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公开(公告)号：CN110660791A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910578253.X
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种相移器，包含主动区、第一栅极组、第二栅极组和接触物组。主动区在第一方向上延伸且定位在第一层级。第一栅极组在第二方向上延伸，其与主动区重叠且定位在第二层级。接触物组在第二方向上延伸，其在主动区的上方并定位在第三层级，且设置在至少第二栅极组之间。
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公开(公告)号：CN102457229B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201110249556.0
申请日：2011-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H03B27/00 , H03B5/1215 , H03B5/1228
Abstract: 本发明提供了一种正交振荡器及生成正交信号的方法。正交振荡器包含一第一振荡器，具有一第一二阶谐波节点，一第二振荡器，具有一第二二阶谐波节点，至少一电容器与所述第一二阶谐波节点和所述第二二阶谐波节点耦合。第一振荡器用于提供一同相信号，第二振荡器用于提供一正交信号。本发明提供的正交振荡器能够提升相位噪声性能，且在没有任何相位噪声降低、额外功耗、电压余量耗散或任何LC谐振频率影响的情况下具有相对紧凑的芯片面积。
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公开(公告)号：CN116344543A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310079301.7
申请日：2023-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L23/482 , H01L21/8234 , H03B5/12 , H03F3/16
Abstract: 集成电路的单元布局设计。在一个实施例中，集成电路包括双栅极单元，其形成经由公共源极/漏极端子相互连接的两个晶体管。双栅极单元包括有源区、延伸跨越有源区的两个栅极线、设置在两个栅极线中的一个或两个上且与有源区重叠的至少一个第一栅极通孔、以及设置在两个栅极线中的一个或两个上且位于有源区之外的第二栅极通孔。本申请的实施例还公开了集成电路、用于连接电路的晶体管的单元及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102543943B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201110092413.3
申请日：2011-04-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01F30/06 , H01L29/94 , H01L21/334
CPC classification number: H01L23/5227 , H01F17/0006 , H01F2017/0086 , H01L23/5223 , H01L2924/0002 , Y10T29/41 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具旁路电容器的变压器及其制造方法，该变压器包括：一第一线圈，建构于一半导体基质上的一第一金属层，该第一线圈具有一第一片段以及一第二片段；一第二线圈，建构于该第一金属层，该第一片段与该第二线圈的一第一部位相邻，而该第二片段与该第二线圈的一第二部位相邻；一第一电容器，以一第一电极连接至一第一节点，该第一节点导通于该第一片段对该第二线圈之间；以及一第二电容器，以一第二电极连接至一第二节点，该第二节点导通于该第二片段与该第二线圈之间。本文所揭示的变压器/巴伦解决耦合系数k与高共振频率无法兼顾的问题。此外，k值与互感值M皆通过电容器C1与C2的变容器获得调整。
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公开(公告)号：CN107968630A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201710661775.7
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03B5/12
CPC classification number: H03B5/1212 , H03B5/04 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/124 , H03B5/1243 , H03B5/1296
Abstract: 本发明实施例涉及一种具超低功耗的电压控制振荡器。具体而言，本发明的一些实施例揭露一种电压控制振荡器“VCO”电路。所述VCO包含：开关模块，其包括第一晶体管及第二晶体管；第一LC槽模块，所述第一LC槽模块可操作地连接在所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的漏极之间；及第二LC槽模块，所述第二LC槽模块可操作地连接在所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极之间，所述第一晶体管的源极及所述第二晶体管的源极经可操作地连接。
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公开(公告)号：CN103166573B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210343283.0
申请日：2012-09-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03B5/18
CPC classification number: H03B5/1228 , H03B5/1212 , H03B5/124 , H03B5/1852
Abstract: 一种压控振荡器电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第一谐振电路、第二谐振电路、第一电流路径和第二电流路径。第一晶体管的漏极连接至第二晶体管的栅极以及第一谐振电路的第一端。第一晶体管的源极连接至第一电流路径以及第二谐振电路的第一端。第二晶体管的漏极连接至第一晶体管的栅极以及第一谐振电路的第二端。第二晶体管的源极连接至第二电流路径和第二谐振电路的第二端。
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公开(公告)号：CN118198069A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410215883.1
申请日：2024-02-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/82 , H01L23/64
Abstract: 集成电路器件包括在衬底的前侧处彼此堆叠的第一类型晶体管和第二类型晶体管。第二类型晶体管位于第一类型晶体管和衬底之间。集成电路器件也包括：前侧电感器，具有位于第一类型晶体管和第二类型晶体管之上的前侧上部金属层中的一个或多个导体；以及背侧电感器，具有位于衬底的背侧处的背侧下部金属层中的一个或多个导体。前侧电感器、第一类型晶体管和第二类型晶体管在背侧电感器正上方形成堆叠件。本申请的实施例还涉及形成集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN107437559A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710333810.2
申请日：2017-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L21/28035 , H01L21/28132 , H01L21/32133 , H01L29/0847 , H01L29/42376 , H01L29/4916 , H01L29/6656 , H01L29/66659 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/78
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体结构及用于形成半导体结构的方法。有源半导体区域安置于衬底中。栅极形成于所述衬底上方。晶体管的源极区域及漏极区域形成于所述有源半导体区域中在所述栅极的对置侧上。所述漏极区域具有第一宽度，且所述源极区域具有不等于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN107070421A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611024479.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03F3/21
CPC classification number: H03F1/565 , H03F1/347 , H03F3/193 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/294 , H03F2200/451 , H03F2200/534 , H03F3/21
Abstract: 本发明揭示了一种放大器，其包含输入节点、输出节点、晶体管及变压器。所述输入节点经配置以接收第一信号。所述输出节点经配置以输出经放大第一信号。所述晶体管包含第一端子、第二端子及第三端子。所述第一端子耦合到所述输入节点及第一供应电压源。所述第二端子耦合到第二供应电压源及所述输出节点。所述第三端子耦合到参考节点。所述变压器耦合到所述第一端子及所述第三端子。所述晶体管经配置以在亚阈值区域及近三极管区域中操作。
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