知搜-全球专利检索

通知消息

1
..
通知
...
^^^
Update change
bbbb
Regenerat
  1. 登录
  2. 注册
  • 主页
  • 检索
    快速检索 高级检索 New 批量检索 图片检索 语义检索
  • 专利交易
  • 工作空间
  • 会员
  • 帮助

搜索结果

73 条记录 (耗时 0.016 秒)
下载著录项
从 到 条(最多9999条)
取消 下载
自定义模板数据
取消 提交
PDF全文下载
从 到 条(最多9999条)
取消 提交
下载著录项
  • 图文混合
    • 图文混合
    • 列表展现
    • 图片显示
    • 双联排版
    • 双联排版
  • 相关度
    • 相关度
    • 申请日期
    • 申请日期
    • 公开/公告日
    • 公开/公告日
    • 专利评级
标准排版和图文混合 自定义显示字段
错误信息
保存检索式

保存成功

保存失败

保存的检索式:
保存检索式

保存成功

保存失败

保存的检索式:(天空) AND (legalStatus:("无效专利"))
筛选
AND
过滤
NOT

    光电子器件和用于制造光电子器件的方法
    1.
    发明公开
    光电子器件和用于制造光电子器件的方法 有权

    公开(公告)号:CN108780826A

    公开(公告)日:2018-11-09

    申请号:CN201780016398.X

    申请日:2017-02-10

    申请人: 欧司朗光电半导体有限公司

    发明人: 索菲娅·赫普曼 ,  西梅昂·卡茨 ,  马库斯·岑格

    IPC分类号: H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L25/075 ,  H01L33/62

    CPC分类号: H01L33/0079 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/81013 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/81896 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2933/0016

    摘要: 提出一种光电子器件(50),其具有半导体本体(10a-c),所述半导体本体具有光学有源区域(12);其还具有载体(60)和连接层对(30a-c),所述连接层对具有第一连接层(32)和第二连接层(34),其中:半导体本体设置在载体上,第一连接层设置在半导体本体和载体之间并且与半导体本体连接,第二连接层设置在第一连接层和载体之间,选自第一连接层和第二连接层中的至少一个层包含透射辐射的且能导电的氧化物,并且第一连接层和第二连接层至少局部地在一个或多个连接区域中直接彼此连接,使得连接层对参与半导体本体到载体上的机械联接。第一和/或第二连接层具有多个在相应的层之内彼此电绝缘的、能导电的子区域(80,82),其中所述子区域中的至少两个子区域与半导体本体在光学有源区域的不同侧上能导电地连接。

    封装结构及其形成方法
    2.
    发明授权
    封装结构及其形成方法 有权

    公开(公告)号:CN103515342B

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201210425205.5

    申请日:2012-10-30

    申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人: 余振华 ,  吴俊毅 ,  王宗鼎

    IPC分类号: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

    CPC分类号: H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

    摘要: 本发明提供了一种器件,该器件包括第一封装部件和第二封装部件。第一封装部件包括位于第一封装部件顶面处的第一多个连接件以及位于该顶面处的第二多个连接件。第二封装部件位于第一多个连接件上方并且与第一多个连接件接合,其中,第二多个连接件未接合至第二封装部件。阻焊剂位于第一封装部件的顶面上。沟槽设置在阻焊剂中,其中,阻焊剂的部分将第二多个连接件与第一多个连接件间隔开。本发明还提供了封装结构及其形成方法。

    对用于裸片翘曲减少的组装的IC封装衬底的TCE补偿
    3.
    发明授权
    对用于裸片翘曲减少的组装的IC封装衬底的TCE补偿 有权

    公开(公告)号:CN102844861B

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201180019483.4

    申请日:2011-04-29

    申请人: 德州仪器公司

    发明人: 玛格丽特·罗丝·西蒙斯-马修斯

    IPC分类号: H01L23/48 ,  H01L23/34

    CPC分类号: H01L23/49894 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

    摘要: 一种用于组装裸片封装的方法(100)包括将位于多个第一裸片的第一侧上的触点附接(101)到位于复合载体的顶部表面上的衬底垫。所述复合载体包括包含至少一个嵌入金属层的封装衬底,所述封装衬底使其底部表面紧固到半导体晶片。所述复合载体在组装期间使所述裸片与所述封装衬底之间的热膨胀系数CTE失配的效应最小化,从而减少所述裸片的翘曲。在所述附接之后,从所述封装衬底移除(103)所述半导体晶片。将导电连接器附接(104)到所述封装衬底的所述底部表面,且锯开(105)所述封装衬底以形成多个单一化裸片封装。

    电子器件、电子设备及电子器件的制造方法
    4.
    发明授权
    电子器件、电子设备及电子器件的制造方法 失效

    公开(公告)号:CN102377401B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201110257446.9

    申请日:2011-08-23

    申请人: 精工电子有限公司

    发明人: 中村敬彦 ,  佐藤惠二 ,  竹内均 ,  荒武洁 ,  沼田理志

    IPC分类号: H03H3/02 ,  H03H9/10 ,  H01L23/04 ,  H01L23/055 ,  H01L21/60

    CPC分类号: H03H9/1021 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/486 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/161 ,  H05K1/114 ,  H05K3/4046 ,  H05K2201/10075 ,  H05K2201/10371 ,  Y10T29/49124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    摘要: 本发明的课题是,在具备在基底搭载的电子部件、在基底的电子部件搭载侧的相反侧设置的外部电极、以及与基底熔敷的贯通电极的电子器件中,确保电子部件与外部电极的导通。本发明提供的电子器件包括:基底(10);贯通基底(10)、且通过研磨去除端面的绝缘性物质的贯通电极(21);在贯通电极(21)的一个端面形成电路图案(30),并通过电路图案(30)上形成的内部布线(31)而设置的电子部件(40);在基底(10)的与设置电子部件(40)的一侧相反侧设置、并形成与贯通电极(21)的另一个端面连接的电极图案(60)、并且在电极图案(60)上形成的外部电极(61);以及与基底接合并保护基底(10)上的电子部件(40)的盖(50)。

    发光二极管(LED)的晶圆级封装
    5.
    发明公开
    发光二极管(LED)的晶圆级封装 无效

    公开(公告)号:CN104285277A

    公开(公告)日:2015-01-14

    申请号:CN201380024612.8

    申请日:2013-03-25

    申请人: 克里公司

    发明人: M·J·伯格曼 ,  D·T·爱默生 ,  J·G·克拉克 ,  C·P·赫塞尔

    IPC分类号: H01L21/00

    CPC分类号: H01L25/0756 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/507 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14177 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

    摘要: LED晶圆包括在LED衬底上的LED管芯。LED晶圆和载体晶圆是接合的。接合到载体晶圆的LED晶圆被成形。将波长转换材料施加到被成形的LED晶圆。执行切单以提供接合到载体管芯的LED管芯。可以将切单的器件安装在LED灯具中以提供高的每单位面积的光输出。

    晶圆级器件封装
    6.
    发明公开
    晶圆级器件封装 有权

    公开(公告)号:CN102881666A

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN201210295014.1

    申请日:2012-08-17

    申请人: 香港应用科技研究院有限公司

    发明人: 徐逸杰 ,  杨丹 ,  罗佩璁

    IPC分类号: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L27/146 ,  H01L21/56

    CPC分类号: H01L27/14618 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16106 ,  H01L2224/16108 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16157 ,  H01L2224/16168 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92222 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/19 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

    摘要: 本发明提供一种晶圆级封装的半导体器件,整个封装器件形成后才分离成单个器件。该半导体器件封装包括半导体芯片,有一个或多个焊盘与该芯片连接,还有一保护层连接在该半导体芯片之上。至少在半导体芯片的侧边缘和底表面上有一隔离层。有互连金属化凸点靠近该半导体芯片的一个或多个侧边缘,并电连接到至少一个焊盘上。一个小型化的图像传感器可以和数字信号处理器和存储器芯片以及透镜和保护盖垂直集成在一起。

    室温共价粘结的方法
    7.
    发明公开
    室温共价粘结的方法 有权

    公开(公告)号:CN101359605A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200810134052.2

    申请日:2004-05-19

    申请人: 齐普特洛尼克斯公司

    发明人: 童勤义

    IPC分类号: H01L21/58 ,  H01L21/762 ,  B81C1/00

    CPC分类号: B32B7/04 ,  B32B2250/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/05442

    摘要: 一种粘结方法,包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入,可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法,从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种,优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处,氟的浓度也可具有第二峰值。

    室温共价粘结的方法
    8.
    发明公开
    室温共价粘结的方法 有权

    公开(公告)号:CN1860590A

    公开(公告)日:2006-11-08

    申请号:CN200480018125.1

    申请日:2004-05-19

    申请人: 齐普特洛尼克斯公司

    发明人: 童勤义

    IPC分类号: H01L21/30 ,  H01L29/04

    CPC分类号: B32B7/04 ,  B32B2250/04 ,  B81C1/00357 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/26 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08059 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/81894 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/351 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31678 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/05442

    摘要: 一种粘结方法,包括使用具有氟化氧化物的粘结层。通过暴露于含氟溶液、蒸汽或者气体下或者通过植入,可将氟引入到粘结层内。也可使用其中在粘结层的形成过程中将氟引入其内的方法,从而形成粘结层。粘结层的表面用所需物种,优选NH2物种终止。这可通过将粘结层暴露于NH4OH溶液来实现。在室温下获得高的粘结强度。该方法也可包括一起粘结两层粘结层并在粘结层之间的界面附近处生成具有峰值的氟浓度。粘结层之一可包括在彼此上形成的两层氧化物层。在两层氧化物层之间的界面处,氟的浓度也可具有第二峰值。

    半导体器件及其制造方法
    9.
    发明授权
    半导体器件及其制造方法 失效

    公开(公告)号:CN1210792C

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN02160291.3

    申请日:2002-08-29

    申请人: 株式会社东芝

    发明人: 松尾美惠 ,  宫田雅弘 ,  江泽弘和

    IPC分类号: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

    CPC分类号: H01L24/12 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05599

    摘要: 一种半导体器件,包括:在基板上所形成的第一电极;所述第一电极上的凹型形状的下突起金属膜;以及埋设在所述下突起金属膜的凹型形状内部的,侧面和底面由所述下突起金属膜围绕的突起电极。

    封装组件及其形成方法
    10.
    发明授权
    封装组件及其形成方法 有权

    公开(公告)号:CN103579159B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201210575914.1

    申请日:2012-12-26

    申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司

    发明人: 陈宪伟

    IPC分类号: H01L23/492 ,  H01L21/60

    CPC分类号: H01L25/105 ,  H01L21/485 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5382 ,  H01L23/5383 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/09051 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17515 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0295 ,  H05K2201/09954 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

    摘要: 本发明涉及一种器件,该器件包括第一封装部件,以及位于第一封装部件下面的第二封装部件。第二封装部件包括位于第二封装部件的顶面上的第一电连接件,其中,第一电连接件与第一封装部件相接合。第二封装部件进一步包括位于第二封装部件的顶面上的第二电连接件,其中,没有封装部件位于第二电连接件上且与其相接合。本发明还提供了一种封装组件及其形成方法。

PDF内容
加载中...
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7
  • 8
  • » 下一页
技术领域
最新中国发明专利
最新美国发明专利
高级检索
  • API
  • changelog
  • 微信群
  • Copyright © 2024 上海笑溢网络科技有限公司. All rights reserved.
  • 沪ICP备09049145号-13
扫码加群