Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件以及用于形成半导体器件的方法
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Application No.: CN202110448356.1Application Date: 2021-04-25
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Publication No.: CN114284382BPublication Date: 2024-06-14
- Inventor: 石志聪 , 卢皓彦 , 徐英杰 , 斯帝芬鲁苏 , 周淳朴
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- Agency: 南京正联知识产权代理有限公司
- Agent 顾伯兴
- Main IPC: H01L31/105
- IPC: H01L31/105 ; H01L31/0352 ; H01L31/0232 ; H01L31/18 ; G02B6/122
Abstract:
本公开提供一种半导体器件形成半导体器件的方法。半导体器件包含位于第一介电层上方的波导。波导的第一部分具有第一宽度，且波导的第二部分具有大于第一宽度的第二宽度。半导体器件包含第一掺杂半导体结构和第二掺杂半导体结构。波导的第二部分位于第一掺杂半导体结构与第二掺杂半导体结构之间。
Public/Granted literature
- CN114284382A 半导体器件以及用于形成半导体器件的方法 Public/Granted day:2022-04-05
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IPC分类:
