公开(公告)号：CN106463493B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580023775.3

申请日：2015-05-05

申请人： 高通股份有限公司

发明人： H·B·蔚 ,  D·W·金 ,  J·S·李 ,  S·顾 ,  R·拉多伊契奇

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/98 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/20648 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81

摘要： 提供了具有增大的宽度的基板块。该基板块包括两个基板条，并且这些基板条各自包括基板以及穿过该基板的多个经填充通孔。该基板块可被用于制造封装基板，并且这些封装基板可以被纳入到PoP结构中。该封装基板包括具有多个垂直互连的载体以及耦合至该垂直互连的条。

公开(公告)号：CN108878637A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810418879.X

申请日：2018-05-03

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 大桥幸司 ,  小岛力 ,  松田洋史 ,  铃木博则 ,  田中秀一

IPC分类号： H01L41/047 ,  H01L41/053 ,  H01L41/23 ,  H01L41/25 ,  H01L41/29

CPC分类号： B06B1/067 ,  A61B8/14 ,  A61B8/4427 ,  A61B8/4455 ,  A61B8/4494 ,  B06B1/0629 ,  B06B2201/76 ,  G01N29/245 ,  G01N2291/02466 ,  G01N2291/02475 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/053 ,  H01L41/0825 ,  H01L41/23 ,  H01L41/29 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81466 ,  H01L2224/81471 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81901 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01024 ,  H01L41/25

摘要： 本发明涉及安装结构体、超声波器件、超声波探头及超声波装置。安装结构体具备：第一基板，具有设置有功能元件的第一面；配线部，设置在第一面的与功能元件不同的位置上，并连接于功能元件；第二基板，具有与第一面相对的第二面；以及导通部，设置于第二面，与配线部连接，并连接于功能元件，其中，功能元件与第二基板的最短距离比配线部和导通部连接的位置与第二基板的距离更长。

公开(公告)号：CN108140628A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058117.2

申请日：2016-10-07

申请人： 索尼半导体解决方案公司

发明人： 胁山悟 ,  清水完 ,  林利彦 ,  中村卓矢 ,  城直树

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及摄像装置，所述摄像装置包括第一半导体元件，所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件，所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块，所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部，并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。

公开(公告)号：CN103855129B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201310656157.5

申请日：2013-12-06

申请人： 德州仪器公司

发明人： 凯文·莱恩 ,  库尔特·P·瓦赫特勒

IPC分类号： H01L23/528 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种半导体装置及用于制作半导体装置的方法。标准存储器芯片(150)借助于堆叠到大硅中介层(110)上的小硅中介层(120)而与分裂架构的两个处理器芯片(130、140)垂直组装；两个中介层均包含穿硅通孔TSV，而所述芯片不具有TSV。小中介层(120)的所述TSV连接到所述存储器芯片(150)及所述底部中介层(110)。相对于中介层(120)对称定位且通过短信号迹线连接到中介层(120)的芯片(130、140)附接到中介层(110)的所述TSV，所述中介层(110)又借助供应连接附接到衬底(160)。

公开(公告)号：CN105047619B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510187746.2

申请日：2015-04-20

申请人： 精材科技股份有限公司

发明人： 何彦仕 ,  何志伟 ,  刘沧宇

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L23/49811 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06165 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明揭露一种晶片堆叠封装体及其制造方法。该晶片堆叠封装体包括：至少一第一基底，其具有一第一侧及相对的一第二侧，且包括一凹口及多个重布线层，凹口位于第一基底内且邻接其一侧边，多个重布线层设置于第一基底上且延伸至凹口的一底部；至少一第二基底，设置于第一基底的第一侧；多个焊线，对应设置于凹口内的重布线层上，且延伸至第二基底上；以及至少一装置基底，设置于第一基底的第二侧。本发明可有效降低晶片堆叠封装体的整体尺寸。

公开(公告)号：CN103715165B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201210394739.6

申请日：2012-10-17

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 陈嘉成 ,  何祈庆 ,  唐绍祖 ,  刘宇哲 ,  蔡瀛洲

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48159 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49173 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括制作增层线路用的介电层、形成于该介电层上的线路层、结合并电性连接该线路层的半导体芯片、以及包覆该半导体芯片的封装胶体。因此种介电层与该线路层的结合性佳，所以两者之间不会发生脱层现象，遂能提高该半导体封装件的可靠度及能使封装体积更微小化。

公开(公告)号：CN104412380B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380033614.3

申请日：2013-05-24

申请人： LG 伊诺特有限公司

发明人： 柳盛旭 ,  金东先 ,  申承烈

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/15

CPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/4803 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/134 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15787 ,  H05K1/111 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 根据实施例，提供一种半导体封装衬底，包括：绝缘衬底；在绝缘衬底上的电路图案；在绝缘衬底上的保护层，该保护层覆盖绝缘衬底上的电路图案；在保护层上的垫；以及在保护层上的粘合构件，其中垫包括被埋置在保护层中的第一垫和在第一垫上的第二垫，该第二垫突出到保护层上方。

公开(公告)号：CN104508810B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201380038723.4

申请日：2013-08-23

申请人： 日本特殊陶业株式会社

发明人： 西田智弘 ,  森圣二 ,  若园诚

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H05K3/28 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K1/11 ,  H01L21/563 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H05K1/111 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3452 ,  H05K2201/09018 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/0594 ,  H05K2203/0597 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 一种布线基板，其能抑制形成因填底胶的填充不良而产生的空隙。布线基板包括：基层，其具有绝缘性；绝缘层，其层叠于基层；以及连接端子，其具有导电性，在开口部的内侧自绝缘层突出。绝缘层具有：第1表面，其形成有开口部；以及第2表面，其在开口部的内侧相对于第1表面向基层侧凹陷。第2表面在开口部的内侧形成在从第1表面到连接端子的整个范围内。在沿着绝缘层相对于基层层叠的层叠方向的平面、即剖面中，自第2表面中的任意点朝向绝缘层外侧的法线、同自该任意点以与第1表面平行的方式朝向连接端子的平行线所成的角度大于0°且小于90°。

公开(公告)号：CN104303278B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201380025827.1

申请日：2013-03-15

申请人： 松下知识产权经营株式会社

发明人： 小盐哲平 ,  本村耕治 ,  圆尾弘树

IPC分类号： H01L21/60 ,  B23K35/363 ,  B23K20/10

CPC分类号： B23K35/3612 ,  B23K35/362 ,  B23K35/365 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75349 ,  H01L2224/75353 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75804 ,  H01L2224/75822 ,  H01L2224/75824 ,  H01L2224/759 ,  H01L2224/81002 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81085 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81149 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81912 ,  H01L2224/81914 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明在将半导体元件安装在基板上时，容易把握接合辅助剂的残留量，使接合辅助剂的供给量稳定，防止接合辅助剂的不足。另外，为了可以高效地进行安装装置的维护，使用通过使着色剂溶解在具有除去金属的表面氧化膜的作用的还原性溶剂中而调整的用于辅助金属彼此的接合的接合辅助剂。接合辅助剂是采用具有将具有除去金属的表面氧化膜的作用的还原性溶剂与对于所述溶剂具有溶解性的着色剂进行混合的工序的制造方法而得到的。

公开(公告)号：CN104205327B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201280072193.0

申请日：2012-04-06

申请人： NEPES 株式会社

发明人： 苏赛贤 ,  萧元甄 ,  王传伟 ,  苏孝文 ,  陈浩洋

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明提供一种包括精密且工序缺陷低的穿过布线的制造半导体组件的方法，本发明的一个实施例的制造半导体组件的方法包括如下步骤：准备导电部件的步骤；去除导电部件的一部分而形成平面部和从平面部突出的突出部的步骤；形成密封导电部件的密封部件的步骤；去除密封部件的一部分而使导电部件的突出部从密封部件露出来形成穿过布线的步骤；在穿过布线上形成与穿过布线电连接的再布线图案层的步骤；在再布线图案层上安装半导体芯片的步骤；以及形成与穿过布线电连接的外部连接部件的步骤。