超声波器件、探测器、电子设备以及超声波图像装置

    公开(公告)号:CN104510500B

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201410514380.0

    申请日:2014-09-29

    Abstract: 本发明提供了超声波器件、探测器、电子设备以及超声波图像装置。该超声波器件具备:基体,对应每个以阵列状排列的开口形成有振动膜的基部层;导电的配线层,形成于所述基部层上;绝缘膜,形成于所述配线层上,相对于所述基部层形成层叠结构;多个压电元件,具有在所述绝缘膜上夹着压电体的第一电极以及第二电极,所述压电元件通过所述绝缘膜与所述配线层被隔开;以及贯通导电体,贯通所述绝缘膜,将至少所述第一电极以及第二电极中的一个电极连接于所述配线层的导电体。

    超声波器件及其制造方法、探测器及电子设备

    公开(公告)号:CN105310721A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510461519.4

    申请日:2015-07-30

    Inventor: 松田洋史

    Abstract: 本发明涉及超声波器件及其制造方法、探测器及电子设备。该超声波器件能够实现频率与灵敏度的精度高、且降低串扰。超声波器件的基板(44)具有:第一表面及相反侧的第二表面,并具有由壁部(57)相互间隔开的第一开口部(46)及第二开口部(46)。基板(44)的第一表面配置有分别闭塞第一开口部(46)及第二开口部(46)的第一振动膜(24)及第二振动膜(24)。第一振动膜(24)及第二振动膜(24)分别设置有第一压电元件(29、28、32)及第二压电元件(29、28、32),壁部(57)划分出在基板(44)的第二表面(44b)开口的凹部(56)。

    超声波探头及超声波图像诊断装置

    公开(公告)号:CN102988079A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210337944.9

    申请日:2012-09-12

    Inventor: 松田洋史

    CPC classification number: A61B8/4494 A61B8/4444

    Abstract: 本发明提供一种超声波探头以及超声波图像诊断装置。上述超声波探头具有压电元件,压电元件具备:基板,具有开口部;支撑膜,设置在基板上并设置为堵塞开口部的状态;下部电极层,在支撑膜上以连续开口部内与开口部外的状态设置;第一压电体层,设置在开口部内的下部电极层上;上部电极层,设置在第一压电体层上;以及第二压电体层,在下部电极层上配置在开口部外,并且与第一压电体层分开地配置。

    超声波装置、探测器、电子设备以及超声波图像装置

    公开(公告)号:CN104510497B

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201410499407.3

    申请日:2014-09-25

    Abstract: 本发明提供超声波装置、探测器、电子设备以及超声波图像装置。一种超声波装置,其特征在于,具备:基体,其具有被阵列状地配置的多个开口;多个超声波换能器元件,其分别对应每个所述开口而配置,且分别具有振动膜;以及增强体,从所述基体的厚度方向俯视观察,在相邻的所述振动膜之间的区域中被固定于所述基体,具有比所述基体大的杨氏模量。

    超声波换能器装置及其制造方法、探测器、电子设备

    公开(公告)号:CN104068893B

    公开(公告)日:2018-10-19

    申请号:CN201410120672.6

    申请日:2014-03-27

    Abstract: 提供一种超声波换能器装置及其制造方法、探测器、电子设备以及超声波图像装置。超起波换能器装置的特征在于,具备多个振动膜配置为阵列状的基体、形成于所述振动膜上的第一电极膜、形成于所述第一电极膜上的压电体膜、形成于所述压电体膜上的第二电极膜以及形成为比所述第一电极膜的膜厚大的膜厚且与所述第一电极膜连接的第一导电膜。

    超声波换能器装置、探测器、电子设备及超声波图像装置

    公开(公告)号:CN104068894A

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201410124604.7

    申请日:2014-03-28

    CPC classification number: B06B1/0622 A61B8/4483 B06B1/0611 G01N29/44

    Abstract: 本发明涉及超声波换能器装置、探测器、电子设备及超声波图像装置等。其中,超声波换能器装置的特征在于,具备:多个振动膜配置成阵列状的基体;形成于所述振动膜上的压电元件;形成于所述基体上,在从所述基体的厚度方向观察的俯视观察中配置于所述振动膜的区域内以及所述振动膜的区域外的导电体;在从所述基体的厚度方向观察的俯视观察中,仅在所述振动膜的区域外形成于所述导电体上的第一绝缘膜;在从所述基体的厚度方向观察的俯视观察中仅在所述振动膜的区域内形成,具有比所述第一绝缘膜的膜厚小的膜厚,且形成于至少所述压电元件的一部分上的第二绝缘膜。

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