放大器，针对多个增益的各个增益下的放大，能够以希望的值进行设计而不会导致取舍的关系。功率放大电路具备将高频信号放大的第1放大部和将高频信号放大的第2放大部。第1放大部包含：第1匹配电路，进行与前级的电路的阻抗匹配；和第1放大电路，将通过了第1匹配电路之后的高频信号放大。第2放大部包含：第2匹配电路，进行与前级的电路的阻抗匹配；电阻，一端与第2匹配电路电连接；和第2放大电路，与电阻的另一端电连接，将通过了电阻之后的高频信号放大。
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公开(公告)号：CN114944825A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210126980.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路，即便输出等级阶段性地变化也能够抑制失真特性的恶化。功率放大电路具备：第一晶体管，其具有与输入端子连接的基极、与输出端子连接的集电极以及接地的发射极；第一偏置电路，其通过第一电阻元件与第一晶体管的基极连接，向第一晶体管供给偏置；第二晶体管，其具有与输入端子连接的基极、与输出端子连接的集电极以及接地的发射极；第二偏置电路，其通过第二电阻元件与第二晶体管的基极连接，向第二晶体管供给偏置；以及第一阻抗电路，其具有连接在第一晶体管的基极与输入端子之间的第一端以及连接在第一偏置电路与第一电阻元件之间的第二端，相对于直流分量为开路且相对于交流分量为导通。
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公开(公告)号：CN110995178A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910878743.1
申请日：2019-09-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路以及功率放大器，针对多个增益的各个增益下的放大，能够以希望的值进行设计而不会导致取舍的关系。功率放大电路具备将高频信号放大的第1放大部和将高频信号放大的第2放大部。第1放大部包含：第1匹配电路，进行与前级的电路的阻抗匹配；和第1放大电路，将通过了第1匹配电路之后的高频信号放大。第2放大部包含：第2匹配电路，进行与前级的电路的阻抗匹配；电阻，一端与第2匹配电路电连接；和第2放大电路，与电阻的另一端电连接，将通过了电阻之后的高频信号放大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105591622B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510733710.X
申请日：2015-11-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/0222 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/451 , H03F2200/516 , H03F2200/555
Abstract: 本发明涉及可改善大输出时功率放大器的功率附加效率的功率放大器。所述功率放大器包括：将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第一晶体管；集电极被施加电源电压、将偏置电压或偏置电流从发射极提供给第一晶体管的基极的第二晶体管；集电极与第一晶体管的集电极相连接、将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第三晶体管；基极与集电极相连接、将偏压从发射极提供给第三晶体管的基极的第四晶体管；以及一端被施加偏置控制电压、另一端与第二和第四晶体管的基极相连接的第一电阻器。
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公开(公告)号：CN115225040A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210424163.7
申请日：2022-04-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 山田孝
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，抑制高频输出信号的高频输入信号依赖性及斜率。包含多级连接的多个功率放大器、分别基于多个控制电流来分别输出多个偏置电流的多个偏置电路、和基于控制电压将多个控制电流输出到多个偏置电路的控制电路。多个功率放大器在初级包含电并联连接的第1及第2功率放大器。多个偏置电路包含第1及第2偏置电路。控制电路包含：第1电流输出部，将在控制电压为第1阈值电压的情况下成为第1电流值且在控制电压大于第1阈值电压的情况下根据控制电压而线性地增加的第1控制电流输出到第1偏置电路；及第2电流输出部，将在控制电压为第1阈值电压以上的情况下成为固定的第2电流值的第2控制电流输出到第2偏置电路。
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公开(公告)号：CN105591622A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510733710.X
申请日：2015-11-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03F1/0205 , H03F1/0222 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F2200/451 , H03F2200/516 , H03F2200/555
Abstract: 本发明涉及可改善大输出时功率放大器的功率附加效率的功率放大器。所述功率放大器包括：将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第一晶体管；集电极被施加电源电压、将偏置电压或偏置电流从发射极提供给第一晶体管的基极的第二晶体管；集电极与第一晶体管的集电极相连接、将输入到基极的输入信号放大并从集电极输出的第三晶体管；基极与集电极相连接、将偏压从发射极提供给第三晶体管的基极的第四晶体管；以及一端被施加偏置控制电压、另一端与第二和第四晶体管的基极相连接的第一电阻器。
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公开(公告)号：CN214900804U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202120473414.1
申请日：2021-03-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 提供能够良好地对功率放大电路中产生的热进行散热的功率放大模块。功率放大模块具有：基板；放大电路，包括搭载于基板的多个晶体管和与多个晶体管连接的凸块；高次谐波终止电路以及输出匹配电路，设置在基板，与放大电路电连接；连接焊盘，设置在基板，与凸块连接；多个连接布线，从连接焊盘分支，多个连接布线至少包括将连接焊盘和高次谐波终止电路连接的第1连接布线、将连接焊盘和输出匹配电路连接的第2连接布线、以及将连接焊盘和外部电源连接的第3连接布线。
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公开(公告)号：CN209627331U
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201920360611.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 山田孝
IPC: H03F1/26
Abstract: 一种半导体装置，具备：基板，具有被供给接地电位的接地部；半导体芯片，安装在基板上，具有第一输出端子、第二输出端子、第一终止端子、以及接地端子；第一放大器，形成在半导体芯片的第一区域，将第一频带的第一输入信号放大并从第一输出端子经由第一输出导线输出第一放大信号；第二放大器，形成在半导体芯片的第二区域，将第二频带的第二输入信号放大并从第二输出端子经由第二输出导线输出第二放大信号；第一高次谐波终止电路，具有使第一放大信号包含的高次谐波分量衰减的频率特性，并具有将第一终止端子和接地部电连接的第一导线；以及接地导线，在半导体芯片的主面的俯视下设置在第一导线与第二输出导线之间，将接地端子和接地部电连接。
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