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公开(公告)号：CN119495579A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411152309.2
申请日：2024-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在封装器件中，其中，集成电路器件接合至衬底，可以通过将应力缓冲空气间隙掺入至保护材料(诸如间隙填充氧化物)中来减轻或消除由机械应变、CTE失配等引起的应力。空气间隙可以通过在沉积工艺期间调整和改变沉积参数和/或通过调整封装件中的相邻集成电路器件的尺寸和放置和/或通过在接合工艺之前在保护材料中形成沟槽来形成。本申请的实施例还涉及封装器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN119108376A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411111620.2
申请日：2024-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , H01L23/10
Abstract: 封装件包括：第一管芯，位于第二管芯的第一侧上方并且接合至第二管芯的第一侧，其中，第二管芯包括：第一衬底；第一互连结构，位于第一衬底上方；密封环，设置在第一互连结构内；第一伪衬底通孔(TSV)，延伸穿过第二管芯的第一衬底的边缘区域并且与密封环物理接触；以及功能TSV，延伸穿过第二管芯的第一衬底的中心区域。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109860066B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201810495733.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于接合半导体装置的方法和设备。在实施例中，所述方法可包含：将第一管芯附接到倒装模块的倒装头，使用倒装模块倒装第一管芯，在倒装第一管芯之后从倒装模块去除第一管芯，在去除第一管芯之后检查倒装模块的倒装头是否污染，在检查倒装头之后使用就地清洁模块来清洁倒装头，以及在清洁倒装头之后将第二管芯附接到倒装头。
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公开(公告)号：CN119694895A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411769734.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 描述了一种接合半导体芯片的方法。该方法包括以下步骤。半导体芯片被设置在接合装置的卡盘台上。驱动接合装置的接合头以从支撑台拾取第一半导体芯片，其中第一半导体芯片具有第一翘曲量。驱动接合头以将第一半导体芯片移动至位于半导体晶片的第一接合区域上方的位置。使用变形机构执行变形工艺，以使卡盘台和半导体晶片的第一接合区域变形而具有第一变形量，其中第一变形量对应于第一翘曲量。在保持第一变形量的同时，将第一半导体芯片接合到半导体晶片的第一接合区域。释放变形机构对于卡盘台的变形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119108340A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411111638.2
申请日：2024-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 一种形成封装结构的方法包括将器件管芯接合至封装组件上。器件管芯包括半导体衬底和延伸到半导体衬底中的贯通孔。该方法还包括沉积介电衬垫以衬在器件管芯的侧壁上；在介电衬垫上沉积介电层；以及平坦化介电层和第一器件管芯。介电衬垫和介电层的剩余部分形成间隙填充区域，并且露出贯通孔的顶端。执行注入工艺以将应力调制掺杂剂引入到介电衬垫和介电层中的至少一个中。在贯通孔上方形成再分布线，并且再分布线电连接至贯通孔。本公开的实施例还涉及封装结构。
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公开(公告)号：CN105514073A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510621969.5
申请日：2015-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/2885 , H01L21/76847 , H01L21/7685 , H01L21/76885 , H01L21/76898 , H01L23/525 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L29/43 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03616 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05005 , H01L2224/05018 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05099 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05541 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/1131 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/207 , H01L2224/0346 , H01L2224/05599 , H01L2224/05684
Abstract: 本发明公开了一种互连结构和用于提供互连结构的方法，该互连结构包括具有减小的形貌变化的导电部件。互连结构包括设置在衬底上方的接触焊盘。接触焊盘包括第一导电材料的第一层和位于第一层上方的第二导电材料的第二层。第一导电材料和第二导电材料由基本相同的材料制成并且具有第一平均晶粒尺寸和第二平均晶粒尺寸，第二平均晶粒尺寸小于第一平均晶粒尺寸。互连结构还包括覆盖衬底和接触焊盘的钝化层，并且钝化层具有暴露出接触焊盘的开口。本发明还涉及具有限制层的互连结构。
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公开(公告)号：CN109860066A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201810495733.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于接合半导体装置的方法和设备。在实施例中，所述方法可包含：将第一管芯附接到倒装模块的倒装头，使用倒装模块倒装第一管芯，在倒装第一管芯之后从倒装模块去除第一管芯，在去除第一管芯之后检查倒装模块的倒装头是否污染，在检查倒装头之后使用就地清洁模块来清洁倒装头，以及在清洁倒装头之后将第二管芯附接到倒装头。
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公开(公告)号：CN105514073B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510621969.5
申请日：2015-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/2885 , H01L21/76847 , H01L21/7685 , H01L21/76885 , H01L21/76898 , H01L23/525 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L29/43 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03616 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/05005 , H01L2224/05018 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05099 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05541 , H01L2224/05552 , H01L2224/05567 , H01L2224/05568 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/0558 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/0568 , H01L2224/05681 , H01L2224/1131 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2924/00 , H01L2924/00011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种互连结构和用于提供互连结构的方法，该互连结构包括具有减小的形貌变化的导电部件。互连结构包括设置在衬底上方的接触焊盘。接触焊盘包括第一导电材料的第一层和位于第一层上方的第二导电材料的第二层。第一导电材料和第二导电材料由基本相同的材料制成并且具有第一平均晶粒尺寸和第二平均晶粒尺寸，第二平均晶粒尺寸小于第一平均晶粒尺寸。互连结构还包括覆盖衬底和接触焊盘的钝化层，并且钝化层具有暴露出接触焊盘的开口。本发明还涉及具有限制层的互连结构。
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