Invention Grant
- Patent Title: 具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法
-
Application No.: CN202010955885.6Application Date: 2014-11-17
-
Publication No.: CN112151676BPublication Date: 2024-08-27
- Inventor: 周淳朴 , 柯志欣 , 邱博文 , 郑兆钦 , 吕俊颉 , 黄崎峰 , 陈焕能 , 薛福隆
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹
- Agency: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- Agent 章社杲; 李伟
- Main IPC: H10N97/00
- IPC: H10N97/00 ; H01L23/522 ; H01L23/532 ; H01L21/768
Abstract:
本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。
Public/Granted literature
- CN112151676A 具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法 Public/Granted day:2020-12-29
Information query
