公开(公告)号：CN109560038A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811259296.3

申请日：2013-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈新瑜 ,  杨固峰 ,  吴采蓉 ,  黄麟智 ,  刘源鸿 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/522 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明公开了互连结构及方法，其中一种装置包括：形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层，介电层包括金属结构，该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。

公开(公告)号：CN1905196A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610007677.3

申请日：2006-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  傅士奇 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明是有关于一种电流可抹除可程式只读记忆体元件及其制造方法。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件，至少包含一浮动闸极电极，该浮动闸极包含一外部边缘部分。其中，该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。该电流可抹除可程式只读记忆体的元件的形成方法，至少包括下列步骤：形成一浮动闸极电极，其中该浮动闸极电极包含一外部边缘部分，该外部边缘部分包含复数电荷转换点的尖锐尖端。本发明可以改善元件的功能、可靠度以及配合记忆体尺寸的缩小所需的制程空间，非常适于实用。

公开(公告)号：CN103456601B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201210425190.2

申请日：2012-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张俊华 ,  叶德强 ,  郑光伟 ,  刘源鸿 ,  侯上勇 ,  邱文智 ,  郑心圃

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/60 ,  H01L29/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了设计用于诸如中介片的衬底的电容器及其制造方法。在中介片中形成通孔，并且在底层金属层和更高层金属层之间形成电容器。例如，电容器可以是具有双电容器介电层的平面电容器。

公开(公告)号：CN102651355B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210010816.3

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  杨固峰 ,  郭佩菁 ,  钟明慈 ,  陈新瑜 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 集成电路包括具有第一表面和第二表面的衬底。至少一个传导结构连续地延伸穿过衬底。至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。本发明还提供了包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法。

公开(公告)号：CN101281891A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200710139912.7

申请日：2007-08-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  刘源鸿 ,  萧国裕 ,  谢元智 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L23/48 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48505 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有接合垫的半导体装置。该半导体装置包括：一第一基板，包含一元件区域以及一接合区域，其中该第一基板具有一上表面以及一底部表面；一半导体元件，设置于该元件区域的该第一基板的上表面上；一第一金属间介电层，至少形成于该接合区域的该第一基板的上表面；一最底层的金属图案，设置于该第一金属间介电层之中，其中该最底层的金属图案作为接合垫；以及一开口，穿过该第一基板，且露出该最底层的金属图案。通过本发明，可以获得更佳的CMOS图像传感器的接合垫以及接合导线之间接合品质，例如提升两者的黏合度，借此，可防止接合导线剥落。

公开(公告)号：CN100394580C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200610003592.8

申请日：2006-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  吴志达 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  林文钦 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/22 ,  H01L43/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: H01L43/12 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方形成绝缘层。接着使用平坦化制程以移除部分绝缘层。然后于罩幕层里形成一传导介电层，如使用一镶嵌制程。再于罩幕层及传导介层窗的上方形成传导存储线。

公开(公告)号：CN1825603A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610001625.5

申请日：2006-01-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 傅士奇 ,  刘源鸿 ,  林国楹 ,  许峰嘉 ,  蔡嘉雄 ,  郭景森 ,  陈界璋

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14654

Abstract: 本发明提供一种形成在内层介电层(ILD)的导光特征(light－directing feature)，结合抗反射层(AR)，可同时有效增加量子效率与抗扰性，因此改善感光集成电路之光子表现的方法。其步骤包含形成多个光传感器单元在半导体基材上，接着，形成抗反射层在这些光传感器单元上，此抗反射层实质上不会使入射光产生反射，然后，形成内层介电层在此抗反射层之上，其中内层介电层包含形成在其开口的多个导光特征，且这些导光特征位于抗反射层上以及部分光传感器单元之上方。

公开(公告)号：CN102651355A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210010816.3

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  杨固峰 ,  郭佩菁 ,  钟明慈 ,  陈新瑜 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 集成电路包括具有第一表面和第二表面的衬底。至少一个传导结构连续地延伸穿过衬底。至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。本发明还提供了包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法。

公开(公告)号：CN101330003B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200810085960.7

申请日：2008-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志达 ,  李正德 ,  王从建 ,  林杏莲 ,  王郁仁 ,  杜友伦 ,  徐晨祐 ,  刘源鸿 ,  罗际兴 ,  蔡嘉雄 ,  张舒雯 ,  陈佳麟 ,  蔡明志

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/75

Abstract: 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，该方法包括形成一底电极，接着在含氧环境中处理该底电极以将底电极的上层部分转化形成缓冲层，再于该缓冲层上形成一绝缘层，然后形成上电极覆盖于绝缘层上。

公开(公告)号：CN101231971A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710148569.2

申请日：2007-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘铭棋 ,  傅士奇 ,  刘源鸿 ,  陈威智 ,  罗际兴

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L24/05 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有接合垫的互补式金属氧化物半导体影像感测器及其形成方法，上述互补式金属氧化物半导体影像感测器包括：半导体衬底，具有像素区域以及电路区域；钝化层，位于该半导体衬底上，该钝化层具有开口；以及接合垫，位于该电路区域中，其中该接合垫不延伸于该钝化层的上方。本发明可明显降低接合垫与钝化层之间的高度差，因此可消除半导体衬底上因旋转涂布导致的散射缺陷，并可降低平坦化层的厚度从而提高CMOS影像感测器的光学性能。