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公开(公告)号：CN114975133A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210116113.2
申请日：2022-02-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及异质电介质键合方案。一种方法包括：将第一封装组件置为与第二封装组件接触。第一封装组件包括第一电介质层，该第一电介质层包括第一电介质材料，并且第一电介质材料是基于氧化硅的电介质材料。第二封装组件包括第二电介质层，该第二电介质层包括第二电介质材料，该第二电介质材料不同于第一电介质材料。第二电介质材料包括硅和另外的元素，该元素选自由以下项组成的组：碳、氮、及其组合。执行退火工艺以将第一电介质层与第二电介质层进行键合。
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公开(公告)号：CN112151482A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910915015.3
申请日：2019-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 公开一种半导体装置，所述半导体装置包括改进的隔离接合膜。在实施例中，一种半导体装置包括：第一管芯，接合到封装衬底，第一管芯包括延伸穿过衬底的通孔，通孔在衬底的顶表面上方延伸；第一介电膜，沿着封装衬底的顶表面、沿着衬底的顶表面且沿着第一管芯的侧壁延伸，通孔延伸穿过第一介电膜；第二管芯，接合到第一介电膜及通孔；以及包封体，位于封装衬底、第一管芯、第一介电膜及第二管芯之上。
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公开(公告)号：CN119694895A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411769734.6
申请日：2024-12-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 描述了一种接合半导体芯片的方法。该方法包括以下步骤。半导体芯片被设置在接合装置的卡盘台上。驱动接合装置的接合头以从支撑台拾取第一半导体芯片，其中第一半导体芯片具有第一翘曲量。驱动接合头以将第一半导体芯片移动至位于半导体晶片的第一接合区域上方的位置。使用变形机构执行变形工艺，以使卡盘台和半导体晶片的第一接合区域变形而具有第一变形量，其中第一变形量对应于第一翘曲量。在保持第一变形量的同时，将第一半导体芯片接合到半导体晶片的第一接合区域。释放变形机构对于卡盘台的变形。
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公开(公告)号：CN113764334B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202110463756.X
申请日：2021-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 方法包括在半导体衬底上方形成多个介电层，蚀刻多个介电层和半导体衬底以形成开口，沉积延伸到开口中的第一衬垫，在第一衬垫上方沉积第二衬垫。第二衬垫延伸到开口中。方法还包括将导电材料填充到开口中以形成通孔，以及在半导体衬底的相对侧上形成导电部件。导电部件通过通孔电互连。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104658969B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201410120711.2
申请日：2014-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/7684 , H01L21/76898 , H01L23/544 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/11 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2225/06593 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/03
Abstract: 一种装置包括具有多个电器件的衬底。形成在衬底的第一侧上的互连结构使电器件互连。伪TSV的每个延伸穿过衬底且在衬底的第二侧上形成对准掩模。功能TSV的每个延伸穿过衬底且电连接至电器件。形成在衬底的第二侧上的重分布层（RDL）使伪TSV中的一些与功能TSV中的一些互连。功能TSV上方的RDL的台阶高度小于预定值，而伪TSV上方的RDL的台阶高度大于预定值。本发明还提供了重分布层的自对准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104658969A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410120711.2
申请日：2014-03-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/7684 , H01L21/76898 , H01L23/544 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05571 , H01L2224/06181 , H01L2224/11 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/17181 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2225/06593 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L21/768 , H01L21/76897
Abstract: 一种装置包括具有多个电器件的衬底。形成在衬底的第一侧上的互连结构使电器件互连。伪TSV的每个延伸穿过衬底且在衬底的第二侧上形成对准掩模。功能TSV的每个延伸穿过衬底且电连接至电器件。形成在衬底的第二侧上的重分布层（RDL）使伪TSV中的一些与功能TSV中的一些互连。功能TSV上方的RDL的台阶高度小于预定值，而伪TSV上方的RDL的台阶高度大于预定值。本发明还提供了重分布层的自对准。
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公开(公告)号：CN102651355A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210010816.3
申请日：2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L21/7684 , H01L21/76879 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2225/06541 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 集成电路包括具有第一表面和第二表面的衬底。至少一个传导结构连续地延伸穿过衬底。至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。本发明还提供了包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118299276A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410291221.2
申请日：2024-03-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种集成电路封装的形成方法包括：将集成电路管芯接合至载体衬底；在集成电路管芯周围并沿着载体衬底的边缘形成间隙填充介电质；进行斜面清洁工艺，以自载体衬底的边缘移除间隙填充介电质的部分；在进行斜面清洁工艺之后，在间隙填充介电质及集成电路管芯上沈积第一接合层；在第一接合层的外侧壁、间隙填充介电质的外侧壁及载体衬底的第一外侧壁上形成第一介电层；以及将晶圆接合至第一介电层及第一接合层，其中晶圆包括半导体衬底及位于半导体衬底的外侧壁上的第二介电层。
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公开(公告)号：CN113764334A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110463756.X
申请日：2021-04-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 方法包括在半导体衬底上方形成多个介电层，蚀刻多个介电层和半导体衬底以形成开口，沉积延伸到开口中的第一衬垫，在第一衬垫上方沉积第二衬垫。第二衬垫延伸到开口中。方法还包括将导电材料填充到开口中以形成通孔，以及在半导体衬底的相对侧上形成导电部件。导电部件通过通孔电互连。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102651355B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201210010816.3
申请日：2012-01-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L21/7684 , H01L21/76879 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2225/06541 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 集成电路包括具有第一表面和第二表面的衬底。至少一个传导结构连续地延伸穿过衬底。至少一个传导结构的至少一个侧壁通过气隙与所述衬底的侧壁隔开。本发明还提供了包括穿过衬底的传导结构的集成电路及其制造方法。
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