公开(公告)号：CN119694895A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202411769734.6

申请日：2024-12-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育生 ,  薛仰志 ,  蔡延佐 ,  钟明慈 ,  林咏淇 ,  陈燕铭

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了一种接合半导体芯片的方法。该方法包括以下步骤。半导体芯片被设置在接合装置的卡盘台上。驱动接合装置的接合头以从支撑台拾取第一半导体芯片，其中第一半导体芯片具有第一翘曲量。驱动接合头以将第一半导体芯片移动至位于半导体晶片的第一接合区域上方的位置。使用变形机构执行变形工艺，以使卡盘台和半导体晶片的第一接合区域变形而具有第一变形量，其中第一变形量对应于第一翘曲量。在保持第一变形量的同时，将第一半导体芯片接合到半导体晶片的第一接合区域。释放变形机构对于卡盘台的变形。

公开(公告)号：CN104979334B

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201410256010.1

申请日：2014-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承佑 ,  魏琮商 ,  林育生 ,  邱文智 ,  郑心圃

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。根据实施例，第一半导体管芯和第二半导体管芯接合至第一衬底。在第一半导体管芯和第二半导体管芯的上方并且在它们之间形成保护盖。将密封剂布置在保护盖的上方，并且去除密封剂的部分以露出保护盖，或者可选地露出第一半导体器件和第二半导体器件。然后，第一衬底可接合至第二衬底。

公开(公告)号：CN104979334A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410256010.1

申请日：2014-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承佑 ,  魏琮商 ,  林育生 ,  邱文智 ,  郑心圃

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/4817 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/16 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/60 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1144 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/1403

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。根据实施例，第一半导体管芯和第二半导体管芯接合至第一衬底。在第一半导体管芯和第二半导体管芯的上方并且在它们之间形成保护盖。将密封剂布置在保护盖的上方，并且去除密封剂的部分以露出保护盖，或者可选地露出第一半导体器件和第二半导体器件。然后，第一衬底可接合至第二衬底。