公开(公告)号：CN110444482B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201910131889.X

申请日：2019-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  吴集锡 ,  叶德强 ,  吴仓聚 ,  邱文智 ,  叶名世

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明实施例提供一种用于将垂直取向的组件的顶部电极耦合到衬底的高高宽比通孔，其中组件的顶部电极通过导电桥接件耦合到通孔，且其中组件的底部电极耦合到衬底。一些实施例通过组件晶片来安装组件且在将组件安装到衬底的同时将组件分离。一些实施例将各别的组件安装到衬底。

公开(公告)号：CN113764334A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110463756.X

申请日：2021-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟明慈 ,  杨固峰 ,  吴仓聚 ,  邱文智 ,  余振华

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 方法包括在半导体衬底上方形成多个介电层，蚀刻多个介电层和半导体衬底以形成开口，沉积延伸到开口中的第一衬垫，在第一衬垫上方沉积第二衬垫。第二衬垫延伸到开口中。方法还包括将导电材料填充到开口中以形成通孔，以及在半导体衬底的相对侧上形成导电部件。导电部件通过通孔电互连。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN113097130A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110244176.1

申请日：2021-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  吴仓聚 ,  邱文智 ,  余振华

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 在实施例中，器件包括：包括第一衬底和第一互连结构的第一晶圆，第一互连结构的侧壁与第一衬底的侧壁形成钝角；以及接合到该第一晶圆的第二晶圆，该第二晶圆包括第二衬底和第二互连结构，第一衬底的侧壁从该第二衬底的侧壁和该第二互连结构的侧壁横向地偏移。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN107039249B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201610919590.7

申请日：2016-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L21/18 ,  H01L25/07 ,  H01L23/525

Abstract: 本发明实施例公开了分割和接合方法以及由此形成的结构。方法包括分割第一芯片，以及在分割第一芯片之后，接合第一芯片至第二芯片。第一芯片包括第一半导体衬底和位于第一半导体衬底的正面上的第一互连结构。分割第一芯片包括通过第一半导体衬底的背面蚀刻穿过第一互连结构。

公开(公告)号：CN102651355B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210010816.3

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘源鸿 ,  杨固峰 ,  郭佩菁 ,  钟明慈 ,  陈新瑜 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 集成电路包括具有第一表面和第二表面的衬底。至少一个传导结构连续地延伸穿过衬底。至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。本发明还提供了包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法。

公开(公告)号：CN102208393A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201010525799.8

申请日：2010-10-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张宏宾 ,  邱建明 ,  吴仓聚 ,  眭晓林 ,  余振华

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件与其形成方法，应用于堆叠裸片形态的多层内连线结构。首先形成多个穿透基板通孔于半导体基板中。接着薄化半导体基板的背面以露出穿透基板通孔。之后形成绝缘膜于半导体基板背面上与露出的穿透基板通孔上。之后形成的第一导电单元分别电性耦合至每一穿透基板通孔，且第一导电单元延伸于绝缘膜上。接着形成一或多个额外绝缘膜与导电单元。之后形成连线单元如焊球以电性耦合至最上层的导电单元。本发明可避免或减少扩散的问题。

公开(公告)号：CN118280975A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311657487.6

申请日：2023-12-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邹贤儒 ,  吴仓聚 ,  陈怡秀 ,  林咏淇

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/48

Abstract: 在一实施例中，装置包括集成电路管芯，集成电路管芯包括第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁，其中集成电路管芯的第三侧壁连接到集成电路管芯的第一侧壁和集成电路管芯的第二侧壁，其中集成电路管芯的第三侧壁形成集成电路管芯的倒角；第一电介质围绕集成电路管芯；半导体特征设置在集成电路管芯之上，其中半导体特征包括第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁，其中半导体特征的第三侧壁连接到半导体特征的第一侧壁和半导体特征的第二侧壁，且形成半导体特征的倒角；以及围绕半导体特征的第二电介质。

公开(公告)号：CN116344440A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202210903442.1

申请日：2022-07-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承祐 ,  杨固峰 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

Abstract: 介绍了半导体器件及其制造方法，该方法在半导体衬底上方形成金属化层；在金属化层上方形成第一焊盘；在第一焊盘上方沉积一个或多个钝化层；以及穿过一个或多个钝化层并且至少部分穿过第一焊盘形成第一接合焊盘通孔。

公开(公告)号：CN109560038A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811259296.3

申请日：2013-04-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈新瑜 ,  杨固峰 ,  吴采蓉 ,  黄麟智 ,  刘源鸿 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/522 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明公开了互连结构及方法，其中一种装置包括：形成在衬底的第一侧上的层间介电层、形成在层间介电层上方的包括第一金属线的第一金属化层以及形成在第一金属化层上方的介电层，介电层包括金属结构，该金属结构具有与第一金属线的顶面共面的底面。

公开(公告)号：CN105514073B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510621969.5

申请日：2015-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗晓筠 ,  林咏淇 ,  薛仰志 ,  吴仓聚 ,  邱文智

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53242 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L29/43 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了一种互连结构和用于提供互连结构的方法，该互连结构包括具有减小的形貌变化的导电部件。互连结构包括设置在衬底上方的接触焊盘。接触焊盘包括第一导电材料的第一层和位于第一层上方的第二导电材料的第二层。第一导电材料和第二导电材料由基本相同的材料制成并且具有第一平均晶粒尺寸和第二平均晶粒尺寸，第二平均晶粒尺寸小于第一平均晶粒尺寸。互连结构还包括覆盖衬底和接触焊盘的钝化层，并且钝化层具有暴露出接触焊盘的开口。本发明还涉及具有限制层的互连结构。