公开(公告)号：CN103681597A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310144272.4

申请日：2013-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈新瑜 ,  杨固峰 ,  吴采蓉 ,  黄麟智 ,  刘源鸿 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5384 ,  H01L27/0617 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了互连结构及方法，其中一种装置包括：形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层，介电层包括金属结构，该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。

公开(公告)号：CN109560038A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811259296.3

申请日：2013-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈新瑜 ,  杨固峰 ,  吴采蓉 ,  黄麟智 ,  刘源鸿 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/522 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明公开了互连结构及方法，其中一种装置包括：形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层，介电层包括金属结构，该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。