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公开(公告)号：CN112151676B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010955885.6
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N97/00 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。
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公开(公告)号：CN114284382B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110448356.1
申请日：2021-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , G02B6/122
Abstract: 本公开提供一种半导体器件形成半导体器件的方法。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结构之间。
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公开(公告)号：CN113484948A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110675284.4
申请日：2021-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 根据本发明的半导体结构包括掩埋氧化物层、设置在掩埋氧化物层上方的第一介电层、设置在第一介电层中的第一波导部件、设置在第一介电层和第一波导部件上方的第二介电层、设置在第二介电层上方的第三介电层以及设置在第二介电层和第三介电层中的第二波导部件。第二波导部件设置在第一波导部件上方，并且第二波导部件的部分与第一波导部件的部分垂直地重叠。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN111103658A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911021486.6
申请日：2019-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露公开具有用于光学通信的高耦合效率的光栅耦合器。在一个实施例中，公开一种用于光学耦合的设备。所述设备包括：衬底；光栅耦合器，包括位于衬底之上的多个耦合光栅，其中所述多个耦合光栅中的每一者在第一横向方向上延伸且在第二横向方向上具有具有中间凸起形状的横截面，其中第一横向方向与第二横向方向平行于衬底的表面且在光栅平面中彼此垂直；以及包覆层，包含光学介质，其中光栅耦合器被包覆层填充。
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公开(公告)号：CN108988852A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810555357.4
申请日：2018-06-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03L7/099
Abstract: 全数字锁相环路接收用于使全数字锁相环路内的模拟电路运行的模拟输入电源电压。本公开的实施例的全数字锁相环路将模拟输入电源电压按比例调整以提供用于使全数字锁相环路内的数字电路运行的数字输入电源电压。模拟电路包含时间数字转换器以测量全数字锁相环路内的相位误差。时间数字转换器的分辨率至少部分地依赖于数字输入电源电压。数字电路调节数字输入电源电压以稳定在工艺、电压及/或温度变化时的时间数字转换器的分辨率。此稳定的时间数字转换器的分辨率可使得全数字锁相环路保持在工艺、电压及/或温度变化时的固定带内相位噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104052442B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201310595454.3
申请日：2013-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K17/00 , H03K17/687 , H04B1/40
Abstract: 本发明提供了一种或多种用于限制天线与射频开关电路之间的电势的系统和技术。本发明提供了一种用于射频开关电路的电压控制器，电压控制器包括电压发生器、电压检测电路和开关单元。电压检测电路连接至电压发生器和开关单元，而开关单元连接至电压源和射频开关电路与天线之间的节点。当电势超过规定阈值时，电压发生器生成电压检测电路测量到的电压，使电压检测电路启动开关单元，造成射频开关电路与电压源之间的短路。例如，这用于抑制电势超过规定阈值。本发明还提供了一种在射频开关电路中应用电源控制器的方法。
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公开(公告)号：CN108666369A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710347125.5
申请日：2017-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 周淳朴
Abstract: 一种半导体元件包括：衬底以及晶体管，所述晶体管包括形成在所述衬底上的源极、漏极及栅极。所述半导体元件进一步包括：深井，其形成在所述衬底中位于所述衬底的表面之下的预定距离处；以及触点，其被配置成将所述深井电耦合至电压源，使得电压能够施加至所述深井而生成用于降低所述晶体管与所述衬底之间的寄生电容的衬底耗尽区。
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公开(公告)号：CN104733427B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410100617.0
申请日：2014-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H03L7/099 , H03L7/18
CPC classification number: H01F27/42 , H01F21/12 , H01F27/2804 , H01F27/40 , H01F29/02 , H01F2021/125 , H01L23/5226 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/585 , H01L27/0688 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B5/1256 , H03B2201/0216 , H03L7/099
Abstract: 本发明提供了具有螺旋电感器的可变电感器、包括其的压控振荡器及锁相环。一种可变电感器包括衬底上方的螺旋电感器，螺旋电感器包括环状部分。可变电感器进一步包括：衬底上方的接地环，接地环至少围绕螺旋电感器的环状部分；以及衬底上方的浮置环，浮置环设置在接地环和螺旋电感器之间。可变电感器进一步包括开关阵列，该开关阵列被配置为将接地环选择性地连接至浮置环。
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公开(公告)号：CN107437538A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201611114134.1
申请日：2016-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 在芯片的多层级金属互连系统的多个层内形成垂直的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。垂直的MIM电容器具有第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的高k电容器介电材料。电容器介电材料的介电常数大于层间介电(ILD)材料的介电常数。从垂直定向、相互交叉的部分第一电极和第二电极之间去除ILD后，电容器介电材料的介电常数大于设置在第一电极和第二电极之间的ILD材料的介电常数。本发明的实施例还涉及集成电路、垂直的金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107040278A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611039315.2
申请日：2016-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H04B1/1027 , H01L23/66 , H04B1/0475 , H04B1/0483 , H04B2001/0416 , H04L25/028 , H04L25/0292 , H04L25/03 , H04L25/03878 , H04B1/401 , H04B1/0067 , H04B1/0458 , H04B1/123 , H04B1/18
Abstract: 本发明提供一种射频互连件。一种射频互连件包含多个发射器。每一发射器与多个载波中的个别载波相关联。所述射频互连件还包含与所述发射器以通信方式耦合的传输信道及与所述传输信道以通信方式耦合的多个接收器。每一接收器与相应载波相关联。位于所述传输信道的发射器侧上的组合器在所述发射器与所述传输信道之间与所述发射器耦合。位于所述传输信道的接收器侧上的解耦器在所述接收器与所述传输信道之间与所述接收器耦合。所述射频互连件还包含以通信方式耦合在所述多个发射器与所述多个接收器之间的至少一个信道损失补偿电路。
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